Главная – Журналы – Поиск по журналам

Сегодня стало известно, что ни один вуз России не входит в число двухсот лучших вузов мира. Возникает недоуменный возглас: «Все. Дореформировались». Уже 20 лет подряд вузовская общественность борется с бесчинствами чиновников, с министерствами, агентствами, ведомствами, какими-то приснопамятными аппаратами от образования, упоминание о которых сегодня уже никому ничего не скажет. С трудом сейчас можно установить личности ведущих вузов страны, которые, так сказать, горячо приветствовали вступление страны в «Болонское соглашение», разъясняли необходимость «этой проклятой ЕГЭ», доказывали необходимость «совершенствования ЕГЭ», двухуровнего или трехуровнего образования, подготовки бакалавров, магистров, специалитетников, которых на производстве никто знать не хочет, поскольку там ждут специалистов. Усиленно, в централизованном порядке насаждаются какие-то кредитно-рейтинговые системы, превратившие преподавателей в своего рода бухгалтеров (сидят и считают умозрительные баллы), сочинили государственные стандарты первого, второго, третьего поколения, согласно которым кафедры должны круглый год сочинять учебные программы и т.д. В таких условиях философия образования как методология образовательной деятельности должна быть положена в основу адекватных реформаторских проектов, показывать, как реформаторские проекты должны строиться, чтобы не прерывать связи времен и связь с теми национальными традициями, которые еще не так давно задавали передовые образцы образовательной деятельности в среде мировой педагогической общественности.

Автор раскрывает основные тенденции развития образования в современном глобальном мире, выделяет общие тренды, обусловленные взаимовлиянием науки и образования, анализирует условия отставания института образования от развития науки (в представлении мира как нестабильного и неустойчивого, в ориентации на междисциплинарность, в соотношении фундаментального и прикладного знания, в оценки роли гуманитарных наук). В контексте взаимодействия науки и образования автор представляет оригинальное видение перспектив внедрения компетентностного подхода к оценке результатов образования.

На примере комбинированных методов расчета (КМР), соответствующих расчетам
в приближениях MP4/6-311+G(fd,p)//MP2/6-31G(d,p) и MP4/aug-cc-pvTZ//МР2/cc-pvDZ, рассмотрены факторы, влияющие на их точность. Расчетами полной энергии для ряда соединений показано, что точность КМР снижается при совместном применении двух-
и трехкратно валентно-расщепленных базисных наборов, а также разных методов учета электронной корреляции. Использование эмпирических поправок, учитывающих характер распределения электронов в молекуле, позволяет увеличить точность КМР. Учет указанных факторов позволяет получить КМР, для которого среднее абсолютное отклонение относительно данных расчета в приближении MP4/6-311+G(fd,p) при вычислении полной энергии составляет 1,0 кДж/моль, а наибольшее максимальное отклонение - 8,0 кДж/моль.

Проведен расчет энтальпии испарения моно- и дикарбоновых кислот различного строения при нормальных условиях с использованием модифицированного метода Рандича и энергии водородных связей. Полученные результаты показали хорошую сходимость экспериментальных и расчетных данных.

Методом газовой электронографии при температуре T = 641(5) K исследовано строение молекулы N,N′-этилен-бис(салицилальдимината)цинка(II), ZnO₂N₂C₁₆H₁₄, далее - Zn(salen). Структура газообразного комплекса Zn(salen) имеет симметрию C₂ и характеризуется существенным разворотом двух хелатных фрагментов лиганда относительно друг друга, а также большой разницей длин координационных связей r_h1(Zn-O) 1,902(7) и r_h1(Zn-N) 2,027(7) Å. Результаты расчета структуры молекулы методом DFT/B3LYP с базисными наборами 6-31G* и CEP,TZV удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Рассмотрено электронное строение молекул Ni(salen), Cu(salen), Zn(salen) и Zn(acacen).

полноэлектронный подход, реализованный в программе CRYSTAL06, а также метод псевдопотенциала в базисе псевдоатомных орбиталей использованы для исследования кристаллической структуры, упругих констант и объемных модулей, зонной структуры и плотности состояний для семейства нитридов серебра. Расчеты выполнялись в рамках теории функционала плотности с использованием локальных и градиентных функционалов для описания обмена и корреляции. Для общего типа кубической решетки все рассмотренные соединения могут быть расставлены в следующем порядке их относительной стабильности: AgN (структура каменной соли), AgN₂(флюорита), Ag₂N (куприта) и Ag₃N (анти-ReO₂). Показано, что AgN, AgN₂, Ag₂N являются металлами, а Ag₃N - полупроводником с запрещенной зоной в 0,25 эВ. Химическая связь в этих соединениях помимо металлической имеет ионную и ковалентную составляющие.

Представлены результаты квантово-химических расчетов равновесной структуры, сечений поверхности потенциальной энергии вдоль нежестких степеней свободы димеров (CF₃COOAg)₂, (CHF₂COOAg)₂, (CH₂FCOOAg)₂, (CH₃COOAg)₂ и соответствующих мономеров методом B3LYP с корреляционно-согласованным базисом cc-pVTZ для атомов C, O, F с привлечением базиса и релятивистского эффективного потенциала остова Stuttgart 1997 RSC для атомов Ag. Показано, что восьмичленный цикл во всех димерах представляет собой довольно жесткий плоский фрагмент, что в димерах между атомами Ag возможно связывание с порядком связи, равным примерно 0,2. Практически свободное вращение ациклических групп вокруг связи C-C в димерах (CH₃COOAg)₂ и (CF₃COOAg)₂ трансформируется к заторможенному вращению в димере (CHF₂COOAg)₂ и далее к существованию в димере (CH₂FCOOAg)₂ син- и анти-структур, которые разделены высоким барьером вращения. В мономерах соотношение барьеров внутреннего вращения аналогичное. Установлено, что с увеличением в димерах числа замещений атомов водорода атомами фтора в ряду ацетат-трифторацетат происходит увеличение длины связи Ag-Ag (2,79, 2,81, 2,83, 2,84 Å) с одновременным уменьшением жесткости цикла.

С использованием программ ″ПРИРОДА″ (метод riDFT, функционал BLYP, базисный набор hf.bas) и Gaussian-98 (метод HF, базисный набор 6-311G(d,p)) проведены расчеты пространственных и электронных структур ряда молекул - замещенных гермоканов с общей формулой R,R′Ge(XCH₂CH₂)₂Y (где X = C, O, S, а Y = N, O, S). С использованием метода AIM вычислены топологические характеристики дативных связей Ge-Y этих молекул. Анализ полученных данных показал, что вплоть до величин межатомных расстояний Ge-Y ~2,7 Å эти связи можно рассматривать как связи промежуточного типа. При расстояниях Ge-Y ~3,0 Å эти связи становятся ионными, так что основной вклад в связывание Ge-Y вносит кулоновское взаимодействие разноименно заряженных атомов Ge и Y.

Для газовой фазы (MP2/6-311++G**//B3LYP/6-31+G*), а также с учетом влияния растворителя в рамках континуальной модели проведено неэмпирическое квантово-химическое исследование ряда возможных взаимодействий в системе ацетилен-гидроксид калия-диметилсульфоксид (ДМСО)-метанол. Показано, что ключевыми структурами в реакции винилирования являются комплексы метоксид-иона с молекулой гидроксида щелочного металла и молекулой ацетилена. Образование этих комплексов приводит к активации молекулы ацетилена и повышению нуклеофильности метоксид-иона. В реакционной системе С₂Н₂/CH₃OH/KOH/ДМСО свободно осуществляется обмен протоном между молекулой ацетилена и анионным нуклеофилом ([OH]⁻ и [CH₃O]^-) с образованием систем с этинид-ионами, тогда как термодинамически предпочтительный процесс образования винилового спирта или метилвинилового эфира связан с барьером 20 ккал/моль.

В ангармоническом приближении рассчитаны интенсивности фундаментальных, обертонных и составных полос поглощения в области от 100 до 4000 см^-1 для ряда алканов, нитрилов, аминов и нитроалканов. Первые и вторые производные от дипольного момента молекулы вычисляли квантово-химически в ab initio приближении с использованием MP2/6-31G(1d) базиса. Было получено, что обертоны и составные частоты вносят ощутимый вклад (5-20 %) в общее поглощение. Распределение этого вклада по спектру зависит от строения молекулы. Для нитрилов и аминов имеется значительное по величине поглощение обертонов и составных частот в тех же областях, в которых лежат характерные для этих соединений фундаментальные полосы поглощения.