Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.235.20.185
    [SESS_TIME] => 1716545762
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => f2204c50b81ee79b8409918c6ab0b4a8
    [UNIQUE_KEY] => ccfbe2b00577a3abb711b28d02dcb058
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2021 год, номер 5

ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОВЕРШЕНСТВА СЛОЁВ ГЕТЕРОСТРУКТУР (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ

С.А. Дворецкий1,2, М.Ф. Ступак3, Н.Н. Михайлов1,4, С.Н. Макаров3, А.Г. Елесин3, А.Г. Верхогляд3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, микроучастки, разворот, гетероструктуры, МЛЭ, CdHgTe, CdTe, GaAs
Страницы: 18-28

Аннотация

Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры CdxHg1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях CdxHg1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.

DOI: 10.15372/AUT20210503
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину