Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2019 год, номер 5

1.
ИМПУЛЬСНЫЙ ИОННЫЙ ОТЖИГ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ СУРЬМЫ

Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1, В.А. Шустов1, Н.М. Лядов1, А.В. Новиков2, П.А. Бушуйкин2, Н.А. Байдакова2, М.Н. Дроздов2, П.А. Юнин2
1Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, г. Казань, Россия
batalov@kfti.knc.ru
2Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия
anov@ipmras.ru
Ключевые слова: германий, сурьма, ионная имплантация, легирование, импульсный ионный отжиг, плавление, кристаллизация, диффузия, плазменное отражение, фотолюминесценция, germanium, antimony, ion implantation, doping, pulsed ion annealing, melting, crystallization, diffusion, plasma reflection, photoluminescence
Страницы: 5-13

Аннотация >>
В целях формирования сильно легированных донорной примесью слоёв Ge проведена имплантация монокристалла p-Ge двухзарядными ионами сурьмы (Sb++) с энергией и дозой с последующим импульсным отжигом имплантированного слоя Ge:Sb мощными ионными пучками (C+, H+) наносекундной длительности в жидкофазном режиме. Исследованы морфология поверхности, глубинные профили Sb, кристаллическая структура слоя, концентрация электрически активных атомов и фотолюминесценция слоёв Ge:Sb. Данные по глубинному распределению Sb сравнивались с результатами компьютерного моделирования и показали хорошее согласие. Полученные результаты свидетельствуют о высокой степени активации внедрённой примеси Sb (вплоть до 100 %) и об усилении в сильно легированном слое прямозонной фотолюминесценции при 300 К с максимумом при 0,77 эВ.

DOI: 10.15372/AUT20190501
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


2.
ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЕВЫХ p-n-ДИОДОВ

О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Ю.А. Живодков, Э.Г. Зайцева, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
naumova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: электрооптический модулятор, кремний на изоляторе, волновод, electro-optic modulator, silicon-on-insulator, waveguide
Страницы: 14-19

Аннотация >>
Апробирован способ формирования кремниевых электрооптических модуляторов на основе p-n-диодов с использованием локального окисления. Показано, что локальное окисление кремния позволяет сформировать гребень волновода в виде сглаженной трапеции в отличие от классического способа создания гребня волновода прямоугольной формы методом плазмохимического травления. Представлены основные преимущества используемого подхода: контролируемость, воспроизводимость критичных конструктивных параметров модуляторов (ширины, высоты гребня волновода), низкая шероховатость поверхности, возможность применения стандартных для планарной технологии подходов при формировании в гребенчатом волноводе модулирующего p-n-диода комбинированной конструкции.

DOI: 10.15372/AUT20190502
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


3.
ШИРОКОПОЛОСНЫЕ С МАЛЫМ ВРЕМЕНЕМ РЕЛАКСАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗЕРКАЛА ДЛЯ ПАССИВНОЙ СИНХРОНИЗАЦИИ МОД ЛАЗЕРОВ БЛИЖНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА

Н.Н. Рубцова1, Г.М. Борисов1,2, В.Г. Гольдорт1, А.А. Ковалёв1, Д.В. Ледовских1, В.В. Преображенский1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, водников им. А. В. Ржанова СО РАН
rubtsova@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
gennadiy.m.borisov@gmail.com
Ключевые слова: квантовые ямы, полупроводниковые зеркала с насыщением поглощения, пассивная синхронизация мод лазеров, quantum well, semiconductor mirrors with absorption saturation, passive laser mode locking
Страницы: 20-23

Аннотация >>
Рассмотрены конструкции зеркал с насыщающимся поглощением как монолитные, выращенные из полупроводниковых материалов, так и зеркала с диэлектрическим отражателем с переносом на диэлектрик полупроводниковых структур, содержащих квантовые ямы. Для обоих типов зеркал получена высокая отражательная способность в области ближнего ИК-диапазона спектра: для полупроводниковых отражателей ширина «оптического стола» составляет около 100 нм, для диэлектрических - более 200 нм. Показана возможность максимальной глубины модуляции поглощения от 1 до 40 %. Время восстановления насыщающегося поглотителя (порядка 2 пс) делает такие зеркала принципиально пригодными для использования в лазерах с частотой следования импульсов до 1 ГГц.

DOI: 10.15372/AUT20190503
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


4.
СТРУКТУРНЫЕ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ГИБРИДНОГО ПЕРОВСКИТА

О.И. Семенова1, Д.С. Абрамкин1, И.А. Деребезов1, А.Н. Шмаков2, А.В. Гайслер1, В.А. Гайслер1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
oisem@isp.nsc.ru
2Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
highres@mail.ru
Ключевые слова: гибридные перовскиты, структурный фазовый переход, фотолюминесценция, hybrid perovskites, structural phase transition, photoluminescence
Страницы: 24-30

Аннотация >>
В широком температурном интервале исследованы структура и фотолюминесценция синтезированных кристаллов перовскита CH3NH3PbI3 (метиламмония трийодида свинца). При повышении температуры до 130-140 К наблюдается переход от орторомбической к тетрагональной кристаллической решётке с изменением ширины запрещённой зоны. Обнаружен рост интенсивности стационарной фотолюминесценции при комнатной температуре с течением времени воздействия возбуждающего излучения. Предложена модель, объясняющая наблюдаемый рост интенсивности фотолюминесценции.

DOI: 10.15372/AUT20190504
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


5.
ЭКСПРЕССНАЯ ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОВЕРШЕНСТВА СТРУКТУР CdxHg1-xTe МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ НА ОТРАЖЕНИЕ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ ЗОНДИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

М.Ф. Ступак1,2, Н.Н. Михайлов2,3, С.А. Дворецкий3,4, М.В. Якушев3
1Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
4Томский государственный университет, г. Томск, Россия
Ключевые слова: кристаллы класса ВЇ43m, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, подложки GaAs, структуры CdxHg1-xTe, 43m class crystals, second harmonic, azimuthal angular dependences, GaAs substrates, CdHgTe structures
Страницы: 31-39

Аннотация >>
Представлены результаты численного моделирования для кристаллов класса ¯43m и экспериментальные результаты азимутальных угловых зависимостей поляризационных компонент сигнала второй гармоники, отражённой от подложек GaAs с ориентацией (013), буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs и структур CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs, последовательно выращенных на этих подложках при нормальном падении на образец зондирующего лазерного излучения и азимутальном вращении плоскости его поляризации. По результатам исследования подложек (013)GaAs и буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs выявлено, что отклонения от базового среза (013) по углам θ, ϕ составили 1-3◦ у подложек GaAs и до 8◦ у буферных слоёв CdTe/ZnTe/GaAs. Наблюдаемая асимметрия минимумов угловой экспериментальной зависимости сигнала второй гармоники в подложках GaAs связана с напряжениями. На основе экспериментальных данных высказано предположение, что компоненты тензора нелинейной восприимчивости χxyz(ω) кристаллической структуры CdxHg1-xTe существенно превосходят по величине аналогичные компоненты тензора в CdTe и GaAs.

DOI: 10.15372/AUT20190505
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


6.
ВЛИЯНИЕ СТУПЕНЧАТОГО ПРОФИЛЯ СОСТАВА НА ФОРМИРОВАНИЕ ИНВЕРСИИ В ПЛЁНКАХ МАТЕРИАЛА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР

В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stuchin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, кадмий-ртуть-теллур, область пространственного заряда, встроенный заряд, инверсия, photoreceiver, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial charge region, embedded charge, inversion
Страницы: 40-47

Аннотация >>
В контексте задачи обеспечения условий для нормальной работы фотоприёмных диодных матриц изучено влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в плёнках материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) под действием встроенного заряда Qi изолирующего диэлектрика. Дан анализ задачи максимизации предельно допустимой величины Qi, ещё не приводящей к формированию в системе инверсии, посредством варьирования параметров системы: величины разрыва краёв зон для носителей заряда в КРТ, толщины широкозонного поверхностного КРТ-слоя, температуры и уровня легирования двухслойной плёнки материала КРТ.

DOI: 10.15372/AUT20190506
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


7.
ВОЛНОВОДНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ НАПРЯЖЁННОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ ФОТОННЫХ ПРИЛОЖЕНИЙ

О.И. Семенова1, М.Л. Косинова2, Z. Li3, А.А. Немкова3, Y. Yu3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
oisem@isp.nsc.ru
2Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск, Россия
marina@niic.nsc.ru
3Institute of Semiconductors CAS, China, Beijing
lizhy@semi.ac.cn
Ключевые слова: планарные оптические волноводы, напряжённый кремний, нитрид кремния, карбонитрид кремния, спектроскопия комбинационного рассеяния света, planar optical waveguides, strained silicon, silicon nitride, carbonitride, Raman spectroscopy
Страницы: 48-54

Аннотация >>
Созданы микроструктуры волноводов на основе напряжённого кремния с использованием плёнок карбонитрида и нитрида кремния в качестве оптических покрытий. Разработана методика плазмохимического осаждения диэлектрических плёнок, которая позволила получить высокие значения собственных механических напряжений (около 700 МПа). Представлены результаты сканирования волноводных структур с использованием метода комбинационного рассеяния света. Показано, что нанесение плёнок нитрида и карбонитрида кремния привело к появлению сжимающих напряжений в кремниевом волноводе, что зафиксировано сдвигом положения максимума основного пика рассеяния на LO-фононах кремния в сторону более высоких значений волновых чисел. Оценка величин сжимающих напряжений в кремниевом волноводе с верхним слоем нитрида кремния и карбонитрида кремния даёт 350 и 250 МПа соответственно, что достаточно для появления в кремнии нелинейных оптических свойств (эффект Поккельса).

DOI: 10.15372/AUT20190507
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


8.
ТЕРАГЕРЦОВЫЙ ОТКЛИК ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ С НАНЕСЁННЫМИ НАНОРАЗМЕРНЫМИ ЧАСТИЦАМИ ЗОЛОТА

А.С. Синько1,2, К.А. Молдосанов3, П.М. Солянкин1, И.А. Ожередов1,2, А.П. Шкуринов1,2
1ИПЛИТ РАН, Москва, Россия
Sinko-260395@mail.ru
2Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
ozheredov@physics.msu.ru
3Кыргызско-Российский Славянский университет, Кыргызская Республика, г. Бишкек
altair1964@yandex.ru
Ключевые слова: терагерцовое излучение, нелинейный отклик поверхности, наночастицы золота, двухфононное поглощение, terahertz radiation, nonlinear surface response, gold nanoparticles, two-phonon absorption
Страницы: 55-61

Аннотация >>
Экспериментально зарегистрированы спектры генерации терагерцового излучения на поверхности кристаллов кремния с разным типом проводимости при возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами при различных температурах. Наблюдаемые особенности в спектрах терагерцовой генерации на поверхности кремния соответствуют энергетической структуре определяющих тип проводимости образца примесных центров. Проведено сравнение с результатами, полученными в случае нанесения на поверхность полупроводника наночастиц золота. Спектральные особенности, регистрируемые при нанесении наночастиц, обсуждаются с привлечением механизма терагерцового переизлучения при двухфононном поглощении.

DOI: 10.15372/AUT20190508
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


9.
МЕХАНОФИЗИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ НАНОКЕРАМИК МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, Е.В. Мостовщикова, Б.А. Гижевский
Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург, Россия
telegin@imp.uran.ru
Ключевые слова: оксидные наноматериалы, нанопорошок, оптическая нанокерамика, магнитные полупроводники, ИК-спектроскопия, сдвиг под давлением, взрывное нагружение, oxide nanomaterials, nanopowder, optical nanoceramics, magnetic semiconductors, IR spectroscopy, shear under pressure, explosive loading
Страницы: 62-68

Аннотация >>
Рассмотрены разработанные механофизические методы получения (сдвиг под давлением и взрывное нагружение) и особенности оптических свойств высокоплотных оптических нанокерамик на основе ряда оксидных магнитных полупроводников. Преимуществами использованных методик являются простота реализации, сочетание наноизмельчения и уплотнения материала в едином процессе, получение высокоплотных (99 %) стабильных материалов и отсутствие внешних загрязнений. Показана потенциальная возможность применения нанокерамик оксида меди в качестве поглотителя солнечной энергии, а нанокерамик железоиттриевого граната в качестве оптического элемента в модуляторах электромагнитного излучения.

DOI: 10.15372/AUT20190509
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


10.
ФОТОННО-СТИМУЛИРОВАННОЕ ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНА ЧЕРЕЗ КВАНТОВЫЙ ТОЧЕЧНЫЙ КОНТАКТ

О.А. Ткаченко1, Д.Г. Бакшеев2,3,4, В.А. Ткаченко1,5,3,6, Д.Х. Квон Зе Дон1,7,3, А.С. Ярошевич1, Е.Е. Родякина1,7,3, А.В. Латышев1,7,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
otkach@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Москва, Россия
d.baksheev@g.nsu.ru
3г. Новосибирск, Россия
rodyakina@isp.nsc.ru
4ООО «Яндекс»
5Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
vtkach@isp.nsc.ru
6Новосибирский государственный технический университет
7Новосибирский государственный университет
kvon@isp.nsc.ru
Ключевые слова: одномерный барьер, динамический потенциал, нестационарное уравнение Шрёдингера, туннельный точечный контакт, двумерный электронный газ, one-dimensional barrier, dynamic potential, nonstationary Schrodinger equation, tunnel point contact, two-dimensional electron gas
Страницы: 69-77

Аннотация >>
Теория когерентного фотонно-стимулированного прохождения электрона через одномерный плавный барьер успешно применена к моделированию результатов измерения терагерцовой фотопроводимости туннельного точечного контакта в двумерном электронном газе. Для этого барьера в более глубоком туннельном режиме расчётом обнаружены фотонные ступени на зависимости коэффициента прохождения от начальной энергии электрона. Их положение определяется энергией терагерцового фотона.

DOI: 10.15372/AUT20190510
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


11.
ПЛАЗМОН-УСИЛЕННАЯ БЛИЖНЕПОЛЬНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР

К.В. Аникин1, А.Г. Милёхин1,2, M. Rahaman3,3, Т.А. Дуда1, И.А. Милёхин1,3, Е.Е. Родякина1,2, Р.Б. Васильев4, V. Dzhagan5,6, D. Zahn3,3, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
anikin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
milekhin@isp.nsc.ru
3Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Chemnitz, Germany
mahfujur.rahaman@s2011.tu-chemnitz.de
4Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, Москва, Россия
romvas@inorg.chem.msu.ru
5V. Ye. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine
dzhagan@isp.kiev.ua
6Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine
Ключевые слова: гигантское комбинационное рассеяние света, наноструктуры, квантовые точки, двумерные структуры, плазмоны, фононы, giant Raman scattering of light, nanostructures, quantum dots, two-dimensional structures, plasmons, phonons
Страницы: 78-85

Аннотация >>
Проведён локальный спектральный анализ многокомпонентных полупроводниковых наноструктур, основанный на гигантском комбинационном рассеянии света (КРС) полупроводниковыми наноструктурами, расположенными на поверхности массива нанокластеров Au вблизи металлизированной иглы атомно-силового микроскопа. В зазоре между металлическими нанокластерами и иглой, где расположена полупроводниковая наноструктура, возникает сильное увеличение локального электрического поля («горячая точка»), и, как следствие, резко усиливается сигнал КРС. Достигнуто беспрецедентное усиление сигнала КРС двумерными (свыше 108 для MoS2) и нульмерными (106 для нанокристаллов CdSe) полупроводниковыми наноструктурами. Применение метода для картирования КРС многокомпонентной системы из MoS2 и CdSe позволило идентифицировать составляющие компоненты с пространственным разрешением, существенно превышающим дифракционный предел.

DOI: 10.15372/AUT20190511
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


12.
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОРИЕНТАЦИИ ФОСФОЛИПИДНЫХ МОЛЕКУЛ В ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУРАХ ПО СПЕКТРАМ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА

К.А. Окотруб1, В.А. Зыкова1, С.В. Адищев1, Н.В. Суровцев1,2
1Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск, Россия
okotrub@iae.nsk.su
2Новосибирский государственный университет, г. Новосибирск, Россия
snv@iae.nsk.su
Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, фосфолипидный бислой, планарная структура, ориентация молекул, Raman scattering, phospholipide bilayer, planar structure, orientation of molecules
Страницы: 86-92

Аннотация >>
Предложен метод определения ориентации фосфолипидных молекул в планарных структурах по спектрам неполяризованного комбинационного рассеяния света. Метод использует чувствительность интенсивности линий комбинационного рассеяния света на колебаниях групп CH2 к ориентации молекул фосфолипида. Работоспособность метода проиллюстрирована на планарном образце насыщенного фосфолипида, приготовленном путём высушивания из раствора. Показано, что для анализа пространственного распределения ориентации молекул в образце удобно применять метод главных компонент.

DOI: 10.15372/AUT20190512
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


13.
РОСТ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN:Si С БРЭГГОВСКИМИ ЗЕРКАЛАМИ ДЛЯ СИНЕ-ЗЕЛЁНОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА

И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
igor-osinnykh@isp.nsc.ru
Ключевые слова: AlGaN, GaN, AlN, аммиачная МЛЭ, брэгговские зеркала, ammonia MBE, Bragg mirrors
Страницы: 93-100

Аннотация >>
Представлены результаты расчёта и роста гетероэпитаксиальных структур с брэгговскими зеркалами на основе AlGaN/AlN для сине-зелёного спектрального диапазона, соответствующего максимуму широкополосной люминесценции слоёв AlGaN:Si, методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Выращены структуры с активной областью AlGaN:Si, расположенной на одном нижнем брэгговском зеркале для длины волны 510 нм и между двумя брэгговскими зеркалами для длины волны 510 нм. Для обеих гетероэпитаксиальных структур продемонстрирована селекция излучения активного слоя в заданном спектральном диапазоне нижними брэгговскими зеркалами. Показано, что большая суммарная толщина гетероструктуры с двумя брэгговскими зеркалами приводит к появлению трещин и макроскопических дефектов на поверхности гетероэпитаксиальной структуры.

DOI: 10.15372/AUT20190513
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


14.
ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОГЛОЩЕНИЯ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ В ПЛЁНКАХ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ ТЕПЛОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

А.Г. Паулиш1,2, А.К. Дмитриев2, А.В. Гельфанд1, С.М. Пыргаева3
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, г. Новосибирск, Россия
paulish63@ngs.ru
2Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия
dmitriev@corp.nstu.ru
3Алтайский государственный технический университет им. И. И. Ползунова, г. Барнаул, Россия
genphys@mail.ru
Ключевые слова: инфракрасная техника, приёмники теплового излучения, матрица ячеек Голея, диоксид кремния, ИК-спектроскопия, infrared technology, thermal radiation detectors, Golay cell array, silicon dioxide, IR spectroscopy
Страницы: 101-106

Аннотация >>
Проведены исследования спектральных характеристик поглощения плёнок диоксида кремния в ИК-диапазоне (λ = 8-14 мкм) в целях определения оптимальной толщины поглотителя в матричной структуре микроячеек Голея для создания высокочувствительных детекторов ИК-излучения. Показано, что спектр поглощения плёнок SiO2, нанесённых методом электронно-лучевого испарения, в диапазоне толщин до 2 мкм имеет структуру, которая отличается от известных спектров поглощения объёмного диоксида кремния, что, по-видимому, связано с перестройками в стехиометрии диоксида кремния на начальных стадиях формирования плёнки. Экспериментально подтверждено, что интегральное поглощение в нанесённых плёнках в заданном спектральном диапазоне близко к линейной зависимости от толщины и на порядок меньше величины, полученной расчётом на основе опубликованных данных для объёмного SiO2.

DOI: 10.15372/AUT20190514
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


15.
АППАРАТНО-ПРОГРАММНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ ПЗС-ФОТОПРИЁМНИКОВ В СОСТАВЕ АКТИВНО-ИМПУЛЬСНЫХ СИСТЕМ НАБЛЮДЕНИЯ

А.А. Голицын1,2
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, г. Новосибирск, Россия
aag-09@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, г. Новосибирск, Россия
Ключевые слова: активно-импульсное наблюдение, метод стробирования, электронный затвор, ПЗС-матрица, gated-viewing surveillance, range gating method, electronic gate, CCD sensor
Страницы: 107-114

Аннотация >>
Представлены результаты разработки и апробации комплекса для изучения режимов работы ПЗС-матриц. Целью изучения является проверка работоспособности указанных матриц в составе активно-импульсного устройства без использования в его конструкции электронно-оптического преобразователя или иного внешнего быстродействующего затвора. Комплекс позволяет управлять серийной ПЗС-матрицей недокументированным способом с помощью сигналов произвольной формы, синхронизировать её работу с лазерным излучателем, получать изображение, производить его цифровую обработку и передавать на внешние устройства. Проведённые эксперименты на различных ПЗС-матрицах показали возможность построения на основе ПЗС-матрицы со строчным переносом активно-импульсной системы наблюдения без использования в её составе электронно-оптического преобразователя и практического приложения такой системы.

DOI: 10.15372/AUT20190515
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


16.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФФУЗИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ ИК КРТ ФПУ

А.В. Вишняков, В.В. Васильев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
vishn@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, материал кадмий-ртуть-теллур, пространственное разрешение, частотно-контрастная характеристика, фотоэлектрическая связь, диффузия носителей заряда, метод Монте-Карло, изолирующие диоды, photodetector, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial resolution, frequency contrast characteristic, photoelectric connection, charge carrier diffusion, Monte Carlo method, isolating diodes
Страницы: 115-121

Аннотация >>
Проведено моделирование методом Монте-Карло диффузии носителей заряда в фоточувствительной плёнке инфракрасных фотоприёмных устройств (ИК ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур для определения пространственного разрешения (частотно-контрастной характеристики) таких ФПУ. Приведены результаты расчётов для матричных и линейчатых ФПУ с разным дизайном фотоэлементов матрицы, включая конфигурации с изолирующими диодами. Дано сравнение рассчитанных данных с экспериментально измеренными величинами разрешения реальных фотоприёмников.

DOI: 10.15372/AUT20190516
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину


17.
КОНЕЧНО-ЭЛЕМЕНТНЫЙ АНАЛИЗ МЕХАНИКИ ОБЪЕКТИВА ТЕЛЕСКОПА ДЛЯ КОСМИЧЕСКОГО ЭКСПЕРИМЕНТА В«ЛИРА-Б»

В.П. Смекалин, В.Н. Федосеев, Ю.И. Шанин, Д.А. Ягнятинский
Научно-исследовательский институт «Научно-производственное объединение “Луч”», г. Подольск, Россия
VPSmekalin@luch.com.ru
Ключевые слова: объектив телескопа, расчёты механики, внешние нагрузки, ANSYS, математические модели, приведённые характеристики, telescope lens, mechanics calculations, external loads, ANSYS, mathematical models, given characteristics
Страницы: 122-132

Аннотация >>
Представлены конечно-элементные математические модели реального и упрощённого объективов телескопа космического эксперимента «Лира-Б». Приведены результаты расчётов механики объектива при воздействии на него различных внешних нагрузок: как статических, так и динамических. Расчёты выполнены с помощью программного комплекса ANSYS. Описаны три способа определения характеристик облегчённых конструкций деталей объектива, два из которых использованы в расчётах. Сравнение результатов, полученных с помощью реальной и упрощённой (приведённой) моделей, указывает на возможность применения упрощённой модели для начальных оценочных расчётов. При этом такая модель, обладающая приведёнными характеристиками, более проста в построении и генерации конечно-элементной сетки и требует существенно меньше расчётного времени.

DOI: 10.15372/AUT20190517
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину