Рассматривается формирование электрических полей, возбуждаемых нестационарным источником γ-излучений в воздухе. Учитывается влияние поля на подвижность и на коэффициент прилипания электронов к электроотрицательным молекулам.
Методом функционально-инвариантных решений Смирнова–Соболева решается автомодельная плоская задача теории упругости о развитии из нуля с постоянной скоростью в условиях антиплоской деформации системы равномерно распределенных по углу радиальных трещин. Исследуется несколько способов нагружения. Находятся выражения для коэффициентов интенсивности напряжения в носиках трещины.
Рассмотрена трехмерная квантовая задача однократного рассеяния атома на простом кристалле. Взаимодействие выбирается в виде суммы парных потенциалов частицы с атомами решетки, гамильтониан кристалла – в гармоническом приближении. Для описания рассеяния впервые использовано импульсное приближение с «квазиклассической связью». Не учитываются интерференционные эффекты. Предложен способ описания сильно неупругого рассеяния. Найден общий вид энергии отдачи, зависящий от динамики поверхности. Предложена модель дисперсии в поверхностном слое, в которой учтены некоторые основные свойства рассеяния фононов на двумерных дефектах. Получено дифференциальное сечение рассеяния, позволяющее найти различные характеристики однократного рассеяния. Результаты содержат все основные исходные параметры задачи в виде приведенных комбинаций. Результаты иллюстрируются рассеянием на жестких сферах. Показано, что однопиковый квазизеркальный характер отражения, наблюдаемый при энергиях падающих частиц до 100 эВ, связан со спецификой отдачи поверхностных центров.
С помощью разработанного масс-спектрометрического метода исследована кинетика термического разложения ПХА при 400÷470°С и давлении 1 атм. Показано, что вид кинетической кривой dα/dt÷α зависит от дисперсности ПХА и температуры.
Методом ЭПР исследованы холодные пламена в реакции окисления пропана. Опыты проводились со смесью C3H8:O2 = 1:1. Методом вымораживания радикалов обнаружены концентрации активных центров в двух разных режимах протекания реакции.
"Е.В. Барташевич1, Е.А. Шманина1, И.Д. Юшина1, Д.Г. Ким1, В.Г. Цирельсон2"
"1Южно-Уральский государственный университет, Челябинск, просп. Ленина, 76 kbartash@yandex.ru 2Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Миусская пл., 9"
Ключевые слова: галогенные связи, иод, комплексы с переносом заряда, энергия взаимодействия, halogen bonds, iodine, charge-transfer complexes, interaction energy
Страницы: 158-164 Подраздел: МАТЕРИАЛЫ XVI СИМПОЗИУМА ПО МЕЖМОЛЕКУЛЯРНОМУ ВЗАИМОДЕЙСТВИЮ И КОНФОРМАЦИЯМ МОЛЕКУЛ, 18-22 июня 2012 года, ИВАНОВО
Рассмотрены энергетические и квантово-топологические характеристики комплексов замещенных 2-, 8-аллилтиохинолинов с иодом, которые, как предполагается, отвечают предреакционным состояниям в реакции иодциклизации, приводящей к образованию тиазоло- и тиазинохинолиниевых систем. Моделирование структуры комплексов и атомных взаимодействий в них выполнено с учетом различных конформационных состояний аллилзамещенных хинолинтиолов (тиохинолинов). Проанализированы величины энергий взаимодействия молекулы иода с разными донорными центрами замещенной хинолиновой системы: гетероатомом азота, серой, p-системой аллильной группы. Показано, что образование прочных комплексов по азоту хинолинового цикла затруднено стерическими препятствиями, создаваемыми S-аллильной группой в положениях 2 и 8 хинолиновой системы, что, в свою очередь, способствует сближению центров циклизации.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
