Главная – Журналы – Поиск по журналам

Методом твердофазного синтеза получены сложнооксидные соединения с двумя и тремя сочетаниями одно-двух- и одно-двух-четырехзарядных катионов. Изучены электрофизические свойства полученных соединений на керамических таблетках по методике Веста и Таллана. Методом нелинейно-оптического фазового анализа выявлены фазовые переходы в молибдатах и вольфраматах одно-двух- и одно-четырехвалентных металлов. Показано, что по ионной проводимости тройные молибдаты можно отнести к твердым электролитам.

На примере слоистых структур, установленных для предельно насыщенного (NdS_2.00) и ненасыщенных полисульфидов (SmS_1.90, DyS_1.84, DyS_1.76), рассмотрены принципы их изменения при понижении содержания серы. Составы фаз определены с помощью метода статической мембранной тензиметрии и подтверждены химическим и структурным анализом. Полученные модели строения хорошо согласуются с экспериментальными значениями плотности, определенными для индивидуальных кристаллов. Показано, что все структуры основаны на трех типах слоев: [Ln³⁺], [S^2–], []. Структурные фрагменты представляют собой 4-слойные пакеты [Ln³⁺–S^2––S^2––Ln³⁺], состоящие из квадратных сеток лантана и серы, с преимущественно ионным характером связи, которые имеют похожее строение у всех полисульфидов независимо от состава. По мере отклонения содержания серы от соотношения S : Ln = 2 : 1 прослеживаются изменения в строении полисульфидного слоя. В случае дисульфидов этот слой состоит из пар ковалентно связанных атомов серы, а с понижением содержания серы среди этих пар появляются ионы S^2– при сохранении суммарного заряда полисульфидного слоя. Упорядоченное распределение сульфидного и полисульфидного ионов в полисульфидном слое приводит к усложнению структур и к понижению значения V/Z (объема формульной единицы).

Изложены новые представления о природе глубоких и мелких уровней в аморфном нитриде кремния (-Si₃N₄), который в виде тонких слоев широко используется в микроэлектронике и солнечной энергетике. Построена самосогласованная диаграмма электронных уровней дефектов в запрещенной зоне нитрида кремния. Предложена непротиворечивая модель, описывающая механизм записи и стирания информации в интегральных ПЗУ на основе структур металл – нитрид – оксид – полупроводник. В качестве глубоких электронных ловушек предлагается рассматривать катион-радикалы кремния, связанные в матрице -Si₃N₄с тремя атомами азота и располагающиеся на 1.6 эВ ниже дна зоны проводимости, а в качестве глубоких ловушек для дырок – анион-радикалы кремния, расположенные на 1.8 эВ выше потолка валентной зоны. При таком подходе удается устранить противоречия, существующие между результатами исследования электрофизических и парамагнитных свойств -Si₃N₄. На основе диаграммы электронных уровней и электронно-колебательных переходов, наблюдаемых в спектрах люминесценции и спектрах возбуждения люминесценции нитрида кремния, появляется возможность рассматривать механизм фотопревращений в -Si₃N₄при воздействии УФ-облучения, например явления “усталости” фотолюминесценции (снижения ее интенсивности). Выдвинута гипотеза о природе мелких электронных ловушек у дна зоны проводимости -Si₃N₄.

Рассмотрена возможность использования пленок фуллерена и соединения фуллерена с иодом в сенсорной электронике. Кратко описана технология получения пленок фуллерена методом газо-фазного осаждения. Приведены конструкция и технология изготовления резистивного сенсора на основе пленок фуллерена. Описаны экспериментальные результаты исследования зависимости сопротивления резистивного сенсора от влажности, температуры окружающей среды и давления, создаваемого откачной системой. Показано, что пленки фуллерена имеют высокую чувствительность к давлению при комнатной температуре. Приведены температурные зависимости сопротивления пленок соединения фуллерена с иодом. Показано, что интеркалирование фуллерена иодом приводит к увеличению проводимости образцов, которая носит полупроводниковый характер. Обнаружен локальный пик на зависимости сопротивления от температуры при –23^oС, который связывается с фазовым переходом первого рода.

Предложена методика количественного описания частично ориентированных парамагнитных систем. Характеризация строится на предположении о существовании одной выделенной ориентации главной оси тензоров магниторезонансных параметров с углом между направлением главной оси z и направлением нормали к плоскости подложки и случайного разброса угла относительно этого направления по закону Гаусса с полушириной . Оптимизация параметров и проводится путем моделирования теоретических спектров ЭПР по специально написанной для этой модели программе и сопоставления рассчитанных и экспериментально полученных спектров. Логика изложенного подхода была применена к ряду экспериментальных систем (Cu(aa)₂, СuCl₂ и Сu(dpm)₂ в матрице C₂F).

Рассмотрены некоторые приложения новой теории вторичной структуры кристаллов в химии твердого тела и материаловедении. Кратко даны основные положения этой теории.

Исследованы люминесцентные свойства ряда кластерных производных боранов, карборанов типа В₁₀Н₁₂[Py(X)]₂, С₂В₉Н₁₁Py(X), С₂В₉Н₁₀BrPy(X) и солей гидроборатных анионов [B₁₀H₁₃Py(X)]^–, и с катионами четвертичных пиридиниевых оснований. Исследованный ряд включает 42 соединения 12 типов. Производные декаборана(14) 6,9-В₁₀Н₁₂Py₂ и 6,9-В₁₀Н₁₂[Py(X)]₂, где Py и Py(X) – пиридин и его производные, предложены в качестве основы люминесцентных материалов для регистрации и визуализации синхротронного излучения в энергетическом интервале 10–40 эВ. Обсуждаются результаты и перспективы исследований люминесцентных свойств производных боранов.

Описаны методы синтеза кремнийорганических мономеров, содержащих карбо-функциональные ионогенные и комплексообразующие группировки, и полимеров на их основе. Синтезированные кремнийорганические полимеры изучены в качестве ионообменных и комплексообразующих сорбентов по отношению к широкому ряду благородных металлов, лантаноидов и других переходных и непереходных элементов.

Показано, что присутствие аниона декагидро-клозо-декабората в растворе красителя псевдоизоцианина иодида ((C₂₃H₂₃N₂)⁺I^–) приводит к эффективному образованию J-агрегатов на поверхности стеклянной подложки, что позволяет получить стабильные тонкопленочные образцы высокого оптического качества. Спектральные и рентгеноструктурные исследования свидетельствуют, что дианион формирует комплекс (C₂₃H₂₃N₂)⁺₂, который более эффективно образует J-агрегаты, чем ((C₂₃H₂₃N₂)⁺I^–), при этом подтверждается организующая роль аниона в создании структуры посредством близкого контакта B—HH—C. Методом спектральной эллипсометрии измерены постоянные комплексного показателя преломления пленочных образцов J-агрегатов псевдоизоцианина иодида и псевдоизоцианина, допированного анионами . Измерена дисперсия кубической восприимчивости тонких пленок J-агрегатов вблизи J-полосы поглощения. Полученные пленки обладают значительной величиной 10^–5 СГС при толщине, много меньшей длины волны света.

Исследовано доращивание природных и искусственных затравок алмаза из низкотемпературных гидротермальных водных растворов – смесей азотной, серной и уксусной кислот (20–30 %) при атмосферном давлении и температурах 38–90^оС простым методом прямого температурного перепада 10–60^оС и использовании графита как источника углерода. Показано, что наблюдается тангенциальный рост прозрачных, бесцветных, почти сплошных гладких слоев на гранях 111 и 110, в то время как ускоренный рост грани 100 происходит практически по нормальному механизму. Максимальная скорость роста затравок достигается при температурном перепаде 50^оС. Обсуждены различные стадии окислительно-восстановительного процесса трансформации графит алмаз и возможность его протекания в природе в постмагматических водных растворах.