Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 34.239.160.86
    [SESS_TIME] => 1632025551
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 096be9f0df91bee2c8bb3900d6e6ea27
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 6f8d69cc819623395f68cc8d70b5fc27
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2016 год, номер 2

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭНЕРГИИ ФОРМИРОВАНИЯ В НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ ДИХАЛЬКОГЕНИДАХ MX2 (М = Nb, Mo, W; X = Se, Te)

И.Р. Шеин, В.В. Банников, А.Н. Еняшин
Институт химии твердого тела УрО РАН, 620990 Россия, Екатеринбург, ул.Первомайская, 91
shein@ihim.uran.ru
Ключевые слова: дихалькогениды переходных металлов, электронная структура, энергия образования дефектов, transition metal dichalcogenides, electronic structure, energy of the defect formation
Страницы: 298-303

Аннотация

Методами теории функционала электронной плотности (DFT) получены результаты по электронной структуре, параметрам химической связи, энергиям формирования фаз и образования собственных дефектов по подрешеткам металлов и неметаллов для дихалькогенидов MX2 (M = Nb, Mo, W; X = Se, Te). Для соединений с Te в ряду Nb-Mo-W с увеличением атомного номера происходит монотонное уменьшение зарядов на атомах металла и неметалла, но для соединений с Se данный порядок нарушается. Так же с увеличением порядкового номера металла для соединений с Se и Те уменьшается стабильность фаз. Энергии образования вакансий по обеим подрешеткам для данных систем имеют немонотонный характер. Для систем MX2 (M = Mo,W; X = Se, Te) образование вакансий по подрешетке халькогена приводит к переходу диэлектрик-металл, а вакансии по металлической подрешетке уменьшают величину запрещенной щели.

DOI: 10.15372/JSC20160206