Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Rambler's Top100

Rambler's Top100

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

1.
РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ОПТИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ В ИНСТИТУТЕ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН

Е. В. Спесивцев1, С. В. Рыхлицкий1, В. А. Швец2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
evs@isp.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru, shvets@isp.nsc.ru
Ключевые слова: эллипсометрическая аппаратура, спектральная эллипсометрия, тонкие плёнки, быстропротекающие процессы
Страницы: 5-12

Аннотация >>
Рассматривается современное состояние разработок эллипсометрических методов и аппаратных средств, проводимых в Институте физики полупроводников СО РАН. Представлена оригинальная статическая схема эллипсометрических измерений, на базе которой создан ряд приборов различного функционального назначения: спектральные и лазерные эллипсометры, а также эллипсометры для проведения локальных измерений. Возможности эллипсометрической аппаратуры иллюстрируются результатами исследований различных объектов и быстропротекающих процессов. Показано, что с помощью эллипсометров статического типа можно проводить полный эксперимент, определяя все параметры частично деполяризованного света.


2.
ВЫРАЩИВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР HgCdTe ПРИ ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКОМ КОНТРОЛЕ in situ

В. А. Швец1, Н. Н. Михайлов2, С. А. Дворецкий2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shvets@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, кадмий-ртуть-теллур, гетероструктуры, ИК-фотоприёмники, эллипсометрия, технологический контроль
Страницы: 13-24

Аннотация >>
Представлен ретроспективный анализ проблемы выращивания многослойных и варизонных структур на основе КРТ методом МЛЭ с эллипсометрическим контролем, а также методические разработки в области эллипсометрии неоднородных структур. Проведены расчёты и получено решение прямой и обратной задач для ряда практически важных случаев. Экспериментально продемонстрирована высокая точность определения толщины и состава слоёв при выращивании гетероструктур нанометрового диапазона толщин. В ряде случаев для повышения точности решения обратной задачи в расчётах предложено использовать относительную производную эллипсометрических параметров, измеренных в процессе выращивания структуры. Это позволило определять профили оптических постоянных градиентных по составу структур. Проведены теоретические расчёты для периодических слоистых структур и экспериментально показана возможность их контролируемого создания.


3.
ИЗЛУЧАТЕЛИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БРЭГГОВСКИХ МИКРОРЕЗОНАТОРОВ

В. А. Гайслер, И. А. Деребезов, А. И. Торопов, И. И. Рябцев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
haisler@thermo.isp.nsc.ru, derebezov@thermo.isp.nsc.ru, toropov@thermo.isp.nsc.ru, ryabtsev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: лазер с вертикальным резонатором, миниатюрный атомный стандарт частоты, излучатель одиночных фотонов
Страницы: 25-31

Аннотация >>
Представлен краткий обзор результатов разработки двух типов полупроводниковых излучателей на основе полупроводниковых брэгговских микрорезонаторов. Первый тип излучателя - это лазер с вертикальным резонатором на основе AlxGa1 - xAs. Лазер демонстрирует устойчивый одномодовый режим генерации на длине волны 795 нм, что открывает перспективы его использования в миниатюрных атомных стандартах частоты на основе Rb87. Второй тип - излучатель одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек. Разработана конструкция такого излучателя на базе полупроводникового брэгговского микрорезонатора, обеспечивающая высокий уровень внешней квантовой эффективности излучателя (до 80 %) и высокое быстродействие за счёт эффекта Пурселла.


4.
ВЛИЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЗАХВАТА ЭЛЕКТРОНОВ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА PbSnTe:In

А. Э. Климов, В. Н. Шумский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
klimov@thermo.isp.nsc.ru, shumsky@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: центры захвата, PbSnTe:In, инжекция из контактов
Страницы: 35-42

Аннотация >>
Обобщены результаты экспериментальных работ, в которых приводятся данные о влиянии центров захвата электронов на свойства Pb1 - x SnxTe: In с x ≈ 0,24-0,29 при температурах ниже 20 К. Рассмотрена модель, непротиворечиво объясняющая особенности ряда явлений в твёрдых растворах Pb1 - xSnxTe: In: вольт-амперные характеристики без освещения, являющиеся результатом инжекции из контактов и ограничения тока пространственным зарядом при захвате электронов на ловушки, распределённые по энергии в запрещённой зоне; фотоэлектрические явления в инфракрасной и терагерцовой областях спектра; особенности гальваномагнитных явлений; флуктуации тока, включая его автоколебания без и при наличии освещения.


5.
ФОРМИРОВАНИЕ НАПРЯЖЁННЫХ КОРОТКОПЕРИОДНЫХ СВЕРХРЕШЁТОК InAs/GaSb ВТОРОГО ТИПА ДЛЯ ФОТОПРИЁМНИКОВ ИК-ДИАПАЗОНА МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
e2a@nsc/ru, fdf@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, vap@isp.nsc.ru, pch@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, молекулярная форма мышьяка, короткопериодные сверхрешётки, ИК-фотоприёмники, дифракция быстрых электронов на отражение, ДБЭО
Страницы: 43-51

Аннотация >>
Методом дифракции быстрых электронов на отражение исследовано взаимодействие поверхности GaSb(001) с потоками молекул As2, As4 и Sb4. Показано, что молекулы As2 взаимодействуют с поверхностью GaSb преимущественно по механизму замещения, а молекулы As4 - по вакансионному механизму. Установлено, что для воспроизводимого формирования гетерограниц типа In - Sb в сверхрешётках InAs/GaSb необходимо использовать поток молекул As4, а не As2.


6.
ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ КИСЛОРОДА С ДОБАВКАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

А. Х. Антоненко1, В. А. Володин1, М. Д. Ефремов1, П. С. Зазуля2, Г. Н. Камаев1, Д. В. Марин1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
antuan@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, efremov@isp.nsc.ru, zazulya_ps@ngs.ru, kamaev@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, плазменное окисление, окись кремния, эллипсометрия, атомно-эмиссионная спектроскопия
Страницы: 52-58

Аннотация >>
Методами спектральной эллипсометрии и атомно-эмиссионной спектроскопии исследовались процессы плазменного оксидирования поверхности кремния в реакторе с индуктивным возбуждением плазмы. Представлены результаты влияния инертных газов на кинетику формирования ультратонких плёнок SiO2. Обнаружен эффект интенсивного окисления Si в плазме, образованной номинально чистым гелием. Предложено объяснение данного эффекта на основе представления о фотостимулированном ускорении скорости реакции на границе раздела кремний - окисел собственным оптическим излучением гелиевой плазмы.


7.
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МОРФОЛОГИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЁНОК, ПОЛУЧЕННЫХ В СВЕРХЗВУКОВОМ ПОТОКЕ УГЛЕВОДОРОДНОЙ ПЛАЗМЫ

С. Н. Свиташева1, Г. А. Поздняков2, Ю. В. Щеглов1, Д. В. Настаушев1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича Сибирского отделения РАН
Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru, georg@itam.nsc.ru, nast@thermo.isp.nsc.ru, Sheglov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, атомно-силовая микроскопия, плёнки алмазоподобного углерода, МГД-ускоритель плазмы
Страницы: 59-66

Аннотация >>
Показана возможность применения нового метода синтеза плёнок в сверхзвуковом потоке плазмы углеводородов, генерируемом дисковым магнитогидродинамическим ускорителем. Для характеризации плёнок алмазоподобного углерода использовались два метода: неразрушающий метод спектральной эллипсометрии и метод атомно-силовой микроскопии.


8.
ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ МОНИТОРИНГ В МИКРОЧИПОВЫХ LABEL-FREE БИОТЕХНОЛОГИЯХ

В. В. Власов1, А. Н. Синяков1, Д. В. Пышный1, С. В. Рыхлицкий2, В. Н. Кручинин2, Е. В. Спесивцев2, И. А. Пышная1, Е. В. Костина1, Е. В. Дмитриенко1, В. П. Бессмельцев3
1 Учреждение Российской академии наук Институт химической биологии и фундаментальной медицины Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
3 Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН
sinyakov@niboch.nsc.ru, pyshnyi@niboch.nsc.ru, rhl@isp.nsc.ru, kruch@isp.nsc.ru, evs@isp.nsc.ru, bessmelt@iae.nsk.su
Ключевые слова: эллипсометрия, биочипы, label-free диагностика, олигонуклеотиды, белки
Страницы: 67-77

Аннотация >>
Методом высокоразрешающей сканирующей эллипсометрии проведён анализ поверхности биочипов, приготовленных на основе пластин кремния для исследования реакций предварительно иммобилизованных олигонуклеотидов и белковых молекул. Проведена детекция гибридизационных взаимодействий нуклеиновых кислот (образование дуплекса при реакции ампликона гена матриксного белка вируса гриппа А с молекулами-зондами), сорбции белковых молекул и белок-белковых взаимодействий на поверхности биочипов. Показано, что предварительная сорбция наночастиц золота приводит к повышению эффективности иммобилизации молекул белков на биочипе. На основе полученных в работе экспериментальных данных сделан вывод о том, что эллипсометрия представляет собой высокочувст-вительный, неразрушающий, недорогой label-free метод детекции поверхности биочипов, удобный для количественного анализа реакций биомолекул.


9.
ОЦЕНКА ПРЕДЕЛЬНОГО КПД ТРЁХКОНТАКТНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaAs НА Si

Д. О. Кузнецов, Е. Г. Тишковский, Д. М. Леган
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
diokuz@thermo.isp.nsc.ru, tish@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: предельный КПД, солнечный элемент, гетероструктуры GaAs на Si
Страницы: 78-81

Аннотация >>
Методами численного моделирования в диффузионно-дрейфовом приближении рассчитан КПД трёхконтактного солнечного элемента на основе структуры GaAs на Si. Получены зависимости КПД от толщины слоя GaAs и плотности прорастающих в этом слое дислокаций, известным образом влияющих на время жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что предельный КПД (27 %) такой структуры достигается при толщине слоя GaAs порядка 1,4 мкм и плотности прорастающих дислокаций менее 106 см-2.


10.
ЗАВИСИМОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЁНОК AlxGa1 - xN ОТ СОСТАВА И ПОЛЯРНОСТИ ПОВЕРХНОСТИ

С. Н. Свиташева, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: спектральная эллипсометрия, нитриды тройных соединений, полярность, молекулярно-лучевая эпитаксия, гетероструктуры
Страницы: 82-87

Аннотация >>
Исследованы оптические свойства Ga- и N-полярных тройных соединений нитридов AlxGa1 - xN с мольным содержанием алюминия от 0 до 0,6 неразрушающим бесконтактным методом спектральной эллипсометрии. Установлены корреляционные зависимости сдвига края фундаментального поглощения и поведения действительной и мнимой частей псевдодиэлектрической функции от состава x и полярности слоёв AlxGa1 - xN. Подтверждается, что полярность слоёв, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, задавалась при формировании зародышевого слоя AlN.


11.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ ПРИ ОТЖИГЕ SiOx-СЛОЁВ

Е. А. Михантьев1, И. Г. Неизвестный2, С. В. Усенков2, Н. Л. Шварц2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный технический университет» Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
mikhantiev@gmail.com, neizv@isp.nsc.ru, simsonic@ya.ru, nataly.shwartz@gmail.com
Ключевые слова: нанокластеры кремния, моделирование, метод Монте-Карло
Страницы: 88-97

Аннотация >>
Рассмотрен механизм формирования нанокластеров кремния в слоях нестехиометрического состава с помощью моделирования методом Монте-Карло. Интерес к кремниевым нанокластерам (Si-нк), покрытым окисной оболочкой, обусловлен их применением в современной опто- и наноэлектронике. Предложена решёточная модель Монте-Карло для изучения атомарных процессов в системе Si-SiO2. Исследован процесс формирования нанокластеров кремния при отжиге одиночных SiO-слоёв и слоистых структур SiO2-SiO-SiO2. В модели наряду с диффузионными перемещениями частиц учитываются процессы образования и распада подвижных молекул моноокиси кремния. Показано, что учёт переноса кремния при высокотемпературных отжигах за счёт перемещения SiO ускоряет процесс формирования Si-нк. Получены зависимости размеров нанокластеров от температуры, длительности отжигов и состава SiOx-слоя. Выявлено, что при отжиге плёнок диоксида кремния, содержащих слои нестехиометрического состава, может происходить либо формирование нанокластеров кремния, либо образование полостей.


12.
ИНФРАКРАСНЫЙ СКАНИРУЮЩИЙ МИКРОСКОП С ВЫСОКИМ ПРОСТРАНСТВЕННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ

В. М. Базовкин, И. В. Мжельский, Г. Л. Курышев, В. Г. Половинкин
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
bazovkin@isp.nsc.ru, Mzhelskii_ivan@list.ru, kur@isp.nsc.ru, pvg@isp.nsc.ru
Ключевые слова: инфракрасный микроскоп, сканирующая система, программное обеспечение, фотоприёмное устройство
Страницы: 98-102

Аннотация >>
Рассматриваются технические параметры и возможные применения инфракрасного сканирующего микроскопа с пространственным разрешением до 3 мкм. Показано, что прибор работает как с матричным, так и с линейчатым типами фотоприёмных устройств. Создано оригинальное программное обеспечение для персонального компьютера, позволяющее интерактивно управлять процессом сканирования, получать и обрабатывать
изображения объектов в инфракрасном диапазоне.


13.
КАЛИБРОВКА ФОТОПРИЁМНОГО УСТРОЙСТВА В СОСТАВЕ ИК-МИКРОСКОПА

Г. Л. Курышев, И. В. Мжельский, А. Е. Настовьяк, В. Г. Половинкин
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
kur@isp.nsc.ru, Mzhelskii_ivan@list.ru, nae@isp.nsc.ru, pvg@isp.nsc.ru
Страницы: 103-108

Аннотация >>
Работа инфракрасного фотоприёмного устройства (ФПУ) в составе ИК-микроскопа имеет ряд особенностей, не позволяющих применить известные для тепловизионного прибора методы калибровки. Предлагается дифференциальный метод калибровки, дающий возможность учесть как нелинейность передаточной характеристики узла чтения ФПУ и электронного тракта, так и влияние изменения потока фонового излучения.


14.
ПРИМЕНЕНИЕ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МАТРИЧНЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЁМНИКОВ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА

М. А. Демьяненко1, Д. Г. Есаев1, И. В. Марчишин1, В. Н. Овсюк1, Б. И. Фомин1, Б. А. Князев2, В. В. Герасимов2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
dem_yanenko@thermo.isp.nsc.ru, esaev@thermo.isp.nsc.ru, march@thermo.isp.nsc.ru, acelle@isp.nsc.ru, fomin@thermo.isp.nsc.ru, knyazev@inp.nsk.su
Ключевые слова: неохлаждаемый микроболометр, оксид ванадия, терагерцовое излучение, поляризация, чувствительность, микроантенна, лазер на свободных электронах
Страницы: 109-113

Аннотация >>
Приведены результаты анализа механизма возникновения чувствительности матричных микроболометрических приёмников на основе оксида ванадия к терагерцовому излучению. Представлены экспериментальные данные исследований возможностей повышения в несколько раз чувствительности микроболометрических приёмников в терагерцовом диапазоне путём использования дополнительного тонкого металлического поглощающего слоя, наносимого на мембрану микроболометра. Обнаружена поляризационная зависимость чувствительности микроболометров в терагерцовом и дальнем инфракрасном спектральных диапазонах. Показано, что чувствительность микроболометров в терагерцовом диапазоне обусловлена поглощением излучения в узких металлических шинах, нанесённых на опорные ножки микроболометров и выполняющих роль омического контакта между термочувствительным слоем и схемой обработки.


15.
ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ БИООРГАНИЧЕСКИХ СРЕД

М. И. Воевода1, С. Е. Пельтек1, М. В. Кручинина2, С. А. Курилович2, В. Н. Кручинин3, С. В. Рыхлицкий3, К. П. Могильников3
1 Учреждение Российской академии наук Институт цитологии и генетики Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии медицинских наук Научно-исследовательский институт терапии Сибирского отделения РАМН
3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
voevoda@iimed.ru, peltek@bionet.nsc.ru, kruchmargo@yandex.ru, kurilovich@yandex.ru, vladd50@mail.ru, rhl@isp.nsc.ru, mogkonst@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: эллипсометрия, сыворотка крови, патология внутренних органов, поверхностный плазмонный резонанс
Страницы: 114-121

Аннотация >>
Методом спектральной эллипсометрии проведено исследование тонких плёнок, полученных центрифугированием сыворотки крови здоровых людей и пациентов с диффузной патологией печени с разной степенью фиброза. Обнаружено, что физические свойства плёнок зависят от биоорганического состава сыворотки крови, который, в свою очередь, определяется патологическими процессами, протекающими при различной степени фиброза печени. Получены корреляции биохимических параметров сыворотки крови и эллипсометрических показателей. Проведены пилотные эллипсометрические эксперименты по исследованию сывороток крови в условиях наблюдения поверхностного плазмонного резонанса у пациентов с опухолями кишечника. Выявлено наличие стойкого специфического взаимодействия между антигенами сывороток крови пациентов и моноклональными антителами СД24, которое приводит к изменению положения поверхностного плазмонного резонанса. Показано, что эллипсометрия представляет собой высокочувствительный, неразрушающий, экономичный экспресс-метод скрининга, предварительной диагностики стадий заболевания пациентов с патологией внутренних органов.


16.
АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛЁНКАХ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР p-ТИПА

В. Я. Костюченко1, Д. В. Комбаров1, Д. Ю. Протасов2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Сибирская государственная геодезическая академия»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
v.y.kostuk@ssga.ru, astrogator@list.ru, protasov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационно-диффузионные параметры, плёнки и плёночные структуры узкозонных полупроводников
Страницы: 122-129

Аннотация >>
Описан автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных и методических средств, созданный для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах кадмий-ртуть-теллур p-типа, толщина которых сравнима с длиной диффузии неосновных носителей заряда. Комплекс включает в себя следующие методы: эффект Холла и магнитосопротивление, фотомагнитный эффект, фотопроводимость в магнитном поле для геометрий Фарадея и Фойгта. Определены такие параметры, как равновесная концентрация, подвижность основных и неосновных носителей заряда (дырок и электронов соответственно), времена жизни электронов и дырок в объёме, скорости поверхностной рекомбинации на свободной и связанной с подложкой границах раздела плёнки.