Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ФОРМИРОВАНИЕ НАПРЯЖЁННЫХ КОРОТКОПЕРИОДНЫХ СВЕРХРЕШЁТОК InAs/GaSb ВТОРОГО ТИПА ДЛЯ ФОТОПРИЁМНИКОВ ИК-ДИАПАЗОНА МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, А. П. Василенко, О. П. Пчеляков, В. В. Преображенский
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
e2a@nsc/ru, fdf@isp.nsc.ru, vasev@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, vap@isp.nsc.ru, pch@isp.nsc.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, молекулярная форма мышьяка, короткопериодные сверхрешётки, ИК-фотоприёмники, дифракция быстрых электронов на отражение, ДБЭО
Страницы: 43-51

Аннотация

Методом дифракции быстрых электронов на отражение исследовано взаимодействие поверхности GaSb(001) с потоками молекул As2, As4 и Sb4. Показано, что молекулы As2 взаимодействуют с поверхностью GaSb преимущественно по механизму замещения, а молекулы As4 - по вакансионному механизму. Установлено, что для воспроизводимого формирования гетерограниц типа In - Sb в сверхрешётках InAs/GaSb необходимо использовать поток молекул As4, а не As2.