Теоретически рассмотрено и экспериментально подтверждено существование стационарной волны горения в пористой реагирующей среде химических источников чистых газов при теплообмене исходного вещества с газообразными продуктами реакции. Отмечено, что температура горения в этом случае превышает адиабатическую температуру сгорания вещества. Проанализированы возможные механизмы горения.
На основе рассмотрения четырех ведущих процессов химической кинетики в стационарно реагирующей горючей смеси CS2 + 02 при учете ее стехиометрического состава получено выражение, дающее близкие к экспериментальным зависимости скорости распространения ламинарного пламени от температуры и давления смеси.
Скорость распространения пламени w вдоль поверхности плоского или цилиндрического образца полимера зависит от угла наклона ω образца к горизонтали [1](в [1] приведена также подробная библиография). Согласно [1], повышение w по мере роста ω связано с возрастанием вклада естественной конвекции в теплопередачу от факела пламени к свежему полимеру.
Выполнены оценки скоростного охлаждения для различных режимов теплоотвода от поверхности СВС-образца. На примере системы титан — углерод проведено численное исследование гашения фронта горения. Рассчитаны зависимости скорости охлаждения от температуры в различных зонах волны горения.
Рассмотрены процессы горения стехиометрических смесей ниобия с углеродом при замене части сажи на активирующую добавку – фторопласт. Показано, что в присутствии незначительных количеств (0,1–1,0 % по массе) фторопласта смеси приобретают способность гореть без использования каких-либо дополнительных приемов.
Исследованы механизм и режимы горения смеси Si—С—(—C2F4—)n. Приведены экспериментальные кривые зависимости параметров волны горения смеси от соотношения исходных компонентов, давления инертной среды, температуры источника зажигания, диаметра образцов. Показано, что в зависимости от перечисленных параметров процесс может протекать в двух стационарных режимах: низкотемпературном, когда идет образование только фторидов кремния, и высокотемпературном, когда последовательно образуются фториды и карбиды кремния.
На основании экспериментальных данных о температурах поджигания потока индивидуальной закиси азота при р = 0,3 ÷ 4,1 МПа с использованием критериального уравнения теории зажигания Я. Б. Зельдовича рассчитаны порядок реакции и параметры уравнения Аррениуса брутто-процесса термического распада N20. Для р = 0,7 МПа отмечено хорошее соответствие установленных значений параметров с рекомендуемыми в литературе. Более низкие значение эффективной энергии активации, полученные для меньших давлений N20, авторы объясняют гетерогенно-каталитическим влиянием поверхности.
В настоящее время для исследования конденсированных продуктов сгорания энергетических установок ракетно-космических комплексов (РКК) применяются контактные и бесконтактные (в частности, оптические) методы диагностики. У всех методов имеются известные достоинства и недостатки. Отметим, что подавляющее количество значимых результатов измерений характеристик дисперсной фазы в истории исследования высокотемпературных продуктов сгорания РКК получено с помощью контактных методов диагностики.
Предложен приближенный метод расчета затухания УВ в каналах с проницаемыми стенками. Метод основан на предположении, что скорость УВ зависит от проницаемости стенок, гидравлического диаметра канала, начальной скорости УВ и пройденного расстояния. Результаты удовлетворительно согласуются с имеющимися экспериментальными данными.
Описан метод определения параметров УВ (волновой и массовой скорости) в гетерогенных ВВ. На примере исследования процесса возбуждения взрыва (детонации) октогенового взрывчатого состава слабыми УВ показана принципиальная возможность надежно измерять скорость инициирующей УВ, глубину возникновения детонации и продолжительность преддетонационной фазы, а также характер изменения скорости УВ при ее распространении по исследуемому образцу.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
