Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.192.38.49
    [SESS_TIME] => 1675016917
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => e470ddef9d9b3a99529e96e130e8257d
    [UNIQUE_KEY] => 46ab66d61adf7098fb09e33fba40db53
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2022 год, номер 6

1.
ФЕРРОМАГНЕТИЗМ САМОУПОРЯДОЧЕННЫХ НАНОСТЕРЖНЕЙ alpha-FeSi2 НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-4° ОТ 2 ДО 300 К

Н.Г. Галкин1, Д.Л. Горошко1, И.А. Ткаченко1,2, К.Н. Галкин1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
galkin@iacp.dvo.ru
2Институт химии ДВО РАН, Владивосток, Россия
tkachenko@ich.dvo.ru
Ключевые слова: вицинальная поверхность кремния, мультислои, самоупорядоченный рост, дисилицид железа, наностержни, петли перемагничивания, мягкий ферромагнетик
Страницы: 4-11

Аннотация >>
Рассматривается возникновение магнитных свойств в нанообъектах немагнитных веществ на основе кремния и переходного металла (железа). Установлено, что при осаждении железа с покрытием 5,22 монослоя в сверхвысоком вакууме на вицинальную поверхность кремния Si(111)-4 с последующим отжигом при температуре 630С формируется система наностержней α-FeSi2 со средней высотой 6,6 нм и длинами от 50 до 200 нм. В наностержнях обнаружено возникновение мягких ферромагнитных петель с коэрцитивной силой от 90 Э до 180 Э, сохраняющихся до температуры 300 К. Установлено, что ось лёгкого намагничивания расположена перпендикулярно наностержням, а ось трудного намагничивания параллельна им. Данный вид нанообъектов перспективен для создания приборов спинтроники в рамках планарной кремниевой технологии.

DOI: 10.15372/AUT20220601
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


2.
ПЕРЕНОС ТОНКИХ ПЛЁНОК КРЕМНИЯ С SiO2 И HfO2 НА С-САПФИР: ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ПОДЛОЖКИ НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИОКСИДА ГАФНИЯ

В.А. Антонов1, В.П. Попов1, С.М. Тарков1, А.В. Мяконьких2, А.А. Ломов2, К.В. Руденко2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ava@isp.nsc.ru
2Физико-технологический институт им. К. А. Валиева РАН, Москва, Россия
amiakonkikh@gmail.com
Ключевые слова: водородный перенос, кремний-на-сапфире, диоксид гафния, межслойные механические напряжения, сегнетоэлектричество
Страницы: 12-20

Аннотация >>
Проведены структурные, электрофизические и оптические исследования подложек кремний-на-сапфире с нанослоями кремния и диоксида гафния в зависимости от толщины подложки. Показано, что наведённое в результате термообработок таких структур двухосное напряжение растяжения в промежуточном слое HfO2 из-за большой разницы в коэффициентах теплового расширения между слоями кремния, сапфира и диоксида гафния стимулирует гистерезис тока в канале КНС-псевдо-МОП-транзистора. Выявлено, что уменьшение механического напряжения в диоксиде гафния приводит к увеличению коэрцитивного поля и сегнетоэлектрического переключения при слабых полях в нанослоях диоксида гафния.

DOI: 10.15372/AUT20220602
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


3.
ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ СЛОИСТОГО SnSe2 НА ПОВЕРХНОСТЯХ Si(111) и Bi2Se3(0001)

С.А. Пономарев1,2, К.Е. Захожев1,2, Д.И. Рогило1, Н.Н. Курусь1, Д.В. Щеглов1, А.Г. Милехин1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sergei_pon971610@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
k.zakhozhev@g.nsu.ru
Ключевые слова: ван-дер-ваальсовая эпитаксия, кремний, селен, халькогениды металлов, BiSe, поверхность, SnSe
Страницы: 21-27

Аннотация >>
С использованием метода in situ отражательной электронной микроскопии выращены плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si(111) и Bi2Se3(0001) соответственно. Рост плёнок в обоих случаях проходил по многослойному механизму с формированием выраженных холмов. Высота атомных ступеней измерена методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) и составила 0,6 нм, что соответствует толщине слоя SnSe2. Ex situ АСМ-изображение поверхности SnSe2, выращенное на подложке Si(111), показало высокую концентрацию винтовых дислокаций в плёнке (∼12 мкм-2) и присутствие доменов с треугольной огранкой ступеней, имеющих два типа ориентации относительно подложки. Обнаружено, что рост плёнки SnSe2 на поверхности (0001) монокристалла Bi2Se3 происходит с формированием одинаково ориентированных относительно подложки холмов с шестиугольной огранкой. Холмы образовывались по многослойному механизму как в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций, так и за счёт периодичного зарождения 2D -островков на наивысших террасах, размеры которых достигают 1 мкм. Методом комбинационного рассеяния света показано, что плёнки на обеих подложках имеют спектры, характерные для фазы 1T-SnSe2.

DOI: 10.15372/AUT20220603
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


4.
ОСОБЕННОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В МНОЖЕСТВЕННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ GeSiSn/Si

В.А. Тимофеев1, В.И. Машанов1, А.И. Никифоров1, И.В. Скворцов1, И.Д. Лошкарев1, Д.В. Коляда2, Д.Д. Фирсов2, О.С. Комков2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
vyacheslav.t@isp.nsc.ru
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
kolyada.dima94@mail.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кремний, германий, олово, твёрдый раствор, множественные квантовые ямы, зонная диаграмма, фотолюминесценция
Страницы: 28-36

Аннотация >>
Получена межзонная фотолюминесценция (ФЛ) структур с множественными квантовыми ямами (МКЯ) с различным содержанием Ge и Sn. Положение пика на спектрах ФЛ, полученных от МКЯ Ge0,93 xSixSn0,07/Si, смещается в длинноволновую область с увеличением содержания Ge в твёрдом растворе и наблюдается в диапазоне энергий 0,85-0,68 эВ для содержания германия от 30 до 78 %. Таким образом, смещение пика по длине волны наблюдалось от 1,46 до 1,82 мкм, а общий спектральный диапазон люминесценции МКЯ, перекрываемый данными структурами, составлял 1,3-2,1 мкм. Ещё более существенного смещения пика ФЛ МКЯ в длинноволновую область удалось добиться за счёт повышения содержания олова. Увеличение доли Sn от 7 до 14 % при неизменной доле Ge 30 % привело к смещению пика от 0,85 до 0,75 эВ. Одновременное повышение содержания как олова, так и германия в твёрдом растворе (до 14 и 79 % соответственно) позволило получить пик ФЛ с энергией 0,58 эВ, что соответствует длине волны излучения 2,14 мкм. Обнаружен резкий «красный» сдвиг положения пика ФЛ при увеличении температуры, величина которого составляла до 50 мэВ при изменении температуры нагрева образца с 11 до 60-80 К. Столь существенная величина сдвига положения пика ФЛ МКЯ объяснена в рамках модели, предполагающей, что при малых температурах носители заряда случайным образом локализованы на пространственных неоднородностях МКЯ, а при повышении температуры происходит их перераспределение и переход к термодинамически равновесному состоянию с наименьшей энергией.

DOI: 10.15372/AUT20220604
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


5.
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ, СВЯЗАННЫХ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ

Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 37-41

Аннотация >>
Кинетика сигналов отражения наноструктур, состоящих из одинакового количества квантовых ям одинакового состава InxGa1-xAs (x = 0, 32) с барьерами из GaAs толщиной в 2, 4, 6 и 8 монослоёв, выращенных на полупроводниковом отражателе в одинаковых условиях, исследована методом накачки-зондирования. Обнаружена тенденция к укорочению времени релаксации для более тонких барьеров. Обсуждаются перспективы дальнейших исследований и практического применения квантовых ям, связанных туннелированием носителей заряда.

DOI: 10.15372/AUT20220605
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


6.
НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИЕ ГЕРМАНОСИЛИКАТНЫЕ ПЛЁНКИ НА КРЕМНИИ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: МЕМРИСТОРЫ И ДРУГИЕ ПРИМЕНЕНИЯ

В.А. Володин1,2, F. Zhang2, И.Д. Юшков1,2, L. Yin2, Г.Н. Камаев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
840003068@qq.com
Ключевые слова: нестехиометрические германосиликатные плёнки, аморфные нанокластеры, структуры металл-диэлектрик-полупроводник, мемристоры, вольт-амперные характеристики, фототок
Страницы: 42-53

Аннотация >>
Проведён анализ структуры исходных плёнок нестехиометрических германосиликатных стёкол и трансформации их структуры при отжигах с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии. Показано, что структура плёнок стабильна до температуры 350 C, а при отжигах от 400C в них формируются кластеры аморфного германия. На базе этих плёнок изготовлены структуры металл-диэлектрик-полупроводник и продемонстрированы перспективы их использования в мемристорах и фотодетекторах.

DOI: 10.15372/AUT20220606
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


7.
МЕТОД БЫСТРОЙ ИДЕНТИФИКАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ОРИЕНТАЦИИ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ

С.М. Пещерова1, Е.А. Осипова2, А.Г. Чуешова1, С.С. Колесников2, М.Ю. Рыбьяков1, А.А. Кузнецов2, В.Л. Аршинский2
1Институт геохимии им. А. П. Виноградова СО РАН, Иркутск, Россия
spescherova@mail.ru
2Иркутский национальный исследовательский технический университет, Иркутск, Россия
osipovaelizaveta@yandex.ru
Ключевые слова: мультикристаллический кремний, параметры ориентации зёрен, нейронные сети, машинное обучение, алгоритм SiView, дифракция обратнорассеянных электронов
Страницы: 54-63

Аннотация >>
В данной работе продемонстрировано, что цифровые технологии могут быть успешно применены для анализа изображений и прогнозирования свойств функциональных материалов на примере нового метода быстрой идентификации параметров кристаллографической ориентации мультикристаллического кремния. Предлагаемый метод основывается на технологиях машинного обучения. Анализ текстурированных пластин мультикристаллического кремния осуществляется с помощью оригинального алгоритма кластеризации монокристаллических зёрен, а идентификация параметров кристаллографической ориентации производится посредством модели нейронной сети. Принцип идентификации базируется на корреляции контраста отображения макроструктуры, связанного с отражательными особенностями зёрен и параметрами их ориентации. Архитектура нейронной сети - многослойный персептрон - выбрана с учётом ограничений по количеству входных данных. Однако в совокупности с алгоритмом оптимальное количество обучающих данных удовлетворяет требованиям процесса обучения нейронной сети и обеспечивает высокую эффективность идентификации параметров ориентации на сканированных изображениях текстурированных пластин мультикристаллического кремния.

DOI: 10.15372/AUT20220607
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


8.
АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ КРИВОЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ КРЕМНИЕВОГО НАНОСАНДВИЧА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

В.В. Романов1, В.А. Кожевников1, Ю.П. Яшин1, Н.Т. Баграев1,2, Н.И. Руль1,2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
romanov@phmf.spbstu.ru
2Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
bagraev@spbstu.ru
Ключевые слова: эффект де Гааза-ван Альфена, кремниевая наносандвич-структура, отрицательная корреляционная энергия, плотность состояний, эффективная масса носителя, уровни Ландау, численное моделирование, суперкомпьютер
Страницы: 64-70

Аннотация >>
Полевая зависимость намагниченности кремниевого наносандвича, наблюдаемая при комнатной температуре, демонстрирует весьма сложный характер, сформированный в основном вкладом квантового магнитного эффекта, который интерпретирован как эффект де Гааза - ван Альфена при целочисленных и дробных факторах заполнения. На основе ранее найденной двумерной плотности носителей вычислены критические поля для соответствующих факторов заполнения. Проведено моделирование осцилляций де Гааза - ван Альфена при высокой температуре (T = 300 K) по заданному распределению энергетической плотности состояний кремниевого наносандвича в окрестностях уровней Ландау путём вычислительной процедуры, реализованной на суперкомпьютере. Принята во внимание ранее обнаруженная нами зависимость эффективной массы носителей от напряжённости внешнего магнитного поля.

DOI: 10.15372/AUT20220608
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


9.
ФОРМИРОВАНИЕ КАПЕЛЬ ЗОЛОТА И ИХ ДВИЖЕНИЕ ПО ПОВЕРХНОСТИ Si(111): МОДЕЛИРОВАНИЕ МОНТЕ-КАРЛО

С.В. Кудрич1, А.А. Спирина2, Н.Л. Шварц1,2
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
snegkyd@mail.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
spirina.anna.alex@gmail.com
Ключевые слова: золото, Si(100), Si(111), моделирование, метод Монте-Карло
Страницы: 71-78

Аннотация >>
Представленная работа посвящена моделированию Монте-Карло движения капель расплава Au-Si по вицинальной поверхности Si(111) при осаждении золота на подложку из кремния. Рассмотрено поведение капель на поверхностях Si с ориентациями (100) и (111). Выяснено, что направленное движение капель Au-Si на вицинальной поверхности Si(111) обусловлено асимметрией латеральной границы раздела капля - подложка. Причиной асимметрии латеральной границы раздела на вицинальной поверхности Si(111) являются ступени. Движение капли происходит за счёт растворения кремниевой подложки в стремлении достичь равновесной концентрации расплава Au-Si в объёме капли. Проанализирована кинетика движения капель расплава Au-Si по поверхности кремния.

DOI: 10.15372/AUT20220609
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


10.
СТРУКТУРЫ PtSi/ПОЛИ-Si ДЛЯ ИК-ПРИЁМНИКОВ: ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И РАЗРАБОТКА МЕТОДА ИЗГОТОВЛЕНИЯ

К.В. Чиж, Л.В. Арапкина, В.П. Дубков, Д.Б. Ставровский, В.А. Юрьев, М.С. Сторожевых
Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия
k_chizh@mail.ru
Ключевые слова: кремний, тонкие плёнки, силицид платины, ИК-спектроскопия
Страницы: 79-89

Аннотация >>
Один из перспективных подходов к решению задачи производства недорогих матричных фотоприёмных устройств заключается в разработке диодных матриц на основе структур с барьерами Шоттки PtSi/поли-Si, производимых по стандартным КМОП-процессам. При создании таких структур возникает ряд задач, решению которых посвящена данная работа. На этапе формирования слоёв Si/Si3N4 методом инфракрасной Фурье-спектроскопии обнаружена и исследована диффузия атомов водорода из плёнки Si3N4 в плёнку кремния при комнатной температуре. При исследовании формирования слоёв PtSi/поли-Si было установлено, что при магнетронном напылении платины на поверхности поли-Si образуется интерфейсная плёнка, состоящая из силицидов Pt3Si и Pt2Si, а при нагреве структуры Pt/(Pt3Si+Pt2Si)/поли-Si до ∼300C в течение 30 мин происходит переход фазы Pt3Si в фазу Pt2Si; далее с повышением температуры начинает образовываться соединение PtSi, а при температуре 480C все силициды полностью переходят в фазу PtSi.

DOI: 10.15372/AUT20220610
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


11.
ВЛИЯНИЕ ПОКРЫТИЙ, СОДЕРЖАЩИХ ИОНЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С ПОРИСТЫМ КРЕМНИЕМ

Н.В. Латухина, Д.А. Нестеров, Н.А. Полуэктова, Д.А. Шишкина, Д.А. Услин
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва, Самара, Россия
natalat@yandex.ru
Ключевые слова: пористый кремний, солнечные элементы, редкоземельные элементы, вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, спектры фоточувствительности, рентгеновское излучение
Страницы: 90-97

Аннотация >>
Исследовано влияние покрытий, содержащих ионы диспрозия или эрбия, на свойства фоточувствительных структур на основе пористого кремния. Измерены вольт-амперные, вольт-фарадные и спектральные характеристики структур с p-n-переходом и плёнками фторида эрбия или диспрозия, а также структуры с оксидным слоем сложного состава, содержащего ионы эрбия. Изучалось влияние рентгеновского излучения с энергией кванта 6,9 КэВ на фотоэлектрические свойства структур с пористым слоем и покрытием из фторида эрбия. Показано заметное влияние покрытия на характеристики структур.

DOI: 10.15372/AUT20220611
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


12.
ИК-ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЁННОГО ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНЫМИ ИОНАМИ Хе, ПОСЛЕ ОТЖИГОВ

С.Г. Черкова1, В.А. Володин1,2, В.А. Скуратов3,4,5, M. Stoffel6, H. Rinnert6, M. Vergnat6
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
cherkova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
3Объединённый институт ядерных исследований, Дубна Московской обл., Россия
skuratov@jinr.ru
4Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5Государственный университет "Дубна", Дубна Московской обл., Россия
6Universite de Lorraine, CNRS, IJL, Nancy, France
mathieu.stoffel@univ-lorraine.fr
Ключевые слова: фотолюминесценция, быстрые тяжёлые ионы, дефекты в кремнии
Страницы: 98-107

Аннотация >>
Исследована фотолюминесценция высокоомного кремния, облучённого тяжёлыми высокоэнергетичными ионами ксенона (167 МэВ). В спектрах фотолюминесценции при низких температурах, помимо известных линий X, W, W′ и C, проявляется широкая полоса в области 1,3-1,5 мкм. С увеличением дозы облучения в диапазоне 5 · 1010 · 1013 см-2 наблюдается снижение интенсивности и сужение полосы фотолюминесценции с одновременным смещением максимума в длинноволновую область. При последующих отжигах при температурах 400, 500, и 600 C наблюдается изменение спектров фотолюминесценции, связанное с трансформацией структуры дефектов в кремнии. Исследована температурная зависимость фотолюминесценции в диапазоне от 10 до 170 K для образцов после облучения различными дозами и отжигов.

DOI: 10.15372/AUT20220612
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


13.
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ ЭКСПОНИРОВАННЫХ ПОЗИТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТОВ ОТ УСЛОВИЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ

П.Е. Коношенко1,2, С.Л. Микерин1, В.П. Корольков1
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
konoshenko.polina@mail.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Ключевые слова: показатель преломления, фоторезист, термообработка, экспонирование
Страницы: 108-121

Аннотация >>
Знание показателя преломления фоторезиста полезно для ряда прикладных задач контроля технологических процессов микроэлектроники, а также для экспериментального исследования характеристик прототипируемых дифракционных и микрооптических структур с глубоким микрорельефом. Поскольку этот оптический параметр зависит от условий обработки фоторезиста, то спектральные зависимости, предоставляемые иногда производителями, могут быть недостаточны. Приведены результаты исследований по определению зависимости показателя преломления позитивных фоторезистов S1818 G2 (MICROPOSIT) и ФП-3535 (ФРАСТ-М) в диапазоне длин волн 500-1600 нм от условий режима предварительной термообработки длительностью в интервале 15-30 мин и экспонирования актиничным излучением. Представлен режим обработки исследуемых фоторезистов для получения показателя преломления в пределах 1,61-1,64 в видимом и 1,59-1,61 в инфракрасном диапазонах спектра излучения. Обнаружена аномальная зона дисперсии в диапазоне длин волн 570-640 нм в плёнках окрашенного фоторезиста S1818 G2, часто используемого в экспериментальном исследовании характеристик при прототипировании дифракционных оптических элементов. Зависимости показателя преломления российского фоторезиста ФП-3535 получены впервые.

DOI: 10.15372/AUT20220613
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину