|
|
|
Array
(
[SESS_AUTH] => Array
(
[POLICY] => Array
(
[SESSION_TIMEOUT] => 24
[SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
[MAX_STORE_NUM] => 10
[STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
[STORE_TIMEOUT] => 525600
[CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
[PASSWORD_LENGTH] => 6
[PASSWORD_UPPERCASE] => N
[PASSWORD_LOWERCASE] => N
[PASSWORD_DIGITS] => N
[PASSWORD_PUNCTUATION] => N
[LOGIN_ATTEMPTS] => 0
[PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
)
)
[SESS_IP] => 18.226.187.199
[SESS_TIME] => 1713484005
[BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
[fixed_session_id] => 40c0b696fa562c28704618ed3606355d
[UNIQUE_KEY] => aa09d89f1012b254354ba0da3a86eae0
[BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
(
[LOGIN] =>
[POLICY_ATTEMPTS] => 0
)
)
2019 год, номер 5
|
Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1, В.А. Шустов1, Н.М. Лядов1, А.В. Новиков2, П.А. Бушуйкин2, Н.А. Байдакова2, М.Н. Дроздов2, П.А. Юнин2
1Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, г. Казань, Россия
batalov@kfti.knc.ru
2Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия
anov@ipmras.ru
Ключевые слова: германий, сурьма, ионная имплантация, легирование, импульсный ионный отжиг, плавление, кристаллизация, диффузия, плазменное отражение, фотолюминесценция, germanium, antimony, ion implantation, doping, pulsed ion annealing, melting, crystallization, diffusion, plasma reflection, photoluminescence
Страницы: 5-13
Аннотация >>
В целях формирования сильно легированных донорной примесью слоёв Ge проведена имплантация монокристалла p-Ge двухзарядными ионами сурьмы (Sb++) с энергией и дозой с последующим импульсным отжигом имплантированного слоя Ge:Sb мощными ионными пучками (C+, H+) наносекундной длительности в жидкофазном режиме. Исследованы морфология поверхности, глубинные профили Sb, кристаллическая структура слоя, концентрация электрически активных атомов и фотолюминесценция слоёв Ge:Sb. Данные по глубинному распределению Sb сравнивались с результатами компьютерного моделирования и показали хорошее согласие. Полученные результаты свидетельствуют о высокой степени активации внедрённой примеси Sb (вплоть до 100 %) и об усилении в сильно легированном слое прямозонной фотолюминесценции при 300 К с максимумом при 0,77 эВ.
DOI: 10.15372/AUT20190501 |
|
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Ю.А. Живодков, Э.Г. Зайцева, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
naumova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: электрооптический модулятор, кремний на изоляторе, волновод, electro-optic modulator, silicon-on-insulator, waveguide
Страницы: 14-19
Аннотация >>
Апробирован способ формирования кремниевых электрооптических модуляторов на основе p-n-диодов с использованием локального окисления. Показано, что локальное окисление кремния позволяет сформировать гребень волновода в виде сглаженной трапеции в отличие от классического способа создания гребня волновода прямоугольной формы методом плазмохимического травления. Представлены основные преимущества используемого подхода: контролируемость, воспроизводимость критичных конструктивных параметров модуляторов (ширины, высоты гребня волновода), низкая шероховатость поверхности, возможность применения стандартных для планарной технологии подходов при формировании в гребенчатом волноводе модулирующего p-n-диода комбинированной конструкции.
DOI: 10.15372/AUT20190502 |
|
Н.Н. Рубцова1, Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, В.В. Преображенский1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, водников им. А. В. Ржанова СО РАН
rubtsova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
gennadiy.m.borisov@gmail.com
Ключевые слова: квантовые ямы, полупроводниковые зеркала с насыщением поглощения, пассивная синхронизация мод лазеров, quantum well, semiconductor mirrors with absorption saturation, passive laser mode locking
Страницы: 20-23
Аннотация >>
Рассмотрены конструкции зеркал с насыщающимся поглощением как монолитные, выращенные из полупроводниковых материалов, так и зеркала с диэлектрическим отражателем с переносом на диэлектрик полупроводниковых структур, содержащих квантовые ямы. Для обоих типов зеркал получена высокая отражательная способность в области ближнего ИК-диапазона спектра: для полупроводниковых отражателей ширина «оптического стола» составляет около 100 нм, для диэлектрических - более 200 нм. Показана возможность максимальной глубины модуляции поглощения от 1 до 40 %. Время восстановления насыщающегося поглотителя (порядка 2 пс) делает такие зеркала принципиально пригодными для использования в лазерах с частотой следования импульсов до 1 ГГц.
DOI: 10.15372/AUT20190503 |
|
О.И. Семенова1, Д.С. Абрамкин1, И.А. Деребезов1, А.Н. Шмаков2, А.В. Гайслер1, В.А. Гайслер1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
oisem@isp.nsc.ru
2Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
highres@mail.ru
Ключевые слова: гибридные перовскиты, структурный фазовый переход, фотолюминесценция, hybrid perovskites, structural phase transition, photoluminescence
Страницы: 24-30
Аннотация >>
В широком температурном интервале исследованы структура и фотолюминесценция синтезированных кристаллов перовскита CH3NH3PbI3 (метиламмония трийодида свинца). При повышении температуры до 130-140 К наблюдается переход от орторомбической к тетрагональной кристаллической решётке с изменением ширины запрещённой зоны. Обнаружен рост интенсивности стационарной фотолюминесценции при комнатной температуре с течением времени воздействия возбуждающего излучения. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый рост интенсивности фотолюминесценции.
DOI: 10.15372/AUT20190504 |
|
М.Ф. Ступак1,2, Н.Н. Михайлов2,3, С.А. Дворецкий3,4, М.В. Якушев3
1Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
4Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Ключевые слова: кристаллы класса ВЇ43m, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры CdxHg1-xTe, 43m class crystals, second harmonic, azimuthal angular dependences, GaAs substrates, CdHgTe structures
Страницы: 31-39
Аннотация >>
Представлены результаты численного моделирования для кристаллов класса ¯43m и экспериментальные результаты азимутальных угловых зависимостей поляризационных компонент сигнала второй гармоники, отражённой от подложек GaAs с ориентацией (013), буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs и структур CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs, последовательно выращенных на этих подложках при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013)GaAs и буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs выявлено, что отклонения от базового среза (013) по углам θ, ϕ составили 1-3◦ у подложек GaAs и до 8◦ у буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs. Наблюдаемая асимметрия минимумов угловой экспериментальной зависимости сигнала второй гармоники в подложках GaAs связана с напряжениями. На основе экспериментальных данных высказано предположение, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости χxyz(ω) кристаллической структуры CdxHg1-xTe существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.
DOI: 10.15372/AUT20190505 |
|
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stuchin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, кадмий-ртуть-теллур, область пространственного заряда, встроенный заряд, инверсия, photoreceiver, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial charge region, embedded charge, inversion
Страницы: 40-47
Аннотация >>
В контексте задачи обеспечения условий для нормальной работы фотоприёмных диодных матриц изучено влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в плёнках материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) под действием встроенного заряда Qi изолирующего диэлектрика. Дан анализ задачи максимизации предельно допустимой величины Qi, ещё не приводящей к формированию в системе инверсии, посредством варьирования параметров системы: величины разрыва краёв зон для носителей заряда в КРТ, толщины широкозонного поверхностного КРТ-слоя, температуры и уровня легирования двухслойной плёнки материала КРТ.
DOI: 10.15372/AUT20190506 |
|
О.И. Семенова1, М.Л. Косинова2, Z. Li3, А.А. Немкова3, Y. Yu3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
oisem@isp.nsc.ru
2Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск, Россия
marina@niic.nsc.ru
3Institute of Semiconductors CAS, China, Beijing
lizhy@semi.ac.cn
Ключевые слова: планарные оптические волноводы, напряжённый кремний, нитрид кремния, карбонитрид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, planar optical waveguides, strained silicon, silicon nitride, carbonitride, Raman spectroscopy
Страницы: 48-54
Аннотация >>
Созданы микроструктуры волноводов на основе напряжённого кремния с использованием плёнок карбонитрида и нитрида кремния в качестве оптических покрытий. Разработана методика плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок, которая позволила получить высокие значения собственных механических напряжений (около 700 МПа). Представлены результаты сканирования волноводных структур с использованием метода комбинационного рассеяния света. Показано, что нанесение плёнок нитрида и карбонитрида кремния привело к появлению сжимающих напряжений в кремниевом волноводе, что зафиксировано сдвигом положения максимума основного пика рассеяния на LO-фононах кремния в сторону более высоких значений волновых чисел. Оценка величин сжимающих напряжений в кремниевом волноводе с верхним слоем нитрида кремния и карбонитрида кремния даёт 350 и 250 МПа соответственно, что достаточно для появления в кремнии нелинейных оптических свойств (эффект Поккельса).
DOI: 10.15372/AUT20190507 |
|
А.С. Синько1,2, К.А. Молдосанов3, П.М. Солянкин1, И.А. Ожередов1,2, А.П. Шкуринов1,2
1ИПЛИТ РАН, Москва, Россия
Sinko-260395@mail.ru
2Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
ozheredov@physics.msu.ru
3Кыргызско-Российский Славянский университет, Кыргызская Республика, г. Бишкек
altair1964@yandex.ru
Ключевые слова: терагерцовое излучение, нелинейный отклик поверхности, наночастицы золота, двухфононное поглощение, terahertz radiation, nonlinear surface response, gold nanoparticles, two-phonon absorption
Страницы: 55-61
Аннотация >>
Экспериментально зарегистрированы спектры генерации терагерцового излучения на поверхности кристаллов кремния с разным типом проводимости при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами при различных температурах. Наблюдаемые особенности в спектрах терагерцовой генерации на поверхности кремния соответствуют энергетической структуре определяющих тип проводимости образца примесных центров. Проведено сравнение с результатами, полученными в случае нанесения на поверхность полупроводника наночастиц золота. Спектральные особенности, регистрируемые при нанесении наночастиц, обсуждаются с привлечением механизма терагерцового переизлучения при двухфононном поглощении.
DOI: 10.15372/AUT20190508 |
|
А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова, Б.А. Гижевский
Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург, Россия
telegin@imp.uran.ru
Ключевые слова: оксидные наноматериалы, нанопорошок, оптическая нанокерамика, магнитные полупроводники, ИК-спектроскопия, сдвиг под давлением, взрывное нагружение, oxide nanomaterials, nanopowder, optical nanoceramics, magnetic semiconductors, IR spectroscopy, shear under pressure, explosive loading
Страницы: 62-68
Аннотация >>
Рассмотрены разработанные механофизические методы получения (сдвиг под давлением и взрывное нагружение) и особенности оптических свойств высокоплотных оптических нанокерамик на основе ряда оксидных магнитных полупроводников. Преимуществами использованных методик являются простота реализации, сочетание наноизмельчения и уплотнения материала в едином процессе, получение высокоплотных (99 %) стабильных материалов и отсутствие внешних загрязнений. Показана потенциальная возможность применения нанокерамик оксида меди в качестве поглотителя солнечной энергии, а нанокерамик железоиттриевого граната в качестве оптического элемента в модуляторах электромагнитного излучения.
DOI: 10.15372/AUT20190509 |
|
О.А. Ткаченко1, Д.Г. Бакшеев2,3,4, В.А. Ткаченко1,5,3,6, Д.Х. Квон Зе Дон1,7,3, А.С. Ярошевич1, Е.Е. Родякина1,7,3, А.В. Латышев1,7,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
otkach@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Москва, Россия
d.baksheev@g.nsu.ru
3г. Новосибирск, Россия
rodyakina@isp.nsc.ru
4ООО «Яндекс»
5Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
vtkach@isp.nsc.ru
6Новосибирский государственный технический университет
7Новосибирский государственный университет
kvon@isp.nsc.ru
Ключевые слова: одномерный барьер, динамический потенциал, нестационарное уравнение Шрёдингера, туннельный точечный контакт, двумерный электронный газ, one-dimensional barrier, dynamic potential, nonstationary Schrodinger equation, tunnel point contact, two-dimensional electron gas
Страницы: 69-77
Аннотация >>
Теория когерентного фотонно-стимулированного прохождения электрона через одномерный плавный барьер успешно применена к моделированию результатов измерения терагерцовой фотопроводимости туннельного точечного контакта в двумерном электронном газе. Для этого барьера в более глубоком туннельном режиме расчётом обнаружены фотонные ступени на зависимости коэффициента прохождения от начальной энергии электрона. Их положение определяется энергией терагерцового фотона.
DOI: 10.15372/AUT20190510 |
|
К.В. Аникин1, А.Г. Милёхин1,2, M. Rahaman3,3, Т.А. Дуда1, И.А. Милёхин1,3, Е.Е. Родякина1,2, Р.Б. Васильев4, V. Dzhagan5,6, D. Zahn3,3, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
anikin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
3Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany
mahfujur.rahaman@s2011.tu-chemnitz.de
4Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
romvas@inorg.chem.msu.ru
5V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
dzhagan@isp.kiev.ua
6Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine
Ключевые слова: гигантское комбинационное рассеяние света, наноструктуры, квантовые точки, двумерные структуры, плазмоны, фононы, giant Raman scattering of light, nanostructures, quantum dots, two-dimensional structures, plasmons, phonons
Страницы: 78-85
Аннотация >>
Проведён локальный спектральный анализ многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, основанный на гигантском комбинационном рассеянии света (КРС) полупроводниковыми наноструктурами, расположенными на поверхности массива нанокластеров Au вблизи металлизированной иглы атомно-силового микроскопа. В зазоре между металлическими нанокластерами и иглой, где расположена полупроводниковая наноструктура, возникает сильное увеличение локального электрического поля («горячая точка»), и, как следствие, резко усиливается сигнал КРС. Достигнуто беспрецедентное усиление сигнала КРС двумерными (свыше 108 для MoS2) и нульмерными (106 для нанокристаллов CdSe) полупроводниковыми наноструктурами. Применение метода для картирования КРС многокомпонентной системы из MoS2 и CdSe позволило идентифицировать составляющие компоненты с пространственным разрешением, существенно превышающим дифракционный предел.
DOI: 10.15372/AUT20190511 |
|
К.А. Окотруб1, В.А. Зыкова1, С.В. Адищев1, Н.В. Суровцев1,2
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск, Россия
okotrub@iae.nsk.su
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
snv@iae.nsk.su
Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, фосфолипидный бислой, планарная структура, ориентация молекул, Raman scattering, phospholipide bilayer, planar structure, orientation of molecules
Страницы: 86-92
Аннотация >>
Предложен метод определения ориентации фосфолипидных молекул в планарных структурах по спектрам неполяризованного комбинационного рассеяния света. Метод использует чувствительность интенсивности линий комбинационного рассеяния света на колебаниях групп CH2 к ориентации молекул фосфолипида. Работоспособность метода проиллюстрирована на планарном образце насыщенного фосфолипида, приготовленном путём высушивания из раствора. Показано, что для анализа пространственного распределения ориентации молекул в образце удобно применять метод главных компонент.
DOI: 10.15372/AUT20190512 |
|
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
igor-osinnykh@isp.nsc.ru
Ключевые слова: AlGaN, GaN, AlN, аммиачная МЛЭ, брэгговские зеркала, ammonia MBE, Bragg mirrors
Страницы: 93-100
Аннотация >>
Представлены результаты расчёта и роста гетероэпитаксиальных структур с брэгговскими зеркалами на основе AlGaN/AlN для сине-зелёного спектрального диапазона, соответствующего максимуму широкополосной люминесценции слоёв AlGaN:Si, методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Выращены структуры с активной областью AlGaN:Si, расположенной на одном нижнем брэгговском зеркале для длины волны 510 нм и между двумя брэгговскими зеркалами для длины волны 510 нм. Для обеих гетероэпитаксиальных структур продемонстрирована селекция излучения активного слоя в заданном спектральном диапазоне нижними брэгговскими зеркалами. Показано, что большая суммарная толщина гетероструктуры с двумя брэгговскими зеркалами приводит к появлению трещин и макроскопических дефектов на поверхности гетероэпитаксиальной структуры.
DOI: 10.15372/AUT20190513 |
|
А.Г. Паулиш1,2, А.К. Дмитриев2, А.В. Гельфанд1, С.М. Пыргаева3
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, г. Новосибирск, Россия
paulish63@ngs.ru
2Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия
dmitriev@corp.nstu.ru
3Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова, г. Барнаул, Россия
genphys@mail.ru
Ключевые слова: инфракрасная техника, приёмники теплового излучения, матрица ячеек Голея, диоксид кремния, ИК-спектроскопия, infrared technology, thermal radiation detectors, Golay cell array, silicon dioxide, IR spectroscopy
Страницы: 101-106
Аннотация >>
Проведены исследования спектральных характеристик поглощения плёнок диоксида кремния в ИК-диапазоне (λ = 8-14 мкм) в целях определения оптимальной толщины поглотителя в матричной структуре микроячеек Голея для создания высокочувствительных детекторов ИК-излучения. Показано, что спектр поглощения плёнок SiO2, нанесённых методом электронно-лучевого испарения, в диапазоне толщин до 2 мкм имеет структуру, которая отличается от известных спектров поглощения объёмного диоксида кремния, что, по-видимому, связано с перестройками в стехиометрии диоксида кремния на начальных стадиях формирования плёнки. Экспериментально подтверждено, что интегральное поглощение в нанесённых плёнках в заданном спектральном диапазоне близко к линейной зависимости от толщины и на порядок меньше величины, полученной расчётом на основе опубликованных данных для объёмного SiO2.
DOI: 10.15372/AUT20190514 |
|
А.А. Голицын1,2
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, г. Новосибирск, Россия
aag-09@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия
Ключевые слова: активно-импульсное наблюдение, метод стробирования, электронный затвор, ПЗС-матрица, gated-viewing surveillance, range gating method, electronic gate, CCD sensor
Страницы: 107-114
Аннотация >>
Представлены результаты разработки и апробации комплекса для изучения режимов работы ПЗС-матриц. Целью изучения является проверка работоспособности указанных матриц в составе активно-импульсного устройства без использования в его конструкции электронно-оптического преобразователя или иного внешнего быстродействующего затвора. Комплекс позволяет управлять серийной ПЗС-матрицей недокументированным способом с помощью сигналов произвольной формы, синхронизировать её работу с лазерным излучателем, получать изображение, производить его цифровую обработку и передавать на внешние устройства. Проведённые эксперименты на различных ПЗС-матрицах показали возможность построения на основе ПЗС-матрицы со строчным переносом активно-импульсной системы наблюдения без использования в её составе электронно-оптического преобразователя и практического приложения такой системы.
DOI: 10.15372/AUT20190515 |
|
А.В. Вишняков, В.В. Васильев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
vishn@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, материал кадмий-ртуть-теллур, пространственное разрешение, частотно-контрастная характеристика, фотоэлектрическая связь, диффузия носителей заряда, метод Монте-Карло, изолирующие диоды, photodetector, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial resolution, frequency contrast characteristic, photoelectric connection, charge carrier diffusion, Monte Carlo method, isolating diodes
Страницы: 115-121
Аннотация >>
Проведено моделирование методом Монте-Карло диффузии носителей заряда в фоточувствительной плёнке инфракрасных фотоприёмных устройств (ИК ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур для определения пространственного разрешения (частотно-контрастной характеристики) таких ФПУ. Приведены результаты расчётов для матричных и линейчатых ФПУ с разным дизайном фотоэлементов матрицы, включая конфигурации с изолирующими диодами. Дано сравнение рассчитанных данных с экспериментально измеренными величинами разрешения реальных фотоприёмников.
DOI: 10.15372/AUT20190516 |
|
В.П. Смекалин, В.Н. Федосеев, Ю.И. Шанин, Д.А. Ягнятинский
Научно-исследовательский институт «Научно-производственное объединение “Луч”», г. Подольск, Россия
VPSmekalin@luch.com.ru
Ключевые слова: объектив телескопа, расчёты механики, внешние нагрузки, ANSYS, математические модели, приведённые характеристики, telescope lens, mechanics calculations, external loads, ANSYS, mathematical models, given characteristics
Страницы: 122-132
Аннотация >>
Представлены конечно-элементные математические модели реального и упрощённого объективов телескопа космического эксперимента «Лира-Б». Приведены результаты расчётов механики объектива при воздействии на него различных внешних нагрузок: как статических, так и динамических. Расчёты выполнены с помощью программного комплекса ANSYS. Описаны три способа определения характеристик облегчённых конструкций деталей объектива, два из которых использованы в расчётах. Сравнение результатов, полученных с помощью реальной и упрощённой (приведённой) моделей, указывает на возможность применения упрощённой модели для начальных оценочных расчётов. При этом такая модель, обладающая приведёнными характеристиками, более проста в построении и генерации конечно-элементной сетки и требует существенно меньше расчётного времени.
DOI: 10.15372/AUT20190517 |
|
