ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СОВЕРШЕНСТВА СЛОЁВ ГЕТЕРОСТРУКТУР (013)HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs МЕТОДОМ ГЕНЕРАЦИИ ВТОРОЙ ГАРМОНИКИ
С.А. Дворецкий1,2, М.Ф. Ступак3, Н.Н. Михайлов1,4, С.Н. Макаров3, А.Г. Елесин3, А.Г. Верхогляд3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
dvor@isp.nsc.ru
2Томский государственный университет, Томск, Россия
3Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия
stupak@tdisie.nsc.ru
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кристаллы класса сфалерита, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, тензор нелинейной восприимчивости, микроучастки, разворот, гетероструктуры, МЛЭ, CdHgTe, CdTe, GaAs
Страницы: 18-28
Аннотация
Проведён анализ процессов генерации второй гармоники в слоях CdTe, CdxHg1-xTe и подложки из GaAs гетероструктуры CdxHg1-xTe /CdTe/ZnTe/GaAs ориентации (013). Осуществлены измерения азимутальной зависимости сигналов второй гармоники в сравнении с расчётными данными, полученными при численном моделировании идеального кристалла заданной ориентации вблизи среза (013). Показано, что подложка и эпитаксиальные слои после выращивания имеют разворот плоскости ориентации, который составил для подложек из GaAs +8 и -3 угл. град. от идеальной плоскости (013), для слоёв КРТ - до 8 угл. град. от ориентации подложки, которые имеют слабую зависимость от состава по толщине. Наблюдаемые развороты плоскости ориентации зависят от несоответствия параметров решётки сопрягаемых материалов гетероструктуры CdxHg1-xTe/CdTe/ZnTe/GaAs. Зафиксированное увеличение шума в минимумах азимутальной зависимости сигнала второй гармоники в слоях CdxHg1-xTe обусловлено присутствием разориентированных микроучастков.
DOI: 10.15372/AUT20210503 |
