Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.219.130.41
    [SESS_TIME] => 1713524133
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => dace1049a538a3e8c377a2199f1e110b
    [UNIQUE_KEY] => 2647f819a1368e11656e965f37fb678d
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

СВЕРХМИНИАТЮРНЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР

В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
haisler@isp.nsc.ru
Ключевые слова: полупроводниковые квантовые точки, экситон, биэкситон, излучатели одиночных фотонов, лазеры с вертикальным резонатором, Semiconductor quantum dots, exciton, biexciton, single photon emitters, vertical-cavity surface-emitting laser
Страницы: 81-90

Аннотация

Излагаются принципы работы сверхминиатюрных полупроводниковых излучателей, приводятся результаты исследований характеристик излучателей, разработанных и изготовленных в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в течение последних трёх лет. Представлены характеристики излучателей одиночных фотонов на основе квантовых точек AlxIn1-xAs/AlyGa1-yAs и одномодовых лазеров с вертикальным резонатором с генерационной длиной волны 794,8 нм для миниатюрных квантовых стандартов частоты на основе Rb87.

DOI: 10.15372/AUT20200510