Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.211.24.175
    [SESS_TIME] => 1730979011
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 3daa68c015c22c9215f62e8a54fd27a0
    [UNIQUE_KEY] => daffcf69be0a07e8a5cb6529001a19a7
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

НОВЫЙ ТИП ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ pHEMT-ТРАНЗИСТОРОВ

К.С. Журавлев1, Д.Ю. Протасов1,2, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, Д.В. Гуляев1, В.Г. Лапин3, В.М. Лукашин3, А.Б. Пашковский3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
zhur@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
3Акционерное общество «НПП “Исток” им. А.И. Шокина», Фрязино Московской обл., Россия
vlapin@mailru.com
Ключевые слова: гетероструктуры pHEMT, донорно-акцепторное легирование, концентрация, подвижность, насыщенная скорость дрейфа, удельная выходная мощность, heterostructures, pHEMT, donor-acceptor doping, concentration, 2DEG mobility, saturated drift velocity, output power density
Страницы: 36-43

Аннотация

Представлен новый тип гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с энергетическими барьерами, сформированными в соседних с каналом InGaAs слоях транзистора AlGaAs, модуляционно-легированных донорами и акцепторами. Высота барьеров, связанных с потенциалом области пространственного заряда в слоях AlGaAs, достигает 0,8 эВ, что позволяет удвоить концентрацию электронов в канале, предотвратить переход горячих электронов, разогретых электрическим полем, в окружающие слои и увеличить примерно в 1,2-1,3 раза их насыщенную скорость дрейфа. В результате удельная выходная СВЧ-мощность транзистора превзошла более чем на 50 % мировой уровень.

DOI: 10.15372/AUT20200504