Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.211.24.175
    [SESS_TIME] => 1730979086
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 87d1580e653fa770e32d999f200b4de5
    [UNIQUE_KEY] => 800cf8c06d4cddd7a65312934bedccae
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

ЭФФЕКТ ПОЛЯ И СПИН-ВЕНТИЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ТОПОЛОГИЧЕСКОМ ИЗОЛЯТОРЕ PbSnTe

А.С. Тарасов1, В.А. Голяшов1, Д.В. Ищенко1, И.О. Ахундов1, А.Э. Климов1,2, В.С. Эпов1, А.К. Кавеев3, С.П. Супрун1, В.Н. Шерстякова1, О.Е. Терещенко1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
Tarasov1916@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
aek56@mail.ru
3Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
kaveev@mail.ioffe.ru
Ключевые слова: твёрдый раствор PbSnTe:In, эффект поля, спин-вентильный эффект, PbSnTe solid solution, field effect, spin valve effect
Страницы: 121-126

Аннотация

Исследованы характеристики структур металл-диэлектрик-проводник на основе изолирующих плёнок PbSnTe:In с составами вблизи инверсии зон, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что ряд их особенностей может быть вызван сегнетоэлектрическим фазовым переходом с температурой Кюри в диапазоне 15-20 К. Получены результаты по инжекции и детектированию спин-поляризованных электронов в PbSnTe:In с использованием ферромагнитных контактов Co и Co40Fe40B20. Обнаружен спин-вентильный эффект при измерении магнетосопротивления в локальной геометрии на удалении ферромагнитных контактов более 30 мкм. Методом фотоэмиссии с угловым и спиновым разрешением показано наличие поверхностного спин-поляризованного состояния с линейным законом дисперсии.

DOI: 10.15372/AUT20200514