Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ОСОБЕННОСТИ КИНЕТИКИ ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В ПЛАЗМЕ КИСЛОРОДА С ДОБАВКАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

А. Х. Антоненко1, В. А. Володин1, М. Д. Ефремов1, П. С. Зазуля2, Г. Н. Камаев1, Д. В. Марин1
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
antuan@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, efremov@isp.nsc.ru, zazulya_ps@ngs.ru, kamaev@isp.nsc.ru, marin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, плазменное окисление, окись кремния, эллипсометрия, атомно-эмиссионная спектроскопия
Страницы: 52-58

Аннотация

Методами спектральной эллипсометрии и атомно-эмиссионной спектроскопии исследовались процессы плазменного оксидирования поверхности кремния в реакторе с индуктивным возбуждением плазмы. Представлены результаты влияния инертных газов на кинетику формирования ультратонких плёнок SiO2. Обнаружен эффект интенсивного окисления Si в плазме, образованной номинально чистым гелием. Предложено объяснение данного эффекта на основе представления о фотостимулированном ускорении скорости реакции на границе раздела кремний - окисел собственным оптическим излучением гелиевой плазмы.