ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ GaN/AlN
И.А. Александров1, Т.В. Малин1, Д.Ю. Протасов1, B. Pecz2, К.С. Журавлев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
aleksandrov@isp.nsc.ru
2Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary
pecz@mfa.kfki.hu
Ключевые слова: квантовые ямы, GaN, AlN, фотолюминесценция, просвечивающая электронная микроскопия
Страницы: 93-98
Аннотация
Исследована фотолюминесценция структур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведено сравнение расчётной зависимости энергии максимума полосы фотолюминесценции квантовых ям от толщины слоя GaN с экспериментом для различных отношений толщин слоёв GaN и AlN. Толщины слоёв GaN и AlN определялись методом просвечивающей электронной микроскопии. Расчёты энергии максимума полосы фотолюминесценции проводились в 6-зонном kp-приближении с учётом спонтанной и пьезоэлектрической поляризаций. По результатам расчёта при увеличении отношения толщины слоя GaN к толщине слоя AlN наклон зависимости энергии излучения от толщины слоя GaN уменьшается в соответствии с уменьшением напряжённости электрического поля в слое GaN. В квантовых ямах достаточно большой толщины наблюдается увеличение энергии максимума полосы излучения по сравнению с расчётом для нелегированных структур из-за ненамеренного легирования квантовых ям, приводящего к экранированию встроенного электрического поля.
DOI: 10.15372/AUT20210511 |
