Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.99.243
    [SESS_TIME] => 1620975422
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => af37cf926ee78b60bd14fd10ab9d03a3
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 3b4f1b0cffd796bb13974a54328c3007
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ЗАВИСИМОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЁНОК AlxGa1 - xN ОТ СОСТАВА И ПОЛЯРНОСТИ ПОВЕРХНОСТИ

С. Н. Свиташева, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, нитриды тройных соединений, полярность, молекулярно-лучевая эпитаксия, гетероструктуры
Страницы: 82-87

Аннотация

Исследованы оптические свойства Ga- и N-полярных тройных соединений нитридов AlxGa1 - xN с мольным содержанием алюминия от 0 до 0,6 неразрушающим бесконтактным методом спектральной эллипсометрии. Установлены корреляционные зависимости сдвига края фундаментального поглощения и поведения действительной и мнимой частей псевдодиэлектрической функции от состава x и полярности слоёв AlxGa1 - xN. Подтверждается, что полярность слоёв, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, задавалась при формировании зародышевого слоя AlN.