Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.238.99.243
    [SESS_TIME] => 1620975695
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 8bc41bb60923c0ce3c1ea63731ded11c
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => d8765eb2f8b696aee620392e049f5c07
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ВЫРАЩИВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР HgCdTe ПРИ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОМ КОНТРОЛЕ in situ

В. А. Швец1, Н. Н. Михайлов2, С. А. Дворецкий2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shvets@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, гетероструктуры, ИК-фотоприёмники, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 13-24

Аннотация

Представлен ретроспективный анализ проблемы выращивания многослойных и варизонных структур на основе КРТ методом МЛЭ с эллипсометрическим контролем, а также методические разработки в области эллипсометрии неоднородных структур. Проведены расчёты и получено решение прямой и обратной задач для ряда практически важных случаев. Экспериментально продемонстрирована высокая точность определения толщины и состава слоёв при выращивании гетероструктур нанометрового диапазона толщин. В ряде случаев для повышения точности решения обратной задачи в расчётах предложено использовать относительную производную эллипсометрических параметров, измеренных в процессе выращивания структуры. Это позволило определять профили оптических постоянных градиентных по составу структур. Проведены теоретические расчёты для периодических слоистых структур и экспериментально показана возможность их контролируемого создания.