Главная – Журналы – Автометрия 2025 номер 6

Очистка поверхности InSb от оксидов является важным этапом при эпитаксиальном росте и постростовых технологических процессах, поскольку оксидный слой приводит к образованию дефектов в эпитаксиальных слоях и деградации параметров устройств. Показано, что очистка поверхности InSb от оксидов с помощью отжига в потоке индия позволяет уменьшить максимальную температуру отжига и шероховатость поверхности по сравнению с термическим отжигом в вакууме: среднеквадратичная шероховатость поверхности InSb составила 1,2 нм после очистки отжигом в вакууме при 400 °C и 0,9 нм после очистки отжигом в потоке индия при 355 °C c последующим отжигом в вакууме при 380 °C. Меньшая шероховатость поверхности подложек InSb после этапа очистки позволит улучшить кристаллическое качество выращиваемых эпитаксиальных слоёв. На основе in situ контроля процесса десорбции оксидов методом дифракции быстрых электронов показано, что поток сурьмы замедляет процесс десорбции оксида индия, что приводит к необходимости увеличивать максимальную температуру отжига.