ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ПРОСВЕТЛЯЮЩИЕ ПОКРЫТИЯ ИЗ ЧАСТИЦ SiGe СУБВОЛНОВОГО РАЗМЕРА
Д.Е. Уткин1,2, А.В. Царев1,2, Е.Н. Уткин3, А.В. Латышев1,2, А.А. Шкляев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
utkinde@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
tsarev@isp.nsc.ru
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
utkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: метапокрытия, частицы SiGe на Si, резонансы Ми, антиотражающие свойства, численное моделирование, метод FDTD
Страницы: 58-69
Аннотация
Исследованы антиотражающие свойства покрытий из диэлектрических частиц SiGe субволнового размера, выращенных на подложках Si(100) c использованием эффекта несмачиваемости Si слоями SiGe. Средний размер частиц задавался количеством осаждённого Ge и варьировался в диапазоне от 0,2 до 1,4 мкм. Изучаемое возбуждение магнитных и электрических резонансов в диэлектрических частицах SiGe приводило к уменьшению отражения приблизительно на 60 % в зависимости от среднего размера частиц по сравнению с отражением поверхности Si, не покрытой частицами. Распределение частиц по размеру обеспечило получение антиотражающих свойств в широком спектральном диапазоне, в котором частицы меньшего размера создавали более сильный антиотражающий эффект по сравнению с частицами большего размера. Модельные расчёты показали, что для частиц, расположенных на подложке, эффективность возбуждения магнитных и электрических резонансов имеет сильную зависимость от отношения высоты частиц к размеру их основания.
DOI: 10.15372/AUT20210507 |
