Приведены наблюдения за изменением состава и распределением лишайников на вырубках, гарях и в производных лесах предгорий Восточного Саяна. Описаны морфологические изменения лишайников под влиянием изменений условий среды.
М. Ю. СЕМЕНОВ, М. В. СЕРГЕЕВА, Н. А. КОБЕЛЕВА, О. Г. НЕЦВЕТАЕВА
"Лимнологический институт СО РАН, 664033 Иркутск, ул. Уланбаторская, 3"
Страницы: 85-95
Изучена устойчивость наземных экосистем Байкальского региона к кислотным выпадениям, составлены карты распределения величин современной кислотной нагрузки и критических нагрузок по кислотности на экосистемы Западной Бурятии (Тункинская котловина и ее горное обрамление) и Юго-Западного Прибайкалья (Приморский хребет). Установлено, что величины современной кислотной нагрузки максимальны в верхних высотных поясах горных систем, удаленных от промышленных и сельскохозяйственных центров. В целом картина пространственного распределения величин критических нагрузок подчиняется общим закономерностям формирования почвенного покрова в условиях вертикальной поясности, осложняясь пространственной вариабельностью величин внутрипочвенного выветривания и емкостью биологического круговорота.
Л. Н. СКРИПАЛЬЩИКОВА, В. И. ХАРУК, А. П. ЯХИМОВИЧ, А. П. ЛОПАТИН, Н. В. ГРЕШИЛОВА, А. В. СТРАШНИКОВ
Красноярский филиал Госцентра "Природа", Красноярск
Страницы: 95-101
Анализируется проблема оценки уровня техногенного давления индустриальных центров на прилегающие ландшафты по ореолам загрязнения снегового покрова, дешифрируемым по космическим снимкам. Для промзоны г. Красноярска установлена корреляция между зонами загрязнения снегового покрова, выделяемым по данным съемки системой NOAA/AVHRR, с одной стороны, и наземными данными по содержанию в снеговом покрове и почве техногенной пыли и тяжелых металлов - с другой. Выделенные зоны загрязнений коррелируют с уровнем канцерогенных заболеваний.
В статье приводятся результаты анализа снеговых проб, которые отбирались в различных районах города Барнаула сразу после снегопада. В отобранных пробах определялось содержание твердой фазы, а после оттаивания в получившейся жидкой фазе определялись концентрации сульфатов и нитратов, а также рH.
Л. В. ПОМАЗКИНА, Е. В. ЛУБНИНА, О. В. РЕПИНА
"Сибирский институт физиологии и биохимии растений (СИФиБР СО РАН, 664033 Иркутск, а/я 1243"
Страницы: 105-113
В мониторинговых исследованиях (1992-1997 гг.) проведена оценка эмиссии CO2 из пахотных почв в пару и посевах яровой пшеницы. Показана ее зависимость от гидротермических условий, а также связь между содержанием гумуса и величиной газообразных потерь углерода. Обсуждаются причины усиления эмиссии CO2 из почв в условиях техногенного загрязнения. Выявлено, что вклад непосредственно локальных техногенных выбросов CO2 в атмосферу не столь значителен по сравнению с косвенным воздействием загрязнения на усиление эмиссии CO2 из почв в агроэкосистемах.
Прослежена динамика состояния древостоев Pinus sylvestris L., подвергающихся воздействию фторсодержащих выбросов на протяжении нескольких десятилетий - с начала действия источника эмиссии до настоящего времени. Состояние древостоев оценивалось по комплексу показателей - накоплению токсикантов в хвое, изменению физиолого-биохимических и морфометрических параметров деревьев. На основе имеющихся данных осуществлено прогнозирование ситуации по нескольким вариантам на последующие годы.
"Ф. А. КУЗНЕЦОВ1, М. Ф. РЕЗНИЧЕНКО1, Е. Б. ПРЕОБРАЖЕНСКИЙ2, С. А. ХАРИТОНОВ2"
"1Институт неорганической химии Сибирскогo отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия) E-mail: fk@che.nsk.su 2Новосибирский государственный технический университет, проспект К. Маркса, 20, Новосибирск 630092 (Россия)"
Страницы: 837-844
Представлен структурный анализ энергопотребления по отраслям промышленности и отдельным типам потребителей. Исходя из прогноза развития энергетических мощностей России и мировых тенденций развития силовой электроники показано, что реализация энергосберегающих технологий с использованием средств силовой электроники позволяет получить значительную экономию электроэнергии и снизить ее дефицит. С учетом структуры потребителей по отраслям и специфики необходимых средств силовой электроники оценена предельная емкость рынка России в денежном выражении как по устройствам и системам силовой электроники, так и по применяемым в них полупроводниковым приборам.
Рассмотрены основные требования к свойствам высокоомных рабочих слоев многослойных структур, используемых при изготовлении полевых высоковольтных транзисторов, тиристоров и IGBT-приборов - наиболее распространенных типов мощных высоковольтных дискретных приборов. Экспериментально установлено, как может влиять неоднородность толщины и удельного сопротивления высокоомного рабочего слоя на параметры мощных МДП-транзисторов. Проанализирована целесообразность применения при производстве силовых приборов с Uпроб > 800 В двух- и трехслойных структур, формируемых методом прямого соединения кремниевых пластин с использованием для изготовления рабочего высокоомного слоя нейтронно-легированного кремния, выращенного методом бестигельной зонной плавки (FZ-Si). Продемонстрировано, что альтернативой FZ-Si может быть кремний, выращенный методом Чохральского в магнитных полях (CZМ) с содержанием кислорода < (4-5)*1017 см-3.
Методом Виккерса в интервале температур 20-1400 °С измерена твердость монокристаллов 6H-SiC, GaN и AlN при нагрузке 0.5-5 Н. Установлено, что при комнатной температуре средняя твердость SiC, GaN и AlN (0001) составляет 25, 11 и 18 ГПа соответственно. При повышенной температуре твердость SiC, GaN и AlN больше, чем для Si, GaAs и ZnS. Установлена высокая механическая стабильность этих полупроводников.
"Т. П. СМИРНОВА1, А. М. БАДАЛЯН1, Л. В. ЯКОВКИНА1, Н. П. СЫСОЕВА1, И. П. АСАНОВ1,В. В. КАИЧЕВ2, В. И. БУХТИЯРОВ2, А. Н. ШМАКОВ2, В. И. РАХЛИН3, А. Н. ФОМИНА3"
"1Институт неорганической химии Сибирского отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 3, Новосибирск 630090 (Россия) E-mail: smirn@che.nsk.su 2Институт катализа имени Г. К. Борескова Сибирского отделения РАН, проспект Академика Лаврентьева, 5, Новосибирск 630090 (Россия) 3Институт химии имени А. А. Фаворского Сибирского отделения РАН, ул. Фаворского, 1, Иркутск 664000 (Россия)"
Страницы: 857-864
Пленки карбонитрида кремния синтезированы методом газофазного химического осаждения в схеме с удаленной плазмой. В качестве исходных реагентов использованы силильные производные 1,1-диметилгидразина: диметил(2,2-диметилгидразино)силан и диметил-бис-(2,2-диметилгидразино)силан. В молекулах этих мономеров содержатся связи Si-N, Si-С и C-N, необходимые для формирования карбонитрида кремния. По данным РФЭС и ИК-спектроскопии установлено, что синтезированные пленки представляют собой различные типы соединений-композитов, в которых атом кремния связан с атомами азота и углерода, либо атом азота образует химические связи с кремнием и углеродом. Пленки, синтезированные при Т < 673 K, частично гидрированы. Электронно-микроскопические исследования показали, что в аморфной матрице пленок образуются нанокристаллы размером 50-200 нм. Методом дифракции синхротронного излучения обнаружено, что возникновение кристаллов, а также их кристаллические формы не зависят от температуры подложки. Это дает основание полагать, что образование нанокристаллов может происходить в газовой фазе, либо инициироваться напряжениями в пленке, увеличивающимися по мере роста ее толщины. Пленки обладают высокой термической стабильностью вплоть до температуры 1273 K.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
