|
|
|
Array
(
[SESS_AUTH] => Array
(
[POLICY] => Array
(
[SESSION_TIMEOUT] => 24
[SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
[MAX_STORE_NUM] => 10
[STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
[STORE_TIMEOUT] => 525600
[CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
[PASSWORD_LENGTH] => 6
[PASSWORD_UPPERCASE] => N
[PASSWORD_LOWERCASE] => N
[PASSWORD_DIGITS] => N
[PASSWORD_PUNCTUATION] => N
[LOGIN_ATTEMPTS] => 0
[PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
)
)
[SESS_IP] => 3.149.231.122
[SESS_TIME] => 1732177925
[BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
[fixed_session_id] => 51cce328a13f592f3b666afcac02556d
[UNIQUE_KEY] => a1749b3cd8ea590731b989a5a6690ce2
[BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
(
[LOGIN] =>
[POLICY_ATTEMPTS] => 0
)
)
2011 год, номер 5
|
Е. В. Спесивцев1, С. В. Рыхлицкий1, В. А. Швец2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
evs@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru, shvets@isp.nsc.ru
Ключевые слова: эллипсометрическая аппаратура, спектральная эллипсометрия, тонкие плёнки, быстропротекающие процессы
Страницы: 5-12
Аннотация >>
Рассматривается современное состояние разработок эллипсометрических методов и аппаратных средств, проводимых в Институте физики полупроводников СО РАН. Представлена оригинальная статическая схема эллипсометрических измерений, на базе которой создан ряд приборов различного функционального назначения: спектральные и лазерные эллипсометры, а также эллипсометры для проведения локальных измерений. Возможности эллипсометрической аппаратуры иллюстрируются результатами исследований различных объектов и быстропротекающих процессов. Показано, что с помощью эллипсометров статического типа можно проводить полный эксперимент, определяя все параметры частично деполяризованного света.
|
|
В. А. Швец1, Н. Н. Михайлов2, С. А. Дворецкий2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shvets@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, гетероструктуры, ИК-фотоприёмники, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 13-24
Аннотация >>
Представлен ретроспективный анализ проблемы выращивания многослойных и варизонных структур на основе КРТ методом МЛЭ с эллипсометрическим контролем, а также методические разработки в области эллипсометрии неоднородных структур. Проведены расчёты и получено решение прямой и обратной задач для ряда практически важных случаев. Экспериментально продемонстрирована высокая точность определения толщины и состава слоёв при выращивании гетероструктур нанометрового диапазона толщин. В ряде случаев для повышения точности решения обратной задачи в расчётах предложено использовать относительную производную эллипсометрических параметров, измеренных в процессе выращивания структуры. Это позволило определять профили оптических постоянных градиентных по составу структур. Проведены теоретические расчёты для периодических слоистых структур и экспериментально показана возможность их контролируемого создания.
|
|
В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, И. И. Рябцев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
haisler@thermo.isp.nsc.ru, derebezov@thermo.isp.nsc.ru, toropov@thermo.isp.nsc.ru, ryabtsev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: лазер с вертикальным резонатором, миниатюрный атомный стандарт частоты, излучатель одиночных фотонов
Страницы: 25-31
Аннотация >>
Представлен краткий обзор результатов разработки двух типов полупроводниковых излучателей на основе полупроводниковых брэгговских микрорезонаторов. Первый тип излучателя - это лазер с вертикальным резонатором на основе AlxGa1 - xAs. Лазер демонстрирует устойчивый одномодовый режим генерации на длине волны 795 нм, что открывает перспективы его использования в миниатюрных атомных стандартах частоты на основе Rb87. Второй тип - излучатель одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек. Разработана конструкция такого излучателя на базе полупроводникового брэгговского микрорезонатора, обеспечивающая высокий уровень внешней квантовой эффективности излучателя (до 80 %) и высокое быстродействие за счёт эффекта Пурселла.
|
|
А. Э. Климов, В. Н. Шумский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
klimov@thermo.isp.nsc.ru, shumsky@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: центры захвата, PbSnTe:In, инжекция из контактов
Страницы: 35-42
Аннотация >>
Обобщены результаты экспериментальных работ, в которых приводятся данные о влиянии центров захвата электронов на свойства Pb1 - x SnxTe: In с x ≈ 0,24-0,29 при температурах ниже 20 К. Рассмотрена модель, непротиворечиво объясняющая особенности ряда явлений в твёрдых растворах Pb1 - xSnxTe: In: вольт-амперные характеристики без освещения, являющиеся результатом инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом при захвате электронов на ловушки, распределённые по энергии в запрещённой зоне; фотоэлектрические явления в инфракрасной и терагерцовой областях спектра; особенности гальваномагнитных явлений; флуктуации тока, включая его автоколебания без и при наличии освещения.
|
|
Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
e2a@nsc/ru, fdf@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, vap@isp.nsc.ru, pch@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, молекулярная форма мышьяка, короткопериодные сверхрешётки, ИК-фотоприёмники, дифракция быстрых электронов на отражение, ДБЭО
Страницы: 43-51
Аннотация >>
Методом дифракции быстрых электронов на отражение исследовано взаимодействие поверхности GaSb(001) с потоками молекул As2, As4 и Sb4. Показано, что молекулы As2 взаимодействуют с поверхностью GaSb преимущественно по механизму замещения, а молекулы As4 - по вакансионному механизму. Установлено, что для воспроизводимого формирования гетерограниц типа In - Sb в сверхрешётках InAs/GaSb необходимо использовать поток молекул As4, а не As2.
|
|
А. Х. Антоненко1, В. А. Володин1, М. Д. Ефремов1, П. С. Зазуля2, Г. Н. Камаев1, Д. В. Марин1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
antuan@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, efremov@isp.nsc.ru, zazulya_ps@ngs.ru, kamaev@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, плазменное окисление, окись кремния, эллипсометрия, атомно-эмиссионная спектроскопия
Страницы: 52-58
Аннотация >>
Методами спектральной эллипсометрии и атомно-эмиссионной спектроскопии исследовались процессы плазменного оксидирования поверхности кремния в реакторе с индуктивным возбуждением плазмы. Представлены результаты влияния инертных газов на кинетику формирования ультратонких плёнок SiO2. Обнаружен эффект интенсивного окисления Si в плазме, образованной номинально чистым гелием. Предложено объяснение данного эффекта на основе представления о фотостимулированном ускорении скорости реакции на границе раздела кремний - окисел собственным оптическим излучением гелиевой плазмы.
|
|
С. Н. Свиташева1, Г. А. Поздняков2, Ю. В. Щеглов1, Д. В. Настаушев1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича Сибирского отделения РАН
Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru, georg@itam.nsc.ru, nast@thermo.isp.nsc.ru, Sheglov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, атомно-силовая микроскопия, плёнки алмазоподобного углерода, МГД-ускоритель плазмы
Страницы: 59-66
Аннотация >>
Показана возможность применения нового метода синтеза плёнок в сверхзвуковом потоке плазмы углеводородов, генерируемом дисковым магнитогидродинамическим ускорителем. Для характеризации плёнок алмазоподобного углерода использовались два метода: неразрушающий метод спектральной эллипсометрии и метод атомно-силовой микроскопии.
|
|
В. В. Власов1, А. Н. Синяков1, Д. В. Пышный1, С. В. Рыхлицкий2, В. Н. Кручинин2, Е. В. Спесивцев2, И. А. Пышная1, Е. В. Костина1, Е. В. Дмитриенко1, В. П. Бессмельцев3
1 Учреждение Российской академии наук Институт химической биологии и фундаментальной медицины Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
3 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН
sinyakov@niboch.nsc.ru, pyshnyi@niboch.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru, kruch@isp.nsc.ru, evs@isp.nsc.ru, bessmelt@iae.nsk.su
Ключевые слова: эллипсометрия, биочипы, label-free диагностика, олигонуклеотиды, белки
Страницы: 67-77
Аннотация >>
Методом высокоразрешающей сканирующей эллипсометрии проведён анализ поверхности биочипов, приготовленных на основе пластин кремния для исследования реакций предварительно иммобилизованных олигонуклеотидов и белковых молекул. Проведена детекция гибридизационных взаимодействий нуклеиновых кислот (образование дуплекса при реакции ампликона гена матриксного белка вируса гриппа А с молекулами-зондами), сорбции белковых молекул и белок-белковых взаимодействий на поверхности биочипов. Показано, что предварительная сорбция наночастиц золота приводит к повышению эффективности иммобилизации молекул белков на биочипе. На основе полученных в работе экспериментальных данных сделан вывод о том, что эллипсометрия представляет собой высокочувст-вительный, неразрушающий, недорогой label-free метод детекции поверхности биочипов, удобный для количественного анализа реакций биомолекул.
|
|
Д. О. Кузнецов, Е. Г. Тишковский, Д. М. Леган
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
diokuz@thermo.isp.nsc.ru, tish@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: предельный КПД, солнечный элемент, гетероструктуры GaAs на Si
Страницы: 78-81
Аннотация >>
Методами численного моделирования в диффузионно-дрейфовом приближении рассчитан КПД трёхконтактного солнечного элемента на основе структуры GaAs на Si. Получены зависимости КПД от толщины слоя GaAs и плотности прорастающих в этом слое дислокаций, известным образом влияющих на время жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что предельный КПД (27 %) такой структуры достигается при толщине слоя GaAs порядка 1,4 мкм и плотности прорастающих дислокаций менее 106 см-2.
|
|
С. Н. Свиташева, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, нитриды тройных соединений, полярность, молекулярно-лучевая эпитаксия, гетероструктуры
Страницы: 82-87
Аннотация >>
Исследованы оптические свойства Ga- и N-полярных тройных соединений нитридов AlxGa1 - xN с мольным содержанием алюминия от 0 до 0,6 неразрушающим бесконтактным методом спектральной эллипсометрии. Установлены корреляционные зависимости сдвига края фундаментального поглощения и поведения действительной и мнимой частей псевдодиэлектрической функции от состава x и полярности слоёв AlxGa1 - xN. Подтверждается, что полярность слоёв, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, задавалась при формировании зародышевого слоя AlN.
|
|
Е. А. Михантьев1, И. Г. Неизвестный2, С. В. Усенков2, Н. Л. Шварц2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный технический университет» Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
mikhantiev@gmail.com, neizv@isp.nsc.ru, simsonic@ya.ru, nataly.shwartz@gmail.com
Ключевые слова: нанокластеры кремния, моделирование, метод Монте-Карло
Страницы: 88-97
Аннотация >>
Рассмотрен механизм формирования нанокластеров кремния в слоях нестехиометрического состава с помощью моделирования методом Монте-Карло. Интерес к кремниевым нанокластерам (Si-нк), покрытым окисной оболочкой, обусловлен их применением в современной опто- и наноэлектронике. Предложена решёточная модель Монте-Карло для изучения атомарных процессов в системе Si-SiO2. Исследован процесс формирования нанокластеров кремния при отжиге одиночных SiO-слоёв и слоистых структур SiO2-SiO-SiO2. В модели наряду с диффузионными перемещениями частиц учитываются процессы образования и распада подвижных молекул моноокиси кремния. Показано, что учёт переноса кремния при высокотемпературных отжигах за счёт перемещения SiO ускоряет процесс формирования Si-нк. Получены зависимости размеров нанокластеров от температуры, длительности отжигов и состава SiOx-слоя. Выявлено, что при отжиге плёнок диоксида кремния, содержащих слои нестехиометрического состава, может происходить либо формирование нанокластеров кремния, либо образование полостей.
|
|
В. М. Базовкин, И. В. Мжельский, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
bazovkin@isp.nsc.ru, Mzhelskii_ivan@list.ru, kur@isp.nsc.ru, pvg@isp.nsc.ru
Ключевые слова: инфракрасный микроскоп, сканирующая система, программное обеспечение, фотоприёмное устройство
Страницы: 98-102
Аннотация >>
Рассматриваются технические параметры и возможные применения инфракрасного сканирующего микроскопа с пространственным разрешением до 3 мкм. Показано, что прибор работает как с матричным, так и с линейчатым типами фотоприёмных устройств. Создано оригинальное программное обеспечение для персонального компьютера, позволяющее интерактивно управлять процессом сканирования, получать и обрабатывать
изображения объектов в инфракрасном диапазоне.
|
|
Г. Л. Курышев, И. В. Мжельский, А. Е. Настовьяк, В. Г. Половинкин
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
kur@isp.nsc.ru, Mzhelskii_ivan@list.ru, nae@isp.nsc.ru, pvg@isp.nsc.ru
Страницы: 103-108
Аннотация >>
Работа инфракрасного фотоприёмного устройства (ФПУ) в составе ИК-микроскопа имеет ряд особенностей, не позволяющих применить известные для тепловизионного прибора методы калибровки. Предлагается дифференциальный метод калибровки, дающий возможность учесть как нелинейность передаточной характеристики узла чтения ФПУ и электронного тракта, так и влияние изменения потока фонового излучения.
|
|
М. А. Демьяненко1, Д. Г. Есаев1, И. В. Марчишин1, В. Н. Овсюк1, Б. И. Фомин1, Б. А. Князев2, В. В. Герасимов2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
dem_yanenko@thermo.isp.nsc.ru, esaev@thermo.isp.nsc.ru, march@thermo.isp.nsc.ru, acelle@isp.nsc.ru, fomin@thermo.isp.nsc.ru, knyazev@inp.nsk.su
Ключевые слова: неохлаждаемый микроболометр, оксид ванадия, терагерцовое излучение, поляризация, чувствительность, микроантенна, лазер на свободных электронах
Страницы: 109-113
Аннотация >>
Приведены результаты анализа механизма возникновения чувствительности матричных микроболометрических приёмников на основе оксида ванадия к терагерцовому излучению. Представлены экспериментальные данные исследований возможностей повышения в несколько раз чувствительности микроболометрических приёмников в терагерцовом диапазоне путём использования дополнительного тонкого металлического поглощающего слоя, наносимого на мембрану микроболометра. Обнаружена поляризационная зависимость чувствительности микроболометров в терагерцовом и дальнем инфракрасном спектральных диапазонах. Показано, что чувствительность микроболометров в терагерцовом диапазоне обусловлена поглощением излучения в узких металлических шинах, нанесённых на опорные ножки микроболометров и выполняющих роль омического контакта между термочувствительным слоем и схемой обработки.
|
|
М. И. Воевода1, С. Е. Пельтек1, М. В. Кручинина2, С. А. Курилович2, В. Н. Кручинин3, С. В. Рыхлицкий3, К. П. Могильников3
1 Учреждение Российской академии наук Институт цитологии и генетики Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт терапии Сибирского отделения РАМН
3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
voevoda@iimed.ru, peltek@bionet.nsc.ru, kruchmargo@yandex.ru, kurilovich@yandex.ru, vladd50@mail.ru, rhl@isp.nsc.ru, mogkonst@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: эллипсометрия, сыворотка крови, патология внутренних органов, поверхностный плазмонный резонанс
Страницы: 114-121
Аннотация >>
Методом спектральной эллипсометрии проведено исследование тонких плёнок, полученных центрифугированием сыворотки крови здоровых людей и пациентов с диффузной патологией печени с разной степенью фиброза. Обнаружено, что физические свойства плёнок зависят от биоорганического состава сыворотки крови, который, в свою очередь, определяется патологическими процессами, протекающими при различной степени фиброза печени. Получены корреляции биохимических параметров сыворотки крови и эллипсометрических показателей. Проведены пилотные эллипсометрические эксперименты по исследованию сывороток крови в условиях наблюдения поверхностного плазмонного резонанса у пациентов с опухолями кишечника. Выявлено наличие стойкого специфического взаимодействия между антигенами сывороток крови пациентов и моноклональными антителами СД24, которое приводит к изменению положения поверхностного плазмонного резонанса. Показано, что эллипсометрия представляет собой высокочувствительный, неразрушающий, экономичный экспресс-метод скрининга, предварительной диагностики стадий заболевания пациентов с патологией внутренних органов.
|
|
В. Я. Костюченко1, Д. В. Комбаров1, Д. Ю. Протасов2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Сибирская государственная геодезическая академия»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
v.y.kostuk@ssga.ru, astrogator@list.ru, protasov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационно-диффузионные параметры, плёнки и плёночные структуры узкозонных полупроводников
Страницы: 122-129
Аннотация >>
Описан автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных и методических средств, созданный для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах кадмий-ртуть-теллур p-типа, толщина которых сравнима с длиной диффузии неосновных носителей заряда. Комплекс включает в себя следующие методы: эффект Холла и магнитосопротивление, фотомагнитный эффект, фотопроводимость в магнитном поле для геометрий Фарадея и Фойгта. Определены такие параметры, как равновесная концентрация, подвижность основных и неосновных носителей заряда (дырок и электронов соответственно), времена жизни электронов и дырок в объёме, скорости поверхностной рекомбинации на свободной и связанной с подложкой границах раздела плёнки.
|
|
