Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.227.235.216
    [SESS_TIME] => 1632319186
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 4cd59c0c6167edba140894028f3e3334
    [SALE_USER_ID] => 0
    [UNIQUE_KEY] => 08ac0d17f53bc4de53777bd6b8e17f6b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2008 год, номер 4

ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛЫ ОКТАХЛОРТРИСИЛАНА Si3Cl8

Ю. С. Ежов1, С. А. Комаров2, Е. П. Симоненко3, В. Г. Севастьянов4
1 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, Термоцентр им. В.П. Глушко, Москва
2 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, Термоцентр им. В.П. Глушко, Москва
3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
4 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Ключевые слова: газовая электронография, квантовая химия, октахлортрисилан, строение молекул, внутреннее вращение
Страницы: 633-639

Аннотация

Методами квантовой химии и газовой электронографии при температуре 303±2 K определены параметры геометрической конфигурации октахлортрисилана Si3Cl8. Рассчитана величина барьера внутреннего вращения групп SiCl3 относительно связи Si-Si.