НОВЫЙ ТИП ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ МОЩНЫХ pHEMT-ТРАНЗИСТОРОВ
К.С. Журавлев1, Д.Ю. Протасов1,2, А.К. Бакаров1, А.И. Торопов1, Д.В. Гуляев1, В.Г. Лапин3, В.М. Лукашин3, А.Б. Пашковский3
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
zhur@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
protasov@isp.nsc.ru
3Акционерное общество «НПП “Исток” им. А.И. Шокина», Фрязино Московской обл., Россия
vlapin@mailru.com
Ключевые слова: гетероструктуры pHEMT, донорно-акцепторное легирование, концентрация, подвижность, насыщенная скорость дрейфа, удельная выходная мощность, heterostructures, pHEMT, donor-acceptor doping, concentration, 2DEG mobility, saturated drift velocity, output power density
Страницы: 36-43
Аннотация
Представлен новый тип гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с энергетическими барьерами, сформированными в соседних с каналом InGaAs слоях транзистора AlGaAs, модуляционно-легированных донорами и акцепторами. Высота барьеров, связанных с потенциалом области пространственного заряда в слоях AlGaAs, достигает 0,8 эВ, что позволяет удвоить концентрацию электронов в канале, предотвратить переход горячих электронов, разогретых электрическим полем, в окружающие слои и увеличить примерно в 1,2-1,3 раза их насыщенную скорость дрейфа. В результате удельная выходная СВЧ-мощность транзистора превзошла более чем на 50 % мировой уровень.
DOI: 10.15372/AUT20200504 |
