ВАН-ДЕР-ВААЛЬСОВЫЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ СЛОИСТОГО SnSe2 НА ПОВЕРХНОСТЯХ Si(111) и Bi2Se3(0001)
С.А. Пономарев1,2, К.Е. Захожев1,2, Д.И. Рогило1, Н.Н. Курусь1, Д.В. Щеглов1, А.Г. Милехин1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sergei_pon971610@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
k.zakhozhev@g.nsu.ru
Ключевые слова: ван-дер-ваальсовая эпитаксия, кремний, селен, халькогениды металлов, BiSe, поверхность, SnSe
Страницы: 21-27
Аннотация
С использованием метода in situ отражательной электронной микроскопии выращены плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si(111) и Bi2Se3(0001) соответственно. Рост плёнок в обоих случаях проходил по многослойному механизму с формированием выраженных холмов. Высота атомных ступеней измерена методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) и составила 0,6 нм, что соответствует толщине слоя SnSe2. Ex situ АСМ-изображение поверхности SnSe2, выращенное на подложке Si(111), показало высокую концентрацию винтовых дислокаций в плёнке (∼12 мкм-2) и присутствие доменов с треугольной огранкой ступеней, имеющих два типа ориентации относительно подложки. Обнаружено, что рост плёнки SnSe2 на поверхности (0001) монокристалла Bi2Se3 происходит с формированием одинаково ориентированных относительно подложки холмов с шестиугольной огранкой. Холмы образовывались по многослойному механизму как в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций, так и за счёт периодичного зарождения 2D -островков на наивысших террасах, размеры которых достигают 1 мкм. Методом комбинационного рассеяния света показано, что плёнки на обеих подложках имеют спектры, характерные для фазы 1T-SnSe2.
DOI: 10.15372/AUT20220603 |
