Главная – Журналы – Поиск по журналам

Представлены результаты разработки лазеров с вертикальным резонатором на основе твёрдых растворов Al_xGa_1-xAs и In_yGa_1-yAs. Лазеры демонстрируют устойчивый одномодовый режим генерации на длинах волн 794,9 нм и 894,6 нм, что открывает перспективы их использования в миниатюрных квантовых стандартах частоты на основе ⁸⁷Rb и ¹³³Cs.

Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучены механизмы трансформации поверхности при отжиге epi-ready подложек InP(001) в потоке молекул мышьяка. Исследовано влияние температуры отжига и потока мышьяка на процессы удаления оксидов с поверхности InP, происходящие в результате термического разложения и химического взаимодействия оксидов с мышьяком.

Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg_1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры Cd_xHg_1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры Cd_xHg_1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях Cd_xHg_1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.

Проанализировано влияние строения квантовых ям и особенностей технологии их изготовления на быстродействие и максимальную глубину модуляции оптических затворов на основе квантовых ям A₃B₅, предназначенных для синхронизации мод лазеров ближнего ИК-диапазона.

Рассмотрена проблема in situ контроля температуры при выращивании эпитаксиальных слоёв CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены различные подходы к решению проблемы с использованием спектральной эллипсометрии. Они основаны на температурной зависимости спектров оптических постоянных буферного слоя CdTe и растущего слоя CdHgTe. Представлены результаты экспериментального тестирования этих методик, которые показывают, что точность измерения температуры составляет несколько градусов, а чувствительность достигает долей градуса. На стадии стационарного роста из эллипсометрических спектров удаётся определить изменение не только температуры, но и состава растущего слоя.

Обсуждаются вопросы разработки и изготовления детектора одиночных фотонов на базе однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД) InP/InGaAs/InP, работающих в гейгеровском режиме на телекоммуникационной длине волны 1550 нм. Приведено описание конструкции ОЛФД, способа получения гетероструктуры InP/InGaAs/InP методом молекулярно-лучевой эпитаксии, изготовления чипа ОЛФД методами планарной технологии, особенностей избирательного легирования цинком p-областей в слое InP, разработанных электронных схем измерения основных параметров ОЛФД. Представлены предварительные результаты измерений параметров, изготовленных ОЛФД.

Исследованы антиотражающие свойства покрытий из диэлектрических частиц SiGe субволнового размера, выращенных на подложках Si(100) c использованием эффекта несмачиваемости Si слоями SiGe. Средний размер частиц задавался количеством осаждённого Ge и варьировался в диапазоне от 0,2 до 1,4 мкм. Изучаемое возбуждение магнитных и электрических резонансов в диэлектрических частицах SiGe приводило к уменьшению отражения приблизительно на 60 % в зависимости от среднего размера частиц по сравнению с отражением поверхности Si, не покрытой частицами. Распределение частиц по размеру обеспечило получение антиотражающих свойств в широком спектральном диапазоне, в котором частицы меньшего размера создавали более сильный антиотражающий эффект по сравнению с частицами большего размера. Модельные расчёты показали, что для частиц, расположенных на подложке, эффективность возбуждения магнитных и электрических резонансов имеет сильную зависимость от отношения высоты частиц к размеру их основания.

Продемонстрирована возможность исследований фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов (МФ) в вакуумных фотодиодах с двумя полупроводниковыми электродами. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции и квантового выхода МФ, впервые получены спектры распределения фотоэлектронов по энергиям в МФ с высоким разрешением. Измерения проводились при освещении МФ монохроматичным светом в диапазоне длин волн 400-950 нм и температурном интервале 90-300 К. На основе полученных данных сделаны выводы о наличии эффективного отрицательного электронного сродства в МФ. Изучены свойства исследуемого вакуумного фотодиода как солнечного элемента.

Исследовано влияние способа экстракционной обработки бурого угля на выход буроугольных битумов. Показано, что О-алкилирующая обработка позволяет увеличить выход битумоидов, а применение ультразвукового воздействия при алкилировании не только способствует дальнейшему увеличению выхода битумоидов (до 52.0 %), но и сокращает длительность процесса с 6 до 0.5 ч. При хромато-масс-спектрометрическом исследовании битумов в их составе идентифицированы биологически активные вещества.

Осуществлена попытка осмысления предпринимаемых человечеством мер в рамках борьбы с результатами антропогенного влияния на окружающую среду. Исследованы вопросы использования финансовых механизмов снижения выбросов парниковых газов (ПГ) для достижения глобальных целей сдерживания процессов изменения климата. Среди финансовых инструментов, в частности, рассматривается применение углеродного налога в мировой практике и в российских условиях. Отмечено значение использования рыночных механизмов ценообразования на выбросы ПГ в качестве действенных мер контроля над совокупной мировой углеродной нагрузкой. Показана ведущая роль деятельности, осуществляемой странами Европейского союза в данном направлении. Проанализированы результаты тридцатилетнего опыта Швеции по применению углеродного налога. Изучены документы стратегического планирования России, направленные на снижение выбросов ПГ. Проведен анализ основных механизмов, предусматривающих меры по достижению стратегических целей по снижению выбросов ПГ в окружающую среду. Подчеркивается необходимость использования финансовых инструментов в регулировании деятельности хозяйствующих субъектов по обеспечению снижения негативного воздействия в долгосрочной перспективе. Представлены меры по ужесточению регулирования выбросов углекислого газа в Российской Федерации.