Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 216.73.216.1
    [SESS_TIME] => 1758127211
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => 68126d97198d2480f21e76583ff8d4c5
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2025 год, номер 4

АВТОМАТИЗАЦИЯ ИЗМЕРЕНИЙ СКОРОСТИ РОСТА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР AlN/GaN С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

И.Н. Ляпустин1,2, В.Г. Мансуров1, Т.В. Малин1, А.М. Гилинский1, Я.Е. Майдэбура1, В.И. Вдовин1, Ю.А. Живодков1, Д.С. Милахин1,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
i.lyapustin@g.nsu.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
dmilakhin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: A3-нитриды, аммиачная МЛЭ, гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, скорость роста, фильтрация на основе быстрого преобразования Фурье
Страницы: 122-133

Аннотация

Предложен совместимый с ростовым процессом способ обработки рефлектограмм, регистрируемых in situ лазерным рефлектометром в процессе роста методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоёв A3-нитридов. Этот способ включает фильтрацию данных на основе быстрого преобразования Фурье. Установлено, что причиной появления дополнительного высокочастотного сигнала, мешающего регистрации информативных интерференционных колебаний интенсивности отражённого света, является качание держателя с установленным на него образцом в процессе вращения во время роста. Вращение образца - необходимый технологический приём при росте методом МЛЭ, обеспечивающий повышение однородности параметров эпитаксиальных плёнок. Сопоставление значений толщин отдельных слоёв A3-нитридов, установленных с помощью программной обработки рефлектограмм, со значениями, определёнными методом сканирующей электронной микроскопии, продемонстрировало хорошее согласие обоих способов определения толщин эпитаксиальных слоёв. Разработано программное обеспечение, позволяющее автоматически фильтровать высокочастотные сигналы и оценивать скорость роста отдельных слоёв A3-нитридов, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии.

DOI: 10.15372/AUT20250412
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину