Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.235.20.185
    [SESS_TIME] => 1716545674
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 3b56bcddbac2cfe53a893280f7b90478
    [UNIQUE_KEY] => b99ecd64c7f6e018edf757659d66a2a2
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2021 год, номер 5

ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПРОСВЕТЛЯЮЩИЕ ПОКРЫТИЯ ИЗ ЧАСТИЦ SiGe СУБВОЛНОВОГО РАЗМЕРА

Д.Е. Уткин1,2, А.В. Царев1,2, Е.Н. Уткин3, А.В. Латышев1,2, А.А. Шкляев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
utkinde@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
utkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: метапокрытия, частицы SiGe на Si, резонансы Ми, антиотражающие свойства, численное моделирование, метод FDTD
Страницы: 58-69

Аннотация

Исследованы антиотражающие свойства покрытий из диэлектрических частиц SiGe субволнового размера, выращенных на подложках Si(100) c использованием эффекта несмачиваемости Si слоями SiGe. Средний размер частиц задавался количеством осаждённого Ge и варьировался в диапазоне от 0,2 до 1,4 мкм. Изучаемое возбуждение магнитных и электрических резонансов в диэлектрических частицах SiGe приводило к уменьшению отражения приблизительно на 60 % в зависимости от среднего размера частиц по сравнению с отражением поверхности Si, не покрытой частицами. Распределение частиц по размеру обеспечило получение антиотражающих свойств в широком спектральном диапазоне, в котором частицы меньшего размера создавали более сильный антиотражающий эффект по сравнению с частицами большего размера. Модельные расчёты показали, что для частиц, расположенных на подложке, эффективность возбуждения магнитных и электрических резонансов имеет сильную зависимость от отношения высоты частиц к размеру их основания.

DOI: 10.15372/AUT20210507
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину