Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика 

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.217.220.114
    [SESS_TIME] => 1714043582
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 7f2b82c2448bedbf5e2d5a8e621c898a
    [UNIQUE_KEY] => 7534124c18c4be2fdbb381816a710012
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2022 год, номер 6

ПЕРЕНОС ТОНКИХ ПЛЁНОК КРЕМНИЯ С SiO2 И HfO2 НА С-САПФИР: ВЛИЯНИЕ ТОЛЩИНЫ ПОДЛОЖКИ НА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ДИОКСИДА ГАФНИЯ

В.А. Антонов1, В.П. Попов1, С.М. Тарков1, А.В. Мяконьких2, А.А. Ломов2, К.В. Руденко2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
ava@isp.nsc.ru
2Физико-технологический институт им. К. А. Валиева РАН, Москва, Россия
amiakonkikh@gmail.com
Ключевые слова: водородный перенос, кремний-на-сапфире, диоксид гафния, межслойные механические напряжения, сегнетоэлектричество
Страницы: 12-20

Аннотация

Проведены структурные, электрофизические и оптические исследования подложек кремний-на-сапфире с нанослоями кремния и диоксида гафния в зависимости от толщины подложки. Показано, что наведённое в результате термообработок таких структур двухосное напряжение растяжения в промежуточном слое HfO2 из-за большой разницы в коэффициентах теплового расширения между слоями кремния, сапфира и диоксида гафния стимулирует гистерезис тока в канале КНС-псевдо-МОП-транзистора. Выявлено, что уменьшение механического напряжения в диоксиде гафния приводит к увеличению коэрцитивного поля и сегнетоэлектрического переключения при слабых полях в нанослоях диоксида гафния.

DOI: 10.15372/AUT20220602
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину