Главная – Журналы – Поиск по журналам

Анализируется проблема оценки уровня техногенного давления индустриальных центров на прилегающие ландшафты по ореолам загрязнения снегового покрова, дешифрируемым по космическим снимкам. Для промзоны г. Красноярска установлена корреляция между зонами загрязнения снегового покрова, выделяемым по данным съемки системой NOAA/AVHRR, с одной стороны, и наземными данными по содержанию в снеговом покрове и почве техногенной пыли и тяжелых металлов - с другой. Выделенные зоны загрязнений коррелируют с уровнем канцерогенных заболеваний.

В статье приводятся результаты анализа снеговых проб, которые отбирались в различных районах города Барнаула сразу после снегопада. В отобранных пробах определялось содержание твердой фазы, а после оттаивания в получившейся жидкой фазе определялись концентрации сульфатов и нитратов, а также рH.

В мониторинговых исследованиях (1992-1997 гг.) проведена оценка эмиссии CO₂ из пахотных почв в пару и посевах яровой пшеницы. Показана ее зависимость от гидротермических условий, а также связь между содержанием гумуса и величиной газообразных потерь углерода. Обсуждаются причины усиления эмиссии CO2 из почв в условиях техногенного загрязнения. Выявлено, что вклад непосредственно локальных техногенных выбросов CO₂ в атмосферу не столь значителен по сравнению с косвенным воздействием загрязнения на усиление эмиссии CO₂ из почв в агроэкосистемах.

Прослежена динамика состояния древостоев Pinus sylvestris L., подвергающихся воздействию фторсодержащих выбросов на протяжении нескольких десятилетий - с начала действия источника эмиссии до настоящего времени. Состояние древостоев оценивалось по комплексу показателей - накоплению токсикантов в хвое, изменению физиолого-биохимических и морфометрических параметров деревьев. На основе имеющихся данных осуществлено прогнозирование ситуации по нескольким вариантам на последующие годы.

Представлен структурный анализ энергопотребления по отраслям промышленности и отдельным типам потребителей. Исходя из прогноза развития энергетических мощностей России и мировых тенденций развития силовой электроники показано, что реализация энергосберегающих технологий с использованием средств силовой электроники позволяет получить значительную экономию электроэнергии и снизить ее дефицит. С учетом структуры потребителей по отраслям и специфики необходимых средств силовой электроники оценена предельная емкость рынка России в денежном выражении как по устройствам и системам силовой электроники, так и по применяемым в них полупроводниковым приборам.

Рассмотрены основные требования к свойствам высокоомных рабочих слоев многослойных структур, используемых при изготовлении полевых высоковольтных транзисторов, тиристоров и IGBT-приборов - наиболее распространенных типов мощных высоковольтных дискретных приборов. Экспериментально установлено, как может влиять неоднородность толщины и удельного сопротивления высокоомного рабочего слоя на параметры мощных МДП-транзисторов. Проанализирована целесообразность применения при производстве силовых приборов с U_проб > 800 В двух- и трехслойных структур, формируемых методом прямого соединения кремниевых пластин с использованием для изготовления рабочего высокоомного слоя нейтронно-легированного кремния, выращенного методом бестигельной зонной плавки (FZ-Si). Продемонстрировано, что альтернативой FZ-Si может быть кремний, выращенный методом Чохральского в магнитных полях (CZМ) с содержанием кислорода < (4-5)*10¹⁷ см^-3.

Методом Виккерса в интервале температур 20-1400 °С измерена твердость монокристаллов 6H-SiC, GaN и AlN при нагрузке 0.5-5 Н. Установлено, что при комнатной температуре средняя твердость SiC, GaN и AlN (0001) составляет 25, 11 и 18 ГПа соответственно. При повышенной температуре твердость SiC, GaN и AlN больше, чем для Si, GaAs и ZnS. Установлена высокая механическая стабильность этих полупроводников.

Пленки карбонитрида кремния синтезированы методом газофазного химического осаждения в схеме с удаленной плазмой. В качестве исходных реагентов использованы силильные производные 1,1-диметилгидразина: диметил(2,2-диметилгидразино)силан и диметил-бис-(2,2-диметилгидразино)силан. В молекулах этих мономеров содержатся связи Si-N, Si-С и C-N, необходимые для формирования карбонитрида кремния. По данным РФЭС и ИК-спектроскопии установлено, что синтезированные пленки представляют собой различные типы соединений-композитов, в которых атом кремния связан с атомами азота и углерода, либо атом азота образует химические связи с кремнием и углеродом. Пленки, синтезированные при Т < 673 K, частично гидрированы. Электронно-микроскопические исследования показали, что в аморфной матрице пленок образуются нанокристаллы размером 50-200 нм. Методом дифракции синхротронного излучения обнаружено, что возникновение кристаллов, а также их кристаллические формы не зависят от температуры подложки. Это дает основание полагать, что образование нанокристаллов может происходить в газовой фазе, либо инициироваться напряжениями в пленке, увеличивающимися по мере роста ее толщины. Пленки обладают высокой термической стабильностью вплоть до температуры 1273 K.

Cинтезированы пленки нового тройного соединения - карбонитрида кремния - плазмохимическим осаждением с использованием гексаметилдисилазана Si₂NH(CH₃)₆ в качестве исходного вещества. Для изучения их физико-химических свойств применены различные методы исследования: ИК- и КР-спектроскопия, РФЭС, эллипсометрия, электронная микроскопия, включая методы высокого разрешения (HRTEM, SAED). Усовершенствованы методы РФА с использованием синхротронного излучения для определения структуры и фазового состава тонких пленок. Установлено, что пленки карбонитрида кремния содержат нанокристаллы, распределенные в аморфной матрице, размером 2-5 нм.

Исследованы физико-химические превращения, происходящие в тонких нанокристаллических слоях карбонитрида кремния в результате термического отжига в вакууме при температуре 1173 K. Для изучения этих физико-химических превращений были применены методы ИК-, КР-спектроскопии, РФЭС, эллипсометрии и рентгеноструктурного анализа с использованием синхротронного излучения. Установлено, что высокотемпературный отжиг пленок карбонитрида кремния способствует уменьшению аморфной составляющей пленки, увеличению плотности и размеров входящих в их состав нанокристаллов.