ЗАРАСТАНИЕ N-ПОЛЯРНЫХ ИНВЕРСИОННЫХ ДОМЕНОВ В СЛОЯХ AlxGa1-xN С РАЗЛИЧНОЙ МОЛЬНОЙ ДОЛЕЙ АЛЮМИНИЯ
И.В. Осинных1,2, Т.В. Малин1, А.М. Гилинский1, Д.Ю. Протасов1,3, В.И. Вдовин1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
igor-osinnykh@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: AlGaN, аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия, сканирующая электронная микроскопия, просвечивающая электронная микроскопия, ионное травление, структурные дефекты
Страницы: 59-66
Аннотация
Приведены результаты исследования слоёв AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака на подложках Al2O3 методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что инверсионные домены, присутствующие в буферных слоях AlN, не прорастают на поверхность плёнки при дальнейшем росте слоёв AlxGa1-xN с мольной долей алюминия x ≤ 0,2. В слоях с мольной долей алюминия 0,2 ≤ x ≤ 0,5 над инверсионными доменами формируются объёмные платообразные дефекты, простирающиеся на глубину более 200 нм, а при x ≥ 0,5 платообразные дефекты прорастают через весь слой AlxGa1-xN.
DOI: 10.15372/AUT20250607 |
