Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.233.223.189
    [SESS_TIME] => 1711667826
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 17cf9d4588c7199d647a0cbfb3f76400
    [UNIQUE_KEY] => c20b2601331061e17e796af62f6112c0
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ НА ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНОК GdHgTe И Al2O3, ВЫРАЩЕННОГО МЕТОДОМ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

Г.Ю. Сидоров, Д.В. Горшков, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.С. Варавин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
george@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, оксид алюминия, молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-слоевое осаждение, фотодиоды, диэлектрик, пассивирующее покрытие, вольт-фарадные характеристики, структуры металл-диэлектрик-полупроводник, плотность поверхностного заряда, Mercury-cadmium telluride (MCT), alumina oxide, molecular beam epitaxy (MBE), atomic layer deposition (ALD), photodiodes, dielectric, passivation coating, voltage-capacitance characteristics (C-V), metal-insulator-semiconductor (MIS), surface charge density
Страницы: 52-57

Аннотация

Исследовано влияние различных обработок поверхности плёнок Hg1-xCdxTe (КРТ) перед нанесением диэлектрика Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на величину заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Изготовлены структуры МДП с различной обработкой поверхности перед нанесением диэлектрика. Проведены измерения вольт-фарадных характеристик структур МДП на КРТ, и определена плотность поверхностного заряда. На поверхности плёнок состава x = 0,22 с естественным окислом поверхностный заряд распределён неоднородно и составляет (0,8-1,8) 10-8 Кл/см2, что может приводить к инверсии типа проводимости на поверхности. Выдержка структур КРТ в парах ртути при комнатной температуре приводит к формированию отрицательного заряда в диапазоне -(0,4-1,6) x 10-8 Кл/см2.

DOI: 10.15372/AUT20200506