Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.99.243
    [SESS_TIME] => 1620979176
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => d0dee46c36efe2ed03f5754e84da8929
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => eab4f352d005ef7a1027d2bebce0b84c
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ОПТИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ В ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН

Е. В. Спесивцев1, С. В. Рыхлицкий1, В. А. Швец2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
evs@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru, shvets@isp.nsc.ru
Ключевые слова: эллипсометрическая аппаратура, спектральная эллипсометрия, тонкие плёнки, быстропротекающие процессы
Страницы: 5-12

Аннотация

Рассматривается современное состояние разработок эллипсометрических методов и аппаратных средств, проводимых в Институте физики полупроводников СО РАН. Представлена оригинальная статическая схема эллипсометрических измерений, на базе которой создан ряд приборов различного функционального назначения: спектральные и лазерные эллипсометры, а также эллипсометры для проведения локальных измерений. Возможности эллипсометрической аппаратуры иллюстрируются результатами исследований различных объектов и быстропротекающих процессов. Показано, что с помощью эллипсометров статического типа можно проводить полный эксперимент, определяя все параметры частично деполяризованного света.