КИНЕТИКА ТРАВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) МОЛЕКУЛЯРНЫМ ПУЧКОМ СЕЛЕНА
С.А. Пономарев1,2, Д.И. Рогило1, А.С. Петров1, Д.В. Щеглов1, А.В. Латышев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sergei_pon971610@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: кремний, селен, травление, сублимация, поверхность, отражательная электронная микроскопия, silicon, selenium, etching, sublimation, surface, reflection electron microscopy
Страницы: 4-11
Аннотация
Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии выделено три режима кинетики травления поверхности Si(111) молекулярным пучком селена. В области низких температур (≲650°C в зависимости от скорости осаждения Se) кинетика травления лимитирована энергией формирования и десорбции молекул SiSe2 и поверхность полностью покрыта примесно-индуцированной фазой селенида кремния «1×1»-Se. В интервале температур ~700-1100 °C скорость травления ограничивается величиной осаждаемого потока Se и не зависит от температуры, структуры поверхности и механизма травления (ступенчато-слоевой или двумерно-островковый). При высоких температурах (≳1150 °C) наибольший вклад в поток кремния с поверхности начинает вносить сублимация атомов Si. Построена теоретическая модель, описывающая температуру и кинетику переходов между режимами травления.
DOI: 10.15372/AUT20200501 |
