Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.80.252.84
    [SESS_TIME] => 1642972016
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 8e7b300b18313286aad5fbb56d8ee65f
    [UNIQUE_KEY] => c574d01980ec3f5bcdefeced00b92713
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2021 год, номер 5

1.
ЛАЗЕРЫ С ВЕРТИКАЛЬНЫМ РЕЗОНАТОРОМ ДЛЯ МИНИАТЮРНЫХ КВАНТОВЫХ СТАНДАРТОВ ЧАСТОТЫ

В.А. Гайслер1, И.А. Деребезов1, А.В. Гайслер1, Д.В. Дмитриев1, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, М.М. Качанова1, Ю.А. Живодков1, А.В. Латышев1, М.Н. Скворцов2, С.М. Игнатович2, В.И. Вишняков2, Н.Л. Квашнин2, И.С. Месензова2, А.В. Тайченачев2, С.Н. Багаев2, И.Ю. Блинов3, В.Г. Пальчиков3, Ю.С. Самохвалов3, Д.А. Парёхин3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vahvah55@mail.ru
2Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия
skv@laser.nsc.ru
3Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений, Москва, Россия
blinov@vniiftri.ru
Ключевые слова: лазеры с вертикальным резонатором, рубидий, цезий, миниатюрные квантовые стандарты частоты, когерентное пленение населённостей, девиация Аллана
Страницы: 4-10

Аннотация >>
Представлены результаты разработки лазеров с вертикальным резонатором на основе твёрдых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Лазеры демонстрируют устойчивый одномодовый режим генерации на длинах волн 794,9 нм и 894,6 нм, что открывает перспективы их использования в миниатюрных квантовых стандартах частоты на основе 87Rb и 133Cs.

DOI: 10.15372/AUT20210501
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


2.
МЕХАНИЗМЫ УДАЛЕНИЯ ОКСИДОВ С ПОВЕРХНОСТИ InP ПРИ ПРОГРЕВЕ В ПОТОКЕ МЫШЬЯКА

Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ddmitriev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: InP, As, отжиг, оксид, дифракция
Страницы: 11-17

Аннотация >>
Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучены механизмы трансформации поверхности при отжиге epi-ready подложек InP(001) в потоке молекул мышьяка. Исследовано влияние температуры отжига и потока мышьяка на процессы удаления оксидов с поверхности InP, происходящие в результате термического разложения и химического взаимодействия оксидов с мышьяком.

DOI: 10.15372/AUT20210502
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


3.
ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОВЕРШЕНСТВА СЛОЁВ ГЕТЕРОСТРУКТУР (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ

С.А. Дворецкий1,2, М.Ф. Ступак3, Н.Н. Михайлов1,4, С.Н. Макаров3, А.Г. Елесин3, А.Г. Верхогляд3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, микроучастки, разворот, гетероструктуры, МЛЭ, CdHgTe, CdTe, GaAs
Страницы: 18-28

Аннотация >>
Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры CdxHg1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях CdxHg1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.

DOI: 10.15372/AUT20210503
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


4.
ОПТИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ A3B5

Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, экситонное поглощение в квантовых ямах, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 29-37

Аннотация >>
Проанализировано влияние строения квантовых ям и особенностей технологии их изготовления на быстродействие и максимальную глубину модуляции оптических затворов на основе квантовых ям A3B5, предназначенных для синхронизации мод лазеров ближнего ИК-диапазона.

DOI: 10.15372/AUT20210504
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


5.
ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЕ IN SITU МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ В ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЁВ МЛЭ КРТ

В.А. Швец1,2, Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
basil5353@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, температура роста, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 38-47

Аннотация >>
Рассмотрена проблема in situ контроля температуры при выращивании эпитаксиальных слоёв CdHgTe методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены различные подходы к решению проблемы с использованием спектральной эллипсометрии. Они основаны на температурной зависимости спектров оптических постоянных буферного слоя CdTe и растущего слоя CdHgTe. Представлены результаты экспериментального тестирования этих методик, которые показывают, что точность измерения температуры составляет несколько градусов, а чувствительность достигает долей градуса. На стадии стационарного роста из эллипсометрических спектров удаётся определить изменение не только температуры, но и состава растущего слоя.

DOI: 10.15372/AUT20210505
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


6.
ДЕТЕКТОРЫ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ НА ОСНОВЕ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ InP/InGaAs/InP

В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Н.А. Валишева, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
pvv@isp.nsc.ru
Ключевые слова: детектор одиночных фотонов, лавинный фотодиод, гейгеровский режим, гетероструктура, InP/InGaAs/InP, ВАХ, темновой ток, квантовая эффективность счёта, частота темновых импульсов, коэффициент послепульсаций, молекулярно-лучевая эпитаксия, избирательное легирование
Страницы: 48-57

Аннотация >>
Обсуждаются вопросы разработки и изготовления детектора одиночных фотонов на базе однофотонных лавинных фотодиодов (ОЛФД) InP/InGaAs/InP, работающих в гейгеровском режиме на телекоммуникационной длине волны 1550 нм. Приведено описание конструкции ОЛФД, способа получения гетероструктуры InP/InGaAs/InP методом молекулярно-лучевой эпитаксии, изготовления чипа ОЛФД методами планарной технологии, особенностей избирательного легирования цинком p-областей в слое InP, разработанных электронных схем измерения основных параметров ОЛФД. Представлены предварительные результаты измерений параметров, изготовленных ОЛФД.

DOI: 10.15372/AUT20210506
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


7.
ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПРОСВЕТЛЯЮЩИЕ ПОКРЫТИЯ ИЗ ЧАСТИЦ SiGe СУБВОЛНОВОГО РАЗМЕРА

Д.Е. Уткин1,2, А.В. Царев1,2, Е.Н. Уткин3, А.В. Латышев1,2, А.А. Шкляев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
utkinde@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
utkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: метапокрытия, частицы SiGe на Si, резонансы Ми, антиотражающие свойства, численное моделирование, метод FDTD
Страницы: 58-69

Аннотация >>
Исследованы антиотражающие свойства покрытий из диэлектрических частиц SiGe субволнового размера, выращенных на подложках Si(100) c использованием эффекта несмачиваемости Si слоями SiGe. Средний размер частиц задавался количеством осаждённого Ge и варьировался в диапазоне от 0,2 до 1,4 мкм. Изучаемое возбуждение магнитных и электрических резонансов в диэлектрических частицах SiGe приводило к уменьшению отражения приблизительно на 60 % в зависимости от среднего размера частиц по сравнению с отражением поверхности Si, не покрытой частицами. Распределение частиц по размеру обеспечило получение антиотражающих свойств в широком спектральном диапазоне, в котором частицы меньшего размера создавали более сильный антиотражающий эффект по сравнению с частицами большего размера. Модельные расчёты показали, что для частиц, расположенных на подложке, эффективность возбуждения магнитных и электрических резонансов имеет сильную зависимость от отношения высоты частиц к размеру их основания.

DOI: 10.15372/AUT20210507
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


8.
ФОТОЭМИССИОННЫЕ СВОЙСТВА МУЛЬТИЩЕЛОЧНОГО ФОТОКАТОДА

В.С. Русецкий1, В.А. Голяшов1,2, А.В. Миронов3, А.Ю. Дёмин3, О.Е. Терещенко1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vadim19230495@yandex.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
vladimirgolyashov@gmail.com
3ЗАО "Экран ФЭП", Новосибирск, Россия
andreimironov628@gmail.com
Ключевые слова: мультищелочной фотокатод, распределение фотоэлектронов по энергиям, вакуумный фотодиод, солнечный элемент, эффективное отрицательное электронное сродство
Страницы: 70-76

Аннотация >>
Продемонстрирована возможность исследований фотоэмиссионных свойств мультищелочных фотокатодов (МФ) в вакуумных фотодиодах с двумя полупроводниковыми электродами. Исследованы спектральные зависимости фотолюминесценции и квантового выхода МФ, впервые получены спектры распределения фотоэлектронов по энергиям в МФ с высоким разрешением. Измерения проводились при освещении МФ монохроматичным светом в диапазоне длин волн 400-950 нм и температурном интервале 90-300 К. На основе полученных данных сделаны выводы о наличии эффективного отрицательного электронного сродства в МФ. Изучены свойства исследуемого вакуумного фотодиода как солнечного элемента.

DOI: 10.15372/AUT20210508
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


9.
МАТРИЧНЫЕ БОЛОМЕТРИЧЕСКИЕ ДЕТЕКТОРЫ С ВЫСОКИМ БЫСТРОДЕЙСТВИЕМ

Р.З. Хафизов, В.В. Старцев, В.Ю. Москвичев
Акционерное общество "Оптико-механическое конструкторское бюро "АСТРОН"", Лыткарино Московской обл., Россия
imagelab@mail.ru
Ключевые слова: инфракрасное излучение, микроболометр, фотоприёмное устройство, оптико-электронные системы, микроэлектромеханические системы, отношение сигнал/шум, эквивалентная шуму разность температур
Страницы: 77-87

Аннотация >>
Рассмотрены теоретические соотношения, оптимизирующие конструкцию микроболометрического элемента матричного детектора и обеспечивающие улучшение его характеристик быстродействия. Сформулированы требования к параметрам элементов и к используемым для их изготовления материалам, которые предоставляют принципиальную возможность минимизации постоянной времени тепловой релаксации болометрического сенсора в целях увеличения кадровой частоты матриц. Представлены результаты их моделирования, позволяющие провести оптимизацию конструкции и её реализацию с использованием современных технологических процессов формирования высокоэффективных микроболометрических элементов с учётом требований конкретных применений.

DOI: 10.15372/AUT20210509
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


10.
МИКРОРЕЗОНАТОР ДЛЯ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК

И.А. Деребезов1,2, А.В. Гайслер1, А.Ю. Миронов1, В.А. Гайслер1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
derebezov@isp.nsc.ru
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, микрорезонаторы, излучатели одиночных фотонов, излучатели фотонных пар
Страницы: 88-92

Аннотация >>
Разработана конструкция и методика изготовления микрорезонатора на основе полупроводникового брэгговского отражателя и микролинзы, формируемой в процессе селективного окисления градиентного слоя AlxGa1-xAs. Конструкция микрорезонатора обеспечивает высокую внешнюю квантовую эффективность вывода излучения (до 70 %) и высокую эффективность ввода излучения в оптическое волокно. Микрорезонатор может быть использован для создания излучателей одиночных фотонов и излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации, на основе одиночных полупроводниковых квантовых точек.

DOI: 10.15372/AUT20210510
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


11.
ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ GaN/AlN

И.А. Александров1, Т.В. Малин1, Д.Ю. Протасов1, B. Pecz2, К.С. Журавлев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
aleksandrov@isp.nsc.ru
2Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary
pecz@mfa.kfki.hu
Ключевые слова: квантовые ямы, GaN, AlN, фотолюминесценция, просвечивающая электронная микроскопия
Страницы: 93-98

Аннотация >>
Исследована фотолюминесценция структур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведено сравнение расчётной зависимости энергии максимума полосы фотолюминесценции квантовых ям от толщины слоя GaN с экспериментом для различных отношений толщин слоёв GaN и AlN. Толщины слоёв GaN и AlN определялись методом просвечивающей электронной микроскопии. Расчёты энергии максимума полосы фотолюминесценции проводились в 6-зонном kp-приближении с учётом спонтанной и пьезоэлектрической поляризаций. По результатам расчёта при увеличении отношения толщины слоя GaN к толщине слоя AlN наклон зависимости энергии излучения от толщины слоя GaN уменьшается в соответствии с уменьшением напряжённости электрического поля в слое GaN. В квантовых ямах достаточно большой толщины наблюдается увеличение энергии максимума полосы излучения по сравнению с расчётом для нелегированных структур из-за ненамеренного легирования квантовых ям, приводящего к экранированию встроенного электрического поля.

DOI: 10.15372/AUT20210511
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


12.
ЭМИССИЯ СВЕТА МОНОСЛОЯМИ ДИСУЛЬФИДА МОЛИБДЕНА

А.В. Марченко1,2, Н.Н. Курусь1, А.А. Колосветов3, А.Г. Милёхин1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
a.marchenko@g.nsu.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный Московской обл.
chernov.ai@mipt.ru
Ключевые слова: дисульфид молибдена MoS, комбинационное рассеяние света (КРС), фотолюминесценция (ФЛ), атомно-силовая микроскопия (АСМ), усиление КРС на оптических фононах кремния
Страницы: 99-105

Аннотация >>
Проведено комплексное исследование монослоёв дисульфида молибдена MoS2, сформированных на кремниевой подложке, с помощью комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции в сравнении с данными атомно-силовой микроскопии. Построены карты распределения интенсивности комбинационного рассеяния света оптическими фононами и экситонной фотолюминесценции от монослойных плёнок MoS2. Получены зависимости частот основных колебательных мод MoS2 (A1g и E2g) от толщины монослойных покрытий. Обнаружено усиление моды комбинационного рассеяния света оптического фонона кремния бислоем дисульфида молибдена. Выдвинута гипотеза об интерференционном усилении комбинационного рассеяния света на фононных модах кремния.

DOI: 10.15372/AUT20210512
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


13.
НАУЧНОЕ НАСЛЕДИЕ С. В. БОГДАНОВА

Б.И. Кидяров1, Е.А. Колосовский1, А.В. Царев1,2, И.Г. Неизвестный1, А.Л. Асеев1,2, А.В. Латышев1,2, А.В. Чаплик1,2, А.В. Двуреченский1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
kolos@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: акустоэлектроника, акустооптика, пьезоэлектрик, акустическая волна
Страницы: 106-110

Аннотация >>
Посвящается известному учёному-физику, основателю школы акустоэлектроники и акустооптики, члену-корреспонденту РАН Сергею Васильевичу Богданову в связи со столетием со дня рождения (02.08.1921-14.02.2017).

DOI: 10.15372/AUT20210513
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


14.
ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИИ МОЗАИЧНЫХ ФОТОПРИЁМНИКОВ СВЕРХВЫСОКОЙ РАЗМЕРНОСТИ (КОНЦЕПТУАЛЬНЫЙ ОБЗОР)

А.И. Козлов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
aikozlov13@mail.ru
Ключевые слова: мозаичная технология, мозаичные фотоприёмники (МФП) сверхвысокой размерности, технологические "слепые зоны", максимальная эффективность преобразования изображений, многослойные структуры с квантовыми ямами (МСКЯ), параметры инфракрасных (ИК) МФП
Страницы: 111-118

Аннотация >>
Фундаментальные исследования основ создания мозаичных фотоприёмников (МФП) сверхвысокой размерности позволили оптимизировать прототип мозаичной технологии с уменьшением «слепых зон». При этом обеспечиваются минимальные области повреждения на краях кристаллов при разделении пластин с достижением минимальных зазоров между кристаллами смежных субмодулей до величины не более 2-3 мкм для разных определяющих материалов. Исследованы параметры инфракрасных МФП в зависимости от длины волны максимума спектральной характеристики фоточувствительности многослойных структур с квантовыми ямами, от шага фоточувствительных элементов и формата субмодулей. В ряде предложенных технологических вариантов прототипов слепые зоны МФП оптически перекрываются и обеспечивается предельная, 100 %-ная эффективность преобразования изображений. Мозаичная технология является одним из фундаментальных принципов достижения сверхвысокой размерности МФП с максимальной эффективностью преобразования изображений.

DOI: 10.15372/AUT20210514
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


15.
АЛГОРИТМЫ ОПТИМИЗАЦИИ ВЫПОЛНЕНИЯ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ПРОГРАММ НА ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМАХ ПРИ РЕШЕНИИ ЗАДАЧ МОДЕЛИРОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

К.В. Павский1,2, М.Г. Курносов1,2, А.В. Ефимов1,2, К.Е. Крамаренко1,2, Е.Н. Перышкова1,2, А.Ю. Поляков3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
pkv@isp.nsc.ru
2Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, Новосибирск, Россия
mkurnosov@sibguti.ru
3Networking SW & Sys Arch NVIDIA Corporation, Santa Clara, USA
artemp@nvidia.com
Ключевые слова: высокопроизводительные системы, параллельные программы, коллективные операции, синхронизация доступа к памяти, блокировка чтения-записи, MPI, PMIx
Страницы: 119-128

Аннотация >>
Предложены алгоритмы, позволяющие повысить эффективность исполнения параллельных программ на высокопроизводительных вычислительных системах, в частности при решении задач моделирования физических процессов. Разработанные алгоритмы ориентированы на оптимизацию выполнения коллективных операций на многопроцессорных SMP/NUMA-узлах в стандарте MPI. Алгоритмы блокировки чтения-записи повышают эффективность синхронизации доступа к общей памяти относительно алгоритмов, используемых в библиотеке Open PMIx.

DOI: 10.15372/AUT20210515
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину