РОСТ НИТРИДНЫХ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР: ОТ ЭПИТАКСИИ БУФЕРНЫХ СЛОЁВ ДО ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ
Т.В. Малин1, Д.С. Милахин1, В.Г. Мансуров1, А.С. Кожухов1, Д.Ю. Протасов1,2, И.Д. Лошкарев1, К.С. Журавлев1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
mal-tv@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: коллапс тока, пассивация, GaN, NH3-MBE, Al(Ga)N/GaN-HEMT, current collapse, passivation
Страницы: 44-51
Аннотация
Демонстрируется возможность выращивания методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии структурно-совершенных высокоомных слоёв GaN, позволяющих формировать гетероструктуры SiN/Al(Ga)N/GaN для транзисторов c высокой подвижностью электронов. Определены условия выращивания слоёв GaN с гладкой морфологией поверхности (среднеквадратичное отклонение ∼2 нм), пригодных для создания резких гетерограниц, и продемонстрирована возможность улучшения кристаллического совершенства слоя GaN за счёт использования буферного высокотемпературного (температура роста более 940 °C) слоя AlN. Показано, что in situ пассивация поверхности гетероструктур Al(Ga)N/GaN ультратонким слоем SiN позволяет формировать нормально закрытые транзисторы с рекордно низкими значениями токового коллапса (∼1 %).
DOI: 10.15372/AUT20200505 |
