МЕХАНИЗМЫ УДАЛЕНИЯ ОКСИДОВ С ПОВЕРХНОСТИ InP ПРИ ПРОГРЕВЕ В ПОТОКЕ МЫШЬЯКА
Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия ddmitriev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: InP, As, отжиг, оксид, дифракция
Страницы: 11-17
Аннотация
Методом дифракции быстрых электронов на отражение in situ изучены механизмы трансформации поверхности при отжиге epi-ready подложек InP(001) в потоке молекул мышьяка. Исследовано влияние температуры отжига и потока мышьяка на процессы удаления оксидов с поверхности InP, происходящие в результате термического разложения и химического взаимодействия оксидов с мышьяком.
DOI: 10.15372/AUT20210502 |