Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 35.153.170.189
    [SESS_TIME] => 1711712841
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => f89abb865229021d9c3b8f99ef3b0a87
    [UNIQUE_KEY] => 642a0b1e290e65d1c31cd83cbba6873b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2004 год, номер 4

О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ПОТЕНЦИАЛА В ТОНКИХ СЛОЯХ CdHgTe С ВАРИЗОННЫМИ ОБЛАСТЯМИ

Т. Е. Ковалевская, В. Н. Овсюк
(Новосибирск)
Страницы: 57–69
Подраздел: ЭЛЕМЕНТЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Предложен упрощенный метод оценки распределения потенциала в тонких варизонных слоях фоточувствительного полупроводника. В приближении линейной варизонности рассмотрено формирование областей пространственного заряда в пленке полупроводника с варизонным слоем в ее средней части, а также с варизонными слоями вблизи внешних поверхностей, которые используются для управления характеристиками планарных фотодиодов и подавления поверхностной рекомбинации в матричных приемниках ИК-излучения на основе эпитаксиальных слоев теллурида кадмия–ртути.