РОСТ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN:Si С БРЭГГОВСКИМИ ЗЕРКАЛАМИ ДЛЯ СИНЕ-ЗЕЛЁНОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
igor-osinnykh@isp.nsc.ru
Ключевые слова: AlGaN, GaN, AlN, аммиачная МЛЭ, брэгговские зеркала, ammonia MBE, Bragg mirrors
Страницы: 93-100
Аннотация
Представлены результаты расчёта и роста гетероэпитаксиальных структур с брэгговскими зеркалами на основе AlGaN/AlN для сине-зелёного спектрального диапазона, соответствующего максимуму широкополосной люминесценции слоёв AlGaN:Si, методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Выращены структуры с активной областью AlGaN:Si, расположенной на одном нижнем брэгговском зеркале для длины волны 510 нм и между двумя брэгговскими зеркалами для длины волны 510 нм. Для обеих гетероэпитаксиальных структур продемонстрирована селекция излучения активного слоя в заданном спектральном диапазоне нижними брэгговскими зеркалами. Показано, что большая суммарная толщина гетероструктуры с двумя брэгговскими зеркалами приводит к появлению трещин и макроскопических дефектов на поверхности гетероэпитаксиальной структуры.
DOI: 10.15372/AUT20190513 |
