Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.142.96.146
    [SESS_TIME] => 1714131215
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 436a22e92716bc29097346ff885b3a31
    [UNIQUE_KEY] => 1e59a41d966e0f34172e0ba5874d75ca
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2022 год, номер 6

АНАЛИЗ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ КРИВОЙ НАМАГНИЧЕННОСТИ КРЕМНИЕВОГО НАНОСАНДВИЧА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЧИСЛЕННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

В.В. Романов1, В.А. Кожевников1, Ю.П. Яшин1, Н.Т. Баграев1,2, Н.И. Руль1,2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
romanov@phmf.spbstu.ru
2Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
bagraev@spbstu.ru
Ключевые слова: эффект де Гааза-ван Альфена, кремниевая наносандвич-структура, отрицательная корреляционная энергия, плотность состояний, эффективная масса носителя, уровни Ландау, численное моделирование, суперкомпьютер
Страницы: 64-70

Аннотация

Полевая зависимость намагниченности кремниевого наносандвича, наблюдаемая при комнатной температуре, демонстрирует весьма сложный характер, сформированный в основном вкладом квантового магнитного эффекта, который интерпретирован как эффект де Гааза - ван Альфена при целочисленных и дробных факторах заполнения. На основе ранее найденной двумерной плотности носителей вычислены критические поля для соответствующих факторов заполнения. Проведено моделирование осцилляций де Гааза - ван Альфена при высокой температуре (T = 300 K) по заданному распределению энергетической плотности состояний кремниевого наносандвича в окрестностях уровней Ландау путём вычислительной процедуры, реализованной на суперкомпьютере. Принята во внимание ранее обнаруженная нами зависимость эффективной массы носителей от напряжённости внешнего магнитного поля.

DOI: 10.15372/AUT20220608
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину