Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.149.214.32
    [SESS_TIME] => 1713590410
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 3d8dfe62066cd96c0c57d45cc1f0f3e1
    [UNIQUE_KEY] => a4da593b8e54c2c3ee0d114c4eb55991
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2021 год, номер 5

ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЕ IN SITU МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЁВ МЛЭ КРТ

В.А. Швец1,2, Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
basil5353@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, температура роста, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 38-47

Аннотация

Рассмотрена проблема in situ контроля температуры при выращивании эпитаксиальных слоёв CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены различные подходы к решению проблемы с использованием спектральной эллипсометрии. Они основаны на температурной зависимости спектров оптических постоянных буферного слоя CdTe и растущего слоя CdHgTe. Представлены результаты экспериментального тестирования этих методик, которые показывают, что точность измерения температуры составляет несколько градусов, а чувствительность достигает долей градуса. На стадии стационарного роста из эллипсометрических спектров удаётся определить изменение не только температуры, но и состава растущего слоя.

DOI: 10.15372/AUT20210505
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину