Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.223.107.149
    [SESS_TIME] => 1713628228
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 1ac8ed7a7bd65eec03fbd975c93dccac
    [UNIQUE_KEY] => 2a64e7226e1c7efc1b16e00fa656a664
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЁРДОГО РАСТВОРА InAsSb: ВЛИЯНИЕ СКОРОСТИ РОСТА НА СОСТАВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЁВ

Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, М.А. Путято, И.Д. Лошкарев, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, В.В. Преображенский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
e2a@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, твёрдые растворы InAsSb, скорость роста, рентгеноструктурный анализ, molecular beam epitaxy, InAsSbsolid solutions, growth rate, X-ray structural analysis
Страницы: 58-63

Аннотация

Экспериментально исследовано влияние скорости роста (плотности потока атомов In) на состав твёрдых растворов InAsxSb1-x(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием потоков молекул As2 и Sb4. Установлено, что увеличение скорости роста при постоянном значении доли молекул As2 и Sb4 в потоке молекул группы V и неизменном отношении потока атомов индия к суммарному потоку молекул элементов группы V приводит к уменьшению доли мышьяка в твёрдом растворе. Показано, что скорость роста является самостоятельным параметром процесса молекулярно-лучевой эпитаксии, определяющим состав твёрдых растворов InAsxSb1-x. Предложен механизм формирования состава твёрдого раствора, объясняющий роль скорости роста.

DOI: 10.15372/AUT20200507
Скачать pdf-версию статьи