АВТОМАТИЗАЦИЯ ИЗМЕРЕНИЙ СКОРОСТИ РОСТА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР AlN/GaN С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ, ВЫРАЩИВАЕМЫХ МЕТОДОМ АММИАЧНОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
И.Н. Ляпустин1,2, В.Г. Мансуров1, Т.В. Малин1, А.М. Гилинский1, Я.Е. Майдэбура1, В.И. Вдовин1, Ю.А. Живодков1, Д.С. Милахин1,3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск
i.lyapustin@g.nsu.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск
dmilakhin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: A3-нитриды, аммиачная МЛЭ, гетероструктуры AlGaN/AlN/GaN, скорость роста, фильтрация на основе быстрого преобразования Фурье
Страницы: 122-133
Аннотация
Предложен совместимый с ростовым процессом способ обработки рефлектограмм, регистрируемых in situ лазерным рефлектометром в процессе роста методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) слоёв A3-нитридов. Этот способ включает фильтрацию данных на основе быстрого преобразования Фурье. Установлено, что причиной появления дополнительного высокочастотного сигнала, мешающего регистрации информативных интерференционных колебаний интенсивности отражённого света, является качание держателя с установленным на него образцом в процессе вращения во время роста. Вращение образца - необходимый технологический приём при росте методом МЛЭ, обеспечивающий повышение однородности параметров эпитаксиальных плёнок. Сопоставление значений толщин отдельных слоёв A3-нитридов, установленных с помощью программной обработки рефлектограмм, со значениями, определёнными методом сканирующей электронной микроскопии, продемонстрировало хорошее согласие обоих способов определения толщин эпитаксиальных слоёв. Разработано программное обеспечение, позволяющее автоматически фильтровать высокочастотные сигналы и оценивать скорость роста отдельных слоёв A3-нитридов, выращиваемых методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии.
DOI: 10.15372/AUT20250412 |
