Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ СИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И РЕКОМБИНАЦИОННО-ДИФФУЗИОННЫХ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПЛЁНКАХ КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР p-ТИПА

В. Я. Костюченко1, Д. В. Комбаров1, Д. Ю. Протасов2
1 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Сибирская государственная геодезическая академия»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
v.y.kostuk@ssga.ru, astrogator@list.ru, protasov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоэлектромагнитные методы, рекомбинационно-диффузионные параметры, плёнки и плёночные структуры узкозонных полупроводников
Страницы: 122-129

Аннотация

Описан автоматизированный фотоэлектромагнитный комплекс аппаратурных и методических средств, созданный для определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в эпитаксиальных плёнках и плёночных структурах кадмий-ртуть-теллур p-типа, толщина которых сравнима с длиной диффузии неосновных носителей заряда. Комплекс включает в себя следующие методы: эффект Холла и магнитосопротивление, фотомагнитный эффект, фотопроводимость в магнитном поле для геометрий Фарадея и Фойгта. Определены такие параметры, как равновесная концентрация, подвижность основных и неосновных носителей заряда (дырок и электронов соответственно), времена жизни электронов и дырок в объёме, скорости поверхностной рекомбинации на свободной и связанной с подложкой границах раздела плёнки.