Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.239.56.184
    [SESS_TIME] => 1621289015
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e9660085f7affd89898573c884b8c035
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => f47326c89708af6130cb1d0321351efd
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ КИСЛОРОДА С ДОБАВКАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

А. Х. Антоненко1, В. А. Володин1, М. Д. Ефремов1, П. С. Зазуля2, Г. Н. Камаев1, Д. В. Марин1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
antuan@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, efremov@isp.nsc.ru, zazulya_ps@ngs.ru, kamaev@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, плазменное окисление, окись кремния, эллипсометрия, атомно-эмиссионная спектроскопия
Страницы: 52-58

Аннотация

Методами спектральной эллипсометрии и атомно-эмиссионной спектроскопии исследовались процессы плазменного оксидирования поверхности кремния в реакторе с индуктивным возбуждением плазмы. Представлены результаты влияния инертных газов на кинетику формирования ультратонких плёнок SiO2. Обнаружен эффект интенсивного окисления Si в плазме, образованной номинально чистым гелием. Предложено объяснение данного эффекта на основе представления о фотостимулированном ускорении скорости реакции на границе раздела кремний - окисел собственным оптическим излучением гелиевой плазмы.