ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ НА ПЛОТНОСТЬ ЗАРЯДА НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНОК GdHgTe И Al2O3, ВЫРАЩЕННОГО МЕТОДОМ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ
Г.Ю. Сидоров, Д.В. Горшков, Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, В.С. Варавин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
george@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий-ртуть-теллур, оксид алюминия, молекулярно-лучевая эпитаксия, атомно-слоевое осаждение, фотодиоды, диэлектрик, пассивирующее покрытие, вольт-фарадные характеристики, структуры металл-диэлектрик-полупроводник, плотность поверхностного заряда, Mercury-cadmium telluride (MCT), alumina oxide, molecular beam epitaxy (MBE), atomic layer deposition (ALD), photodiodes, dielectric, passivation coating, voltage-capacitance characteristics (C-V), metal-insulator-semiconductor (MIS), surface charge density
Страницы: 52-57
Аннотация
Исследовано влияние различных обработок поверхности плёнок Hg1-xCdxTe (КРТ) перед нанесением диэлектрика Al2O3 методом атомно-слоевого осаждения на величину заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Изготовлены структуры МДП с различной обработкой поверхности перед нанесением диэлектрика. Проведены измерения вольт-фарадных характеристик структур МДП на КРТ, и определена плотность поверхностного заряда. На поверхности плёнок состава x = 0,22 с естественным окислом поверхностный заряд распределён неоднородно и составляет (0,8-1,8) 10-8 Кл/см2, что может приводить к инверсии типа проводимости на поверхности. Выдержка структур КРТ в парах ртути при комнатной температуре приводит к формированию отрицательного заряда в диапазоне -(0,4-1,6) x 10-8 Кл/см2.
DOI: 10.15372/AUT20200506 |
