Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ОЦЕНКА ПРЕДЕЛЬНОГО КПД ТРЁХКОНТАКТНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaAs НА Si

Д. О. Кузнецов, Е. Г. Тишковский, Д. М. Леган
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
diokuz@thermo.isp.nsc.ru, tish@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: предельный КПД, солнечный элемент, гетероструктуры GaAs на Si
Страницы: 78-81

Аннотация

Методами численного моделирования в диффузионно-дрейфовом приближении рассчитан КПД трёхконтактного солнечного элемента на основе структуры GaAs на Si. Получены зависимости КПД от толщины слоя GaAs и плотности прорастающих в этом слое дислокаций, известным образом влияющих на время жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что предельный КПД (27 %) такой структуры достигается при толщине слоя GaAs порядка 1,4 мкм и плотности прорастающих дислокаций менее 106 см-2.