ОПТИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ A3B5
Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия rubtsova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: квантовые ямы, экситонное поглощение в квантовых ямах, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 29-37
Аннотация
Проанализировано влияние строения квантовых ям и особенностей технологии их изготовления на быстродействие и максимальную глубину модуляции оптических затворов на основе квантовых ям A3B5, предназначенных для синхронизации мод лазеров ближнего ИК-диапазона.
DOI: 10.15372/AUT20210504 |