Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.135.174
    [SESS_TIME] => 1628169496
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bcf7a9596a788deaab6caee1b7db659d
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => b05f4aed80643977ee276b8176d7dbc1
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

1.
КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) МОЛЕКУЛЯРНЫМ ПУЧКОМ СЕЛЕНА

С.А. Пономарев1,2, Д.И. Рогило1, А.С. Петров1, Д.В. Щеглов1, А.В. Латышев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sergei_pon971610@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: кремний, селен, травление, сублимация, поверхность, отражательная электронная микроскопия, silicon, selenium, etching, sublimation, surface, reflection electron microscopy
Страницы: 4-11

Аннотация >>
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии выделено три режима кинетики травления поверхности Si(111) молекулярным пучком селена. В области низких температур (≲650°C в зависимости от скорости осаждения Se) кинетика травления лимитирована энергией формирования и десорбции молекул SiSe2 и поверхность полностью покрыта примесно-индуцированной фазой селенида кремния «1×1»-Se. В интервале температур ~700-1100 °C скорость травления ограничивается величиной осаждаемого потока Se и не зависит от температуры, структуры поверхности и механизма травления (ступенчато-слоевой или двумерно-островковый). При высоких температурах (≳1150 °C) наибольший вклад в поток кремния с поверхности начинает вносить сублимация атомов Si. Построена теоретическая модель, описывающая температуру и кинетику переходов между режимами травления.

DOI: 10.15372/AUT20200501
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


2.
СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ CdHgTe

В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
varavin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, теллурид кадмия и ртути, подложки, дислокации, дефекты, рост, легирование, molecular beam epitaxy, cadmium and mercury telluride, substrates, dislocations, defects, growth, doping
Страницы: 12-26

Аннотация >>
Представлен обзор текущего состояния, проблем и их решения, а также потенциальных возможностей развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для получения структур CdHgTe на различных подложках для инфракрасных детекторов. Представлены данные по сверхвакуумным установкам МЛЭ и средствам контроля процессов роста по материалам используемых подложек, процессам подготовки поверхности подложек, росту буферных слоёв на альтернативных подложках, росту и легированию слоёв CdHgTe. Приведены основные дефекты структур, такие как дислокации и макродефекты, и минимальные достигнутые уровни их концентрации, лимитирующие качество детекторов. Рассмотрены данные по проблемам внешнего легирования слоёв CdHgTe примесями и полученные электрофизические параметры таких слоёв. Приведены фотоэлектрические параметры ИК-детекторов, близкие к теоретическим и показывающие готовность технологии МЛЭ к производству структур CdHgTe/Si на подложках диаметром 6 дюймов. Продемонстрированы результаты исследований и развития процессов роста и легирования структур CdHgTe на подложках GaAs и Si диаметром 76,2 мм в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.

DOI: 10.15372/AUT20200502
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


3.
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НАПРЯЖЁННЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ Si, Ge, Sn

А.С. Дерябин, А.Е. Долбак, М.Ю. Есин, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, В.А. Тимофеев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
das@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероструктуры, Si, Ge, Sn, молекулярно-лучевая эпитаксия, диффузия, дислокации, heterostructures, Si, Ge, molecular beam epitaxy, diffusion, dislocations
Страницы: 27-35

Аннотация >>
Представлены результаты исследования процесса формирования напряжённых наногетероструктур на основе соединений материалов группы IV (Ge, Si, Sn). Установлены механизмы диффузии атомов серебра, олова и свинца по поверхности, и получены температурные зависимости коэффициентов диффузии атомов этих элементов. Показано, что диффузия атомов серебра, олова и свинца происходит по механизму твёрдофазного растекания с формированием поверхностных фаз. Приведены экспериментальные данные, которые свидетельствуют о преобладающей роли краевых дислокаций и дислокационных комплексов краевого типа в релаксации гетероструктуры Ge/Ge0,5Si0,5/Si(001). Обогащённые оловом островки с пьедесталом Si на подложке Si(001) были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Первоначально на поверхность Si наносилась плёнка Sn. В процессе последующего отжига формировался массив островков Sn, которые использовались в качестве катализаторов для роста нанообъектов. Обогащённые оловом островки с пьедесталом Si формируются после осаждения кремния при температурах 300-450 C на поверхность с островками Sn. Рост островков с пьедесталом происходил по механизму пар - жидкость - кристалл. Обнаружена интенсивная фотолюминесценция от обогащённых оловом островков с пьедесталами Si в диапазоне длин волн 1,3-1,7 мкм.

DOI: 10.15372/AUT20200503
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


4.
НОВЫЙ ТИП ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ pHEMT-ТРАНЗИСТОРОВ

К.С. Журавлев1, Д.Ю. Протасов1,2, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, Д.В. Гуляев1, В.Г. Лапин3, В.М. Лукашин3, А.Б. Пашковский3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
zhur@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
3Акционерное общество «НПП “Исток” им. А.И. Шокина», Фрязино Московской обл., Россия
vlapin@mailru.com
Ключевые слова: гетероструктуры pHEMT, донорно-акцепторное легирование, концентрация, подвижность, насыщенная скорость дрейфа, удельная выходная мощность, heterostructures, pHEMT, donor-acceptor doping, concentration, 2DEG mobility, saturated drift velocity, output power density
Страницы: 36-43

Аннотация >>
Представлен новый тип гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с энергетическими барьерами, сформированными в соседних с каналом InGaAs слоях транзистора AlGaAs, модуляционно-легированных донорами и акцепторами. Высота барьеров, связанных с потенциалом области пространственного заряда в слоях AlGaAs, достигает 0,8 эВ, что позволяет удвоить концентрацию электронов в канале, предотвратить переход горячих электронов, разогретых электрическим полем, в окружающие слои и увеличить примерно в 1,2-1,3 раза их насыщенную скорость дрейфа. В результате удельная выходная СВЧ-мощность транзистора превзошла более чем на 50 % мировой уровень.

DOI: 10.15372/AUT20200504
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


5.
РОСТ НИТРИДНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР: ОТ ЭПИТАКСИИ БУФЕРНЫХ СЛОЁВ ДО ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ

Т.В. Малин1, Д.С. Милахин1, В.Г. Мансуров1, А.С. Кожухов1, Д.Ю. Протасов1,2, И.Д. Лошкарев1, К.С. Журавлев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
mal-tv@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: коллапс тока, пассивация, GaN, NH3-MBE, Al(Ga)N/GaN-HEMT, current collapse, passivation
Страницы: 44-51

Аннотация >>
Демонстрируется возможность выращивания методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии структурно-совершенных высокоомных слоёв GaN, позволяющих формировать гетероструктуры SiN/Al(Ga)N/GaN для транзисторов c высокой подвижностью электронов. Определены условия выращивания слоёв GaN с гладкой морфологией поверхности (среднеквадратичное отклонение ∼2 нм), пригодных для создания резких гетерограниц, и продемонстрирована возможность улучшения кристаллического совершенства слоя GaN за счёт использования буферного высокотемпературного (температура роста более 940 °C) слоя AlN. Показано, что in situ пассивация поверхности гетероструктур Al(Ga)N/GaN ультратонким слоем SiN позволяет формировать нормально закрытые транзисторы с рекордно низкими значениями токового коллапса (∼1 %).

DOI: 10.15372/AUT20200505
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


6.
ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ НА ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНОК GdHgTe И Al2O3, ВЫРАЩЕННОГО МЕТОДОМ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

Г.Ю. Сидоров, Д.В. Горшков, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.С. Варавин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
george@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, оксид алюминия, молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-слоевое осаждение, фотодиоды, диэлектрик, пассивирующее покрытие, вольт-фарадные характеристики, структуры металл-диэлектрик-полупроводник, плотность поверхностного заряда, Mercury-cadmium telluride (MCT), alumina oxide, molecular beam epitaxy (MBE), atomic layer deposition (ALD), photodiodes, dielectric, passivation coating, voltage-capacitance characteristics (C-V), metal-insulator-semiconductor (MIS), surface charge density
Страницы: 52-57

Аннотация >>
Исследовано влияние различных обработок поверхности плёнок Hg1-xCdxTe (КРТ) перед нанесением диэлектрика Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на величину заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Изготовлены структуры МДП с различной обработкой поверхности перед нанесением диэлектрика. Проведены измерения вольт-фарадных характеристик структур МДП на КРТ, и определена плотность поверхностного заряда. На поверхности плёнок состава x = 0,22 с естественным окислом поверхностный заряд распределён неоднородно и составляет (0,8-1,8) 10-8 Кл/см2, что может приводить к инверсии типа проводимости на поверхности. Выдержка структур КРТ в парах ртути при комнатной температуре приводит к формированию отрицательного заряда в диапазоне -(0,4-1,6) x 10-8 Кл/см2.

DOI: 10.15372/AUT20200506
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


7.
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЁРДОГО РАСТВОРА InAsSb: ВЛИЯНИЕ СКОРОСТИ РОСТА НА СОСТАВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ

Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, М.А. Путято, И.Д. Лошкарев, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
e2a@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, твёрдые растворы InAsSb, скорость роста, рентгеноструктурный анализ, molecular beam epitaxy, InAsSbsolid solutions, growth rate, X-ray structural analysis
Страницы: 58-63

Аннотация >>
Экспериментально исследовано влияние скорости роста (плотности потока атомов In) на состав твёрдых растворов InAsxSb1-x(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием потоков молекул As2 и Sb4. Установлено, что увеличение скорости роста при постоянном значении доли молекул As2 и Sb4 в потоке молекул группы V и неизменном отношении потока атомов индия к суммарному потоку молекул элементов группы V приводит к уменьшению доли мышьяка в твёрдом растворе. Показано, что скорость роста является самостоятельным параметром процесса молекулярно-лучевой эпитаксии, определяющим состав твёрдых растворов InAsxSb1-x. Предложен механизм формирования состава твёрдого раствора, объясняющий роль скорости роста.

DOI: 10.15372/AUT20200507
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


8.
ПЛАЗМОН-УСИЛЕННАЯ КОЛЕБАТЕЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ

А.Г. Милёхин1,2, Т.А. Дуда1, Е.Е. Родякина1,2, К.В. Аникин1, С.А. Кузнецов2,3, I. Milekhin4, D. Zahn4, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
rodyakina@isp.nsc.ru
3Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирск, Россия
mr.s.kuznetsov@gmail.com
4Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany
ilya.milekhin@physik.tu-chemnitz.de
Ключевые слова: фононы, локализованный плазмонный резонанс, нанокристаллы, ИК-спектроскопия, комбинационное рассеяние света, phonons, localized surface plasmon resonance, nanocrystals, IR spectroscopy, Raman scattering
Страницы: 64-71

Аннотация >>
Представлен обзор последних результатов и новые данные по изучению оптического отклика от полупроводниковых нанокристаллов, полученных с помощью методов плазмон-усиленной оптической спектроскопии, включая гигантское комбинационное рассеяние света (ГКРС) и плазмон-усиленное ИК-поглощение. Эти методы основаны на усилении фононного отклика полупроводниковых нанокристаллов, расположенных в поле локализованного поверхностного плазмонного резонанса (ЛППР) металлических наноструктур. Благодаря выбору определённой морфологии металлических наноструктур обеспечивается совпадение энергии ЛППР с энергией лазерного возбуждения и/или энергией оптических фононов в нанокристаллах. Резонансные условия обеспечивают значительное увеличение локальных электрических полей и, как следствие, резкое усиление сигнала КРС и ИК-поглощения на частотах поверхностных оптических фононов нанокристаллов. Усиление оптического отклика позволяет не только детектировать монослойные покрытия нанокристаллов, но и изучать их кристаллическую структуру, фазовый и элементный составы, внутренние механические напряжения. Применение КРС в сочетании с атомно-силовой микроскопией с использованием металлизированного зонда открыло новые возможности для анализа колебательного и электронного спектров нанокристаллов с нанометровым пространственным разрешением.

DOI: 10.15372/AUT20200508
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


9.
КВАНТОВЫЕ ВЫЧИСЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ОДИНОЧНЫХ УЛЬТРАХОЛОДНЫХ АТОМОВ В ОПТИЧЕСКИХ ЛОВУШКАХ

И.И. Рябцев1,2, К.Ю. Митянин1,2, И.И. Бетеров1,2,3,4, Д.Б. Третьяков1,2, В.М. Энтин1,2, Е.А. Якшина1,2, Н.В. Альянова1,2, И.Г. Неизвестный1,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ryabtsev@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
mityanink@gmail.com
3Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия
beterov@isp.nsc.ru
4Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: квантовая информатика, кубиты, одиночные атомы, оптические ловушки, quantum information, qubits, single atoms, optical traps
Страницы: 72-80

Аннотация >>
Представлен краткий обзор экспериментальных и теоретических исследований по применению одиночных нейтральных атомов, захваченных в массивы оптических дипольных ловушек, в качестве кубитов квантового компьютера. Обсуждаются методы загрузки, регистрации атомов в ловушках и выполнения двухкубитовых квантовых логических операций посредством диполь-дипольного взаимодействия при кратковременном лазерном возбуждении атомов в ридберговские состояния.

DOI: 10.15372/AUT20200509
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


10.
СВЕРХМИНИАТЮРНЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР

В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
haisler@isp.nsc.ru
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, экситон, биэкситон, излучатели одиночных фотонов, лазеры с вертикальным резонатором, Semiconductor quantum dots, exciton, biexciton, single photon emitters, vertical-cavity surface-emitting laser
Страницы: 81-90

Аннотация >>
Излагаются принципы работы сверхминиатюрных полупроводниковых излучателей, приводятся результаты исследований характеристик излучателей, разработанных и изготовленных в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в течение последних трёх лет. Представлены характеристики излучателей одиночных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1-xAs/AlyGa1-yAs и одномодовых лазеров с вертикальным резонатором с генерационной длиной волны 794,8 нм для миниатюрных квантовых стандартов частоты на основе Rb87.

DOI: 10.15372/AUT20200510
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


11.
СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ЯМ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ В ФЕМТОСЕКУНДНЫХ ЛАЗЕРАХ БЛИЖНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА С СУБГИГАГЕРЦОВОЙ ЧАСТОТОЙ СЛЕДОВАНИЯ ИМПУЛЬСОВ

Н.Н. Рубцова1, Г.М. Борисов1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, В.В. Преображенский1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, С.А. Кузнецов2, В.С. Пивцов2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
2Институт лазерной физики СО РАН, Новосибирск, Россия
clock@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, зеркала для пассивной синхронизации мод лазеров, quantum wells, semiconductor mirrors for passive mode-locking of lasers
Страницы: 91-97

Аннотация >>
Представлен обзор технологии дизайна и изготовления, методов и результатов исследования оптических спектров и кинетики отражения связанных квантовых ям A3B5, а также результаты применения разработанных на их основе оптических затворов для синхронизации мод фемтосекундного лазера Yb3+:KY(WO4)2 с высокой (порядка 1 ГГц) частотой следования импульсов.

DOI: 10.15372/AUT20200511
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


12.
ОТ САМООРГАНИЗАЦИИ МОНОАТОМНЫХ СТУПЕНЕЙ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ К СУБНАНОМЕТРОВОЙ МЕТРОЛОГИИ

Д.В. Щеглов, С.В. Ситников, Л.И. Федина, Д.И. Рогило, А.С. Кожухов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sheglov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, метрология, атомные ступени, террасы, атомно-силовая микроскопия, меры высоты, silicon, metrology, atomic steps, terraces, atomic force microscopy, height measures
Страницы: 98-111

Аннотация >>
Представлено, каким образом понимание фундаментальных процессов самоорганизации и морфологических перестроек на атомно-чистой поверхности Si(111), достигнутое в результате исследований методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии, может быть использовано для приложений в метрологии. Методом высокоразрешающей электронной микроскопии показано, что естественный оксид, формирующийся на поверхности Si(111) в атмосферных условиях, с большой точностью реплицирует высоту атомной ступени. На основе этого разработаны методики создания мер вертикальных размеров в диапазоне 0,31-31 нм с погрешностью во всём интервале измерений менее 0,05 нм. Продемонстрирована возможность создания экстремально широких «атомно-гладких» поверхностей (до 230 мкм) и их использования в качестве опорных зеркал в интерферометрических микроскопах. Кристаллические образцы, содержащие выверенное количество моноатомных ступеней и атомно-гладких участков поверхности, включены в состав Государственного вторичного эталона в качестве меры высоты и меры плоскостности ангстремного диапазона.

DOI: 10.15372/AUT20200512
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


13.
ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРОВ И ЭКСИТОННЫХ КОНДЕНСАТОВ

М.В. Боев1,2, Л.С. Брагинский1,3, В.М. Ковалёв1,2, Л.И. Магарилл1,3, М.М. Махмудиан1,3, М.В. Энтин1,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
maksiboev@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
vadimkovalev@isp.nsc.ru
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
brag@isp.nsc.ru
Ключевые слова: двумерный топологический изолятор, краевые состояния, низкотемпературная проводимость, экситон, конденсат Бозе-Эйнштейна, two-dimensional topological insulator, edge states, low-temperature conductivity, exciton, Bose-Einstein condensate
Страницы: 112-120

Аннотация >>
Представлен обзор работ лаборатории теоретической физики Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Обсуждаются два направления исследований: транспортные свойства двумерных экситонных систем и электронный транспорт в двумерных топологических изоляторах. Существенное внимание уделено экситонным системам в режиме бозе-эйнштейновского конденсата и теории проводимости двумерного топологического изолятора толщиной, близкой к критической, обусловленной разветвлённой сетью краевых состояний, пронизывающей образец.

DOI: 10.15372/AUT20200513
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


14.
ЭФФЕКТ ПОЛЯ И СПИН-ВЕНТИЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ТОПОЛОГИЧЕСКОМ ИЗОЛЯТОРЕ PbSnTe

А.С. Тарасов1, В.А. Голяшов1, Д.В. Ищенко1, И.О. Ахундов1, А.Э. Климов1,2, В.С. Эпов1, А.К. Кавеев3, С.П. Супрун1, В.Н. Шерстякова1, О.Е. Терещенко1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Tarasov1916@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
aek56@mail.ru
3Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
kaveev@mail.ioffe.ru
Ключевые слова: твёрдый раствор PbSnTe:In, эффект поля, спин-вентильный эффект, PbSnTe solid solution, field effect, spin valve effect
Страницы: 121-126

Аннотация >>
Исследованы характеристики структур металл-диэлектрик-проводник на основе изолирующих плёнок PbSnTe:In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей может быть вызван сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в диапазоне 15-20 К. Получены результаты по инжекции и детектированию спин-поляризованных электронов в PbSnTe:In с использованием ферромагнитных контактов Co и Co40Fe40B20. Обнаружен спин-вентильный эффект при измерении магнетосопротивления в локальной геометрии на удалении ферромагнитных контактов более 30 мкм. Методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением показано наличие поверхностного спин-поляризованного состояния с линейным законом дисперсии.

DOI: 10.15372/AUT20200514
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину