Исследовали флору лишайников южной подтайги (Тарский район Омской области). Материалами послужили сборы автора и студентов педагогического университета в течение летнего периода 1973–1974 и 1996–2000 гг. Определено 137 видов из 44 родов и 21 семейства.
Подведены некоторые итоги исследования лихенофлоры Национального природного парка (НПП) “Усть-Вилюйский”, охватывающего лево- и правобережье р. Лены в северной части Центральной Якутии. К настоящему времени флора лишайников района исследования насчитывает 135 видов из 43 родов 16 семейств, относящихся к пяти порядкам. Лихенофлора характеризуется как бореальная с участием горных видов. На территории НПП “Усть-Вилюйский” обнаружено 20 редких видов лишайников для флоры Якутии и два вида, внесенных в Красную книгу РС(Я).
Исследовали лишайники гидроморфных ландшафтов южно-таежной подзоны Томской области. Определено 276 видов из 69 родов, 32 семейств и 10 порядков. Вид Usnea silvatica Mot. является новым для Сибири.
Несмотря на равнинность территории, районы юго-востока Томской области характеризуются большим разнообразием растительных сообществ, неотъемлемым компонентом которых являются лишайники. Изучение лихенофлоры некоторых лесных и болотных фитоценозов дало возможность выяснить распределение лишайников в этих растительных сообществах.
Изучены синузии напочвенных лишайников восточной части Восточного Саяна в районе среднего течения р. Хойто-Гол. Приведена лихенологическая характеристика основных типов растительных сообществ. Построена классификационная схема напочвенных лишайниковых синузий, включающая 9 унионов и 42 социетета. Дана характеристика синузий.
Методом рентгеноэлектронной спектроскопии проведено исследование интеркалированных соединений фторированного графита состава CxF yR. Показано, что в отличие от таких молекул гостей, как C6H6, C6F6, C3H6O, GeCl4, SO2, которые взаимодействуют с фторграфитовой матрицей посредством ван-дер-ваальсовых сил, при внедрении молекул пиридина происходит химическое взаимодействие с матрицей с образованием в межслоевых пространствах продуктов фторирования. Это приводит к дефторированию самой матрицы и увеличению отношения C/F. На основании полученных данных предположено образование катионов N-фторпиридиния.
Ж. Г. Базарова, С. И. Архинчеева, И. С. Батуева, Б. Г. Базаров, Ю. Л. Тушинова, С. Т. Базарова, К. Н. Федоров
Байкальский институт природопользования СО РАН, ул. Сахьяновой, 6, Улан-Удэ 670047 (Россия)
Методом твердофазного синтеза получены сложнооксидные соединения с двумя и тремя сочетаниями одно-двух- и одно-двух-четырехзарядных катионов. Изучены электрофизические свойства полученных соединений на керамических таблетках по методике Веста и Таллана. Методом нелинейно-оптического фазового анализа выявлены фазовые переходы в молибдатах и вольфраматах одно-двух- и одно-четырехвалентных металлов. Показано, что по ионной проводимости тройные молибдаты можно отнести к твердым электролитам.
С. В. Белая, Н. В. Подберезская, Н. В. Первухина, С. А. Магарилл, И. Г. Васильева, С. В. Борисов
Институт неорганической химии СО РАН, пр-т Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия)
На примере слоистых структур, установленных для предельно насыщенного (NdS2.00) и ненасыщенных полисульфидов (SmS1.90, DyS1.84, DyS1.76), рассмотрены принципы их изменения при понижении содержания серы. Составы фаз определены с помощью метода статической мембранной тензиметрии и подтверждены химическим и структурным анализом. Полученные модели строения хорошо согласуются с экспериментальными значениями плотности, определенными для индивидуальных кристаллов. Показано, что все структуры основаны на трех типах слоев: [Ln3+], [S2], []. Структурные фрагменты представляют собой 4-слойные пакеты [Ln3+S2S2Ln3+], состоящие из квадратных сеток лантана и серы, с преимущественно ионным характером связи, которые имеют похожее строение у всех полисульфидов независимо от состава. По мере отклонения содержания серы от соотношения S : Ln = 2 : 1 прослеживаются изменения в строении полисульфидного слоя. В случае дисульфидов этот слой состоит из пар ковалентно связанных атомов серы, а с понижением содержания серы среди этих пар появляются ионы S2 при сохранении суммарного заряда полисульфидного слоя. Упорядоченное распределение сульфидного и полисульфидного ионов в полисульфидном слое приводит к усложнению структур и к понижению значения V/Z (объема формульной единицы).
Изложены новые представления о природе глубоких и мелких уровней в аморфном нитриде кремния (-Si3N4), который в виде тонких слоев широко используется в микроэлектронике и солнечной энергетике. Построена самосогласованная диаграмма электронных уровней дефектов в запрещенной зоне нитрида кремния. Предложена непротиворечивая модель, описывающая механизм записи и стирания информации в интегральных ПЗУ на основе структур металл нитрид оксид полупроводник. В качестве глубоких электронных ловушек предлагается рассматривать катион-радикалы кремния, связанные в матрице -Si3N4с тремя атомами азота и располагающиеся на 1.6 эВ ниже дна зоны проводимости, а в качестве глубоких ловушек для дырок анион-радикалы кремния, расположенные на 1.8 эВ выше потолка валентной зоны. При таком подходе удается устранить противоречия, существующие между результатами исследования электрофизических и парамагнитных свойств -Si3N4. На основе диаграммы электронных уровней и электронно-колебательных переходов, наблюдаемых в спектрах люминесценции и спектрах возбуждения люминесценции нитрида кремния, появляется возможность рассматривать механизм фотопревращений в -Si3N4при воздействии УФ-облучения, например явления “усталости” фотолюминесценции (снижения ее интенсивности). Выдвинута гипотеза о природе мелких электронных ловушек у дна зоны проводимости -Si3N4.
А. С. Бердинский*, Ю. В. Шевцов, А. В. Окотруб, С. В. Трубин, L. T. Chadderton**, D. Fink#, J. H. Lee@
*Новосибирский государственный технический университет, пр-т К. Маркса, 20, Новосибирск 630092 (Россия) Институт неорганической химии СО РАН, пр-т Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия) *Australian National University, GPO Box 4, Canberra, ACT 2601 (Australia) (#Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Str. 100, Berlin D-14109 (Germany) @University of Ulsan, P. O. Box 18, Ulsan, Kyungnam, 680-749 (Korea)
Рассмотрена возможность использования пленок фуллерена и соединения фуллерена с иодом в сенсорной электронике. Кратко описана технология получения пленок фуллерена методом газо-фазного осаждения. Приведены конструкция и технология изготовления резистивного сенсора на основе пленок фуллерена. Описаны экспериментальные результаты исследования зависимости сопротивления резистивного сенсора от влажности, температуры окружающей среды и давления, создаваемого откачной системой. Показано, что пленки фуллерена имеют высокую чувствительность к давлению при комнатной температуре. Приведены температурные зависимости сопротивления пленок соединения фуллерена с иодом. Показано, что интеркалирование фуллерена иодом приводит к увеличению проводимости образцов, которая носит полупроводниковый характер. Обнаружен локальный пик на зависимости сопротивления от температуры при –23oС, который связывается с фазовым переходом первого рода.